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[发明专利]MOS(金属氧化硅)控制晶闸管装置-CN202180015014.9在审
发明人：朴健植;元钟一;赵斗衡;郑东润;张铉圭 -专利权人：韩国电子通信研究院
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/749 文献下载
摘要：根据本发明的构思的MOS控制晶闸管装置，包括：基底，包括彼此面对的第一表面和第二表面；栅极图案，被设置在第一表面上；阴极电极，被构造为覆盖所述栅极图案；以及阳极电极，设置在第二表面上；所述基底包括：下发射极层，具有第一导电类型；下基极层，在所述下发射极层上具有第二导电类型；上基极区，设置在所述下发射极层的上部中并且具有第一导电类型，其中所述上基极区被构造为暴露所述下基极层的上表面的部分；上发射极区，具有第二导电类型并且被设置在所述上基极区的上部中；第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区具有第一导电类型，第二掺杂区被第一掺杂区围绕并具有第二导电类型，其中，第一掺杂区和第二掺杂区被设置在所述上发射极区的上部中；以及第一掺杂图案，具有第一导电类型，被设置在所述上发射极区的上部的一个表面上。第一掺杂图案沿着平行于所述基底的上表面的第一方向介于所述上基极区与第一掺杂区之间。第一掺杂图案被构造为在所述上发射极区的上部的另一表面上暴露所述上发射极区的上表面。栅极图案中的每个被构造为覆盖所述下基极层的暴露的上表面、所述上基极层的暴露的上表面、所述上发射极区的暴露的上表面、第一掺杂图案的上表面和第一掺杂区的上表面的部分。所述阴极电极被构造为覆盖所述栅极图案的上表面和侧表面、第二掺杂区的上表面和第一掺杂区的上表面的部分。第一导电类型和第二导电类型彼此不同。
mos 金属氧化控制晶闸管装置

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