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[发明专利]兼容4G和5G多频段的射频功率放大器-CN202310681495.8在审
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种兼容4G和5G多频段的射频功率放大器，包括：4G放大器单元，5G放大器单元，以及4G/5G控制电路，其被配置为为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供偏置电压，并且为所述4G放大器单元和所述5G放大器单元提供控制逻辑，其中，所述4G放大器单元被配置为能够在MLB频段下工作。
兼容频段射频功率放大器

[实用新型]一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置-CN202223065130.2有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置，包括：第一层金属、第一层金属通孔、发射极金属、集电极金属、背孔电镀金属、导电胶层、第二层金属和第二层金属通孔，其中，第二层金属通孔和第二层金属构成导热顶盖结构，发射极金属通过第一层金属通孔而连接到第一层金属，第一层金属通过第二层金属通孔而连接到第二层金属，并且第一层金属还通过第一层金属通孔而连接到集电极金属，集电极金属与背孔电镀金属连通，并且背孔电镀金属通过导电胶层连接到共地面。
一种用于无线通信射频功率放大器散热装置

[实用新型]用于射频功率放大器的半导体器件-CN202223065165.6有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上。
用于射频功率放大器半导体器件

[发明专利]用于射频功率放大器的半导体器件-CN202211446187.9在审
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成，其中，所述宽带隙材料的禁带宽度大于GaAs的禁带宽度；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上，其中，所述集电极层被配置为使得集电极层处的最大电流和电压摆幅处于所述半导体器件的安全工作区以内，其中，所述半导体器件的安全工作区被限定为当半导体器件处于正向有源区时的安全工作区域。
用于射频功率放大器半导体器件

[实用新型]基于Cat1模组架构的多模多频功率放大器-CN202223075981.5有效
发明人：雷华奎;钱永学;黄鑫;孟浩;张毕禅;龙海波;王显泰;王虹 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于Cat1模组架构的多模多频功率放大器，包括：控制器单元，其被配置为给功率放大器单元提供不同的偏置电压或电流；同时控制开关单元，以选择不同开关口输出；功率放大器单元，其包括LB功率放大器、MB功率放大器PA和HB功率放大器PA，不同频段的输入信号被输入到LB功率放大器、MB功率放大器和HB功率放大器中相应的一个，并且所述功率放大器单元根据控制器单元提供的不同的偏置电压或电流来对输入信号进行放大；输出匹配网络，其连接到功率放大器单元的输出端，并且被配置为包括电容和电感以为功率放大器单元提供阻抗匹配；以及开关单元，其被配置为根据控制单元来操作，以选择不同开关口输出。
基于 cat1 模组架构多模多频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器的散热装置-CN202211446186.4在审
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置，包括：第一层金属、第一层金属通孔、发射极金属、集电极金属、背孔电镀金属、导电胶层、第二层金属和第二层金属通孔，其中，第二层金属通孔和第二层金属构成导热顶盖结构，发射极金属通过第一层金属通孔而连接到第一层金属，第一层金属通过第二层金属通孔而连接到第二层金属，并且第一层金属还通过第一层金属通孔而连接到集电极金属，集电极金属与背孔电镀金属连通，并且背孔电镀金属通过导电胶层连接到共地面。
射频功率放大器散热装置

[发明专利]基于Cat1模组架构的多模多频功率放大器-CN202211447302.4在审
发明人：雷华奎;钱永学;黄鑫;孟浩;张毕禅;龙海波;王显泰;王虹 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供一种基于Cat1模组架构的多模多频功率放大器，包括：控制器单元，其被配置为给功率放大器单元提供不同的偏置电压或电流；同时控制开关单元，以选择不同开关口输出；功率放大器单元，其包括LB功率放大器、MB功率放大器PA和HB功率放大器PA，不同频段的输入信号被输入到LB功率放大器、MB功率放大器和HB功率放大器中相应的一个，并且所述功率放大器单元根据控制器单元提供的不同的偏置电压或电流来对输入信号进行放大；输出匹配网络，其连接到功率放大器单元的输出端，并且被配置为包括电容和电感以为功率放大器单元提供阻抗匹配；以及开关单元，其被配置为根据控制单元来操作，以选择不同开关口输出。
基于 cat1 模组架构多模多频功率放大器

