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[发明专利]利用涡旋光空气等离子体荧光探测太赫兹波的系统和方法-CN202310807048.2在审
发明人：张亮亮;张明浩;肖文;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01J1/58 文献下载
摘要：本发明公开一种利用涡旋光空气等离子体荧光探测太赫兹波的系统和方法，所述系统包括依次设置在光路上的激光器、分光镜、光参量放大器、DAST有机晶体、太赫兹滤波片、离轴打孔抛物面反射镜、第一平面反射镜、第二平面反射镜、涡旋偏振片、第一凸透镜、第二凸透镜、第三凸透镜、带通滤波片及光电倍增管，通过将涡旋光束应用于太赫兹波参与的荧光辐射，和传统的高斯光束产生的等离子体的荧光辐射方案相比，涡旋光束具有更高的敏感性，对太赫兹能量要求更低，响应灵敏度更高，更适宜于等离子体通道的常规测量，为利用荧光远程探测太赫兹波信号领域提供了新的研究思路和参考价值。
利用涡旋空气等离子体荧光探测赫兹系统方法

[发明专利]一种香烟爆珠的太赫兹检测系统及方法-CN201911283991.8有效
发明人：张振伟;李春连;曹吉;罗文侦;刘海顺;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹无损检测技术领域，公开了一种香烟爆珠的太赫兹检测系统及方法，香烟爆珠的太赫兹检测系统包括太赫兹光谱探测单元、光信息采集单元、光信息处理单元及诊断单元；太赫兹光谱探测单元用于获取在透射预检测过滤棒后反射的太赫兹光波；光信息采集单元和光信息处理单元分别用于采集反射的太赫兹光波，并生成预检测过滤棒光照强度的位置分布曲线；诊断单元用于将预检测过滤棒与爆珠完好的过滤棒的光照强度的位置分布曲线进行对比，以判断爆珠在预检测过滤棒中的状态；本发明操作简单、成本低廉，无需检测人员的过多参与，可准确且高效地判断出预检测过滤棒中爆珠的状态，大大减小了爆珠检测的误报率。
一种香烟赫兹检测系统方法

[发明专利]利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的方法和装置-CN201610955147.5有效
发明人：张振伟;张存林 -专利权人：北京远大恒通科技发展有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置和一种利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的方法，该装置和方法用于在不损坏层状绝缘材料的情况下对其内部的缺陷进行检测。利用太赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷的装置包括：太赫兹发射源、两个透镜、太赫兹探测器、二维扫描装置和成像处理装置，太赫兹发射源用于发射连续调频太赫兹波，两个透镜用于将太赫兹发射源发射的太赫兹波会聚至待测样品的表面，在待测样品表面反射后的太赫兹波再次经过两个透镜后由太赫兹探测器接收并与其内部的本振信号混频后得到一中频信号，二维扫描装置控制太赫兹发射源在距离待测样品表面的一设定距离处对待测样品的表面进行扫描。
利用赫兹成像检测层状绝缘材料内部缺陷方法装置

[发明专利]利用液体柱产生高强度宽带太赫兹波的系统和方法-CN201810587765.8有效
发明人：张亮亮;康凯;吴同;冯世嘉;谭永;蒋广通;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用液体柱产生高强度宽带太赫兹波的系统和方法，该系统包括依次设置在光路上的激光器、分光镜、斩波器、第一离轴抛物面反射镜和液体柱，其中：第一离轴抛物面反射镜的焦距为1英寸，液体柱的方向为竖直向下，激光器用于发射一水平偏振激光光束，水平偏振激光光束通过分光镜后分成一束泵浦光和一束探测光，泵浦光由斩波器调制后经由第一离轴抛物面反射镜聚焦于液体柱，液体柱处即形成一能够辐射出高强度宽带太赫兹波的太赫兹波辐射源。本发明应用液体柱产生太赫兹波并且产生效率高，系统构成简单、建置成本低、容易维护、稳定性高，弥补了目前高强度宽带太赫兹波产生技术领域的空白，具有较强的科研及实际应用价值。
利用液体产生强度宽带赫兹系统方法

