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[发明专利]一种电子源封装-CN202110058615.X有效
发明人：刘磊;陆菲菲;田健;张杨星月 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-01-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J1/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子源封装，包括基板、密封罩、电子源，其中基板内设置电源，密封罩设置于基板上且与基板形成密闭空间，电子源设置于密闭空间基板上；电子源包括衬底、纳米线束、电极环、抗反射层、保护层，其中衬底设置于基板上且接地，纳米线束设置于衬底上，电极环设置于纳米线束上方且与基板电源电连接，抗反射层设置于电极环上，保护层设置于抗反射层上。
一种电子封装

[发明专利]外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法-CN201910866932.7有效
发明人：刘磊;陆菲菲;田健;张杨星月 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种外加电场辅助GaN纳米线阵列光电阴极，包括银环氧树脂电极、柔性聚甲基丙烯酸甲酯层，高度对齐的p型GaN纳米线阵列和透明氧化铟锡电极；柔性聚甲基丙烯酸甲酯层设置于银环氧树脂电极和透明氧化铟锡电极之间，且柔性聚甲基丙烯酸甲酯层内部真空，p型GaN纳米线阵列设置于柔性聚甲基丙烯酸甲酯层内，p型GaN纳米线阵列外部设置Cs/O激活层，透明氧化铟锡电极和p型GaN纳米线阵列顶部接触，形成肖特基结，透明氧化铟锡电极和银环氧树脂电极之间的偏置电压引入外部场，控制偏置电压的大小和方向改变场强。
外加电场辅助 gan 纳米阵列光电阴极制备方法