[实用新型]限压保护电路以及包括其的射频功率放大器-CN202122086919.5有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;雷华奎;李孟;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种限压保护电路以及包括其的射频功率放大器，所述限压保护电路包括：N个串联的限压保护子单元，其中，所述限压保护电路被配置为连接到射频功率放大器中的放大器的工作电源节点与接地节点之间，并且其中，N是大于等于1的自然数。
保护电路以及包括射频功率放大器

[实用新型]射频功率放大器-CN202220960795.0有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种射频功率放大器，其特征在于包括：驱动级放大器；功率级放大器；辅助驱动级放大器；辅助功率级放大器；以及频带切换开关，其中，所述频带切换开关被配置为用于频段切换以支持异网漫游服务中涵盖的频段范围内的射频信号发射；其中，所述驱动级放大器与所述功率级放大器组成级联结构，并且被配置为用于放大射频信号，以及其中，所述辅助驱动级放大器和所述辅助功率级放大器被配置为在高功率模式下开启，以对射频信号进行放大。
射频功率放大器

[实用新型]阻抗调谐保护电路以及包括其的射频功率放大器-CN202122139297.8有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;雷华奎;李孟;钱永学;孟浩;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于射频功率放大器的阻抗调谐保护电路，包括：阻抗调谐电路，和保护电路，其中，所述保护电路包括N个串联的正向二极管和N个串联的反向二极管，所述N个串联的正向二极管和所述N个串联的反向二极管并联连接，其中，所述阻抗调谐电路与保护电路并联连接，其中，所述阻抗调谐保护电路被配置在射频功率放大器中的输入匹配网络和驱动级放大器电路之间的节点、驱动级放大器电路和级间匹配网络之间的节点、级间匹配网络和功率级放大器电路之间的节点以及功率级放大器电路和输出匹配网络之间的节点中的一个或者多个处，以及其中，N是大于等于1的自然数。
阻抗调谐保护电路以及包括射频功率放大器

[实用新型]射频功率放大器-CN202220949126.3有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种射频功率放大器，其特征在于包括：驱动级放大器；功率级放大器；以及预驱动级放大器，所述驱动级放大器与所述功率级放大器组成级联结构，并且被配置为在高功率模式下开启，以进行高功率发射，以及所述预驱动级放大器被配置为在中低发射功率模式下开启，以进行中低功率发射。
射频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器-CN202210428799.9在审
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频功率放大器，包括：驱动级放大器；功率级放大器；辅助驱动级放大器；辅助功率级放大器；以及频带切换开关，其中，所述频带切换开关被配置为用于频段切换以支持异网漫游服务中涵盖的频段范围内的射频信号发射；其中，所述驱动级放大器与所述功率级放大器组成级联结构，并且被配置为用于放大射频信号，以及其中，所述辅助驱动级放大器和所述辅助功率级放大器被配置为在高功率模式下开启，以对射频信号进行放大。
射频功率放大器

[发明专利]射频功率放大器-CN202210428822.4在审
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：深圳昂瑞微电子技术有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频功率放大器，包括：驱动级放大器；功率级放大器；以及预驱动级放大器，其中，所述驱动级放大器与所述功率级放大器组成级联结构，并且被配置为在高功率模式下开启，以进行高功率发射，以及其中，所述预驱动级放大器被配置为在中低发射功率模式下开启，以进行中低功率发射。
射频功率放大器

[实用新型]射频功率放大器-CN202123193937.X有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种射频功率放大器。所述射频功率放大器包括：功率放大晶体管，被配置为使得其基极通过隔直电容器连接到射频输入端，其集电极连接到射频输出端，并且其集电极通过键合线连接到接地节点；隔直电容器，其被连接到射频输入端和功率放大晶体管的基极之间；偏置电路，其连接在供电电源和功率放大晶体管的基极；以及键合线，其被配置为连接在功率放大晶体管的集电极和接地节点，以调节功率放大晶体管发射极对地的等效电感，其中，所述功率放大晶体管、所述隔直电容器以及所述偏置电路被设置在半导体晶圆上。
射频功率放大器

[实用新型]射频功率放大器-CN202123198435.6有效
发明人： 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 -专利权人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种射频功率放大器，包括：5G放大器单元，CA放大器单元，偏置电路，其被配置为分别为所述5G放大器单元和所述CA放大器单元提供配置电流，匹配网络，其被配置为根据射频功率放大器的操作模式来提供可调谐阻抗，以及CA控制电路，其被配置为控制所述匹配网络和所述偏置电路来使得所述5G放大器单元和所述CA放大器单元工作在CA模式下或者非CA模式下。
射频功率放大器

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