[发明专利]太赫兹波段材料复介电常数的测量方法及装置-CN202111101704.4有效
发明人：张振伟;曹吉;贾锐;许靖;潘晓鹏;吴迎红;李春连;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹波段材料复介电常数的测量方法及装置，包括：将被测样品制备成样品件，根据样品件制备校准件，校准件的厚度大于或等于样品件的厚度；将校准件安装在第二抛物面镜和第三抛物面镜之间，第一太赫兹收发模块向第一抛物面镜发射太赫兹波，第二太赫兹波收发模块向第四抛物面镜发射太赫兹波，通过校准后使得校准件的左右两个侧面为校准面，然后取下校准件；将样品件安装在第二抛物面镜和第三抛物面镜之间，并使得样品件右侧面与右侧校准面对准，第一太赫兹收发模块向第一抛物面镜发射太赫兹波，第二太赫兹收发模块接收到携带样品信息并记录为相应的S参数，通过本文相应的计算方法即可计算出复介电常数。
赫兹波段材料介电常数测量方法装置

[实用新型]一种用于铝锭铸造的铝锭自动扶正装置-CN202320909527.0有效
发明人：姚斌;景玉德;韩富成;苏鸿魁;马延青;冯瑞;王伟宇;胡生英;梁增录;李继乾;苏生凯;汪家胜;林炜华;高国斌;张存林 -专利权人：青海百河铝业有限责任公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B22D29/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝锭铸造的铝锭自动扶正装置，包括有挡锭部分和驱动部分，挡锭部分包括有挡板轴，挡板轴上设置有朝上竖立的挡板，挡板轴的两端分别通过轴承安装在轴承座上；驱动部分包括有驱动装置，驱动装置与挡板轴连接形成可驱动挡板轴进行转动的结构。本实用新型较为简单，其通过自动驱动挡板轴进行转动，挡板轴带动挡板摆动，从面可自动实现对歪斜铝锭的扶正。如此不仅提升了铝电解铸造铝锭的排列效率，保护了铸造机组运行系统，而且无需人工对歪斜铝锭进行扶正，避免了人工操作产生的问题，提高了铝锭生产的自动化水平。
一种用于铝锭铸造自动扶正装置

[发明专利]光控太赫兹波调制芯片及其制备方法-CN202111460146.0有效
发明人：张朴婧;周庆莉;邓雨旺;梁菀琳;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供了一种光控太赫兹波调制芯片及其制备方法。该光控太赫兹波调制芯片包括：半导体衬底；以及形成于半导体衬底上的杂化结构，该杂化结构包括：微纳耦合结构，以及分散至微纳耦合结构的多个的金纳米双锥；其中，所述金纳米双锥的长径比大于等于1。本发明中，集成了金纳米材料非凡的等离子体共振特性以及纳米双锥的独特结构特征，金纳米双锥具有更大的局部电场增强、更大的光学截面、更窄的线宽、更好的形状和尺寸均匀性以及更高的折射率灵敏度，大大提升了光控太赫兹调控芯片的适用范围。
光控赫兹调制芯片及其制备方法

[发明专利]方波激励红外热波成像测量样品缺陷深度的方法-CN202111658161.6有效
发明人：陶宁;王黎;吴卓桥;陈思耘;杨雪;冯立春;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种方波激励红外热波成像测量样品缺陷深度的方法，该方法包括：步骤A，对待测样品通过其表面进行方波加热；步骤B，得到每一像素点的随时间变化的降温数据；步骤C，得到温度对比度数据序列；步骤D，对于温度对比度数据序列，进行曲线拟合得到连续曲线，将连续曲线对时间求导，得到曲线，由曲线的拐点得到峰值时间，进而得到实验峰值特征时；步骤E，获取峰值特征时间Δt随缺陷深度L变化的线性模型；步骤F，将Δt带入到线性模型，得到待测样品内部缺陷的深度L0。本发明能够实现对大深度缺陷的精确测量，具有较强的实用价值。
方波激励红外成像测量样品缺陷深度方法

[发明专利]多光束激光电离空气调控太赫兹波强度的系统和方法-CN202310731572.6在审
发明人：张亮亮;郑晓冉;吴若曦;赵海旭;杨博东;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种多光束激光电离空气调控太赫兹波强度的系统和方法。该系统包括依次设置在光路上的激光器、光参量放大器、1200nm～1600nm的二分之一波片、斩波器、衰减片、二倍扩束器、反射式空间光调制器、反射镜、聚焦透镜、BBO晶体、第一离轴抛物面反射镜、硅片、长通太赫兹滤波器、第二离轴抛物面反射镜、高莱探测器以及记录荧光图像的CCD相机。利用空间光调制器加载不同调制深度的多光束相息图将高斯型光束转变为多光束，进而改变等离子体光丝的长度、位置等，不仅使产生的太赫兹波强度明显增强，还出现了一峰、二峰到三峰的变化。此外，还能进一步清楚等离子体光丝变化对太赫兹波强度变化的影响，对提高太赫兹波转化效率具有较强的实用和科研价值。
光束激光电离空气调控赫兹强度系统方法

[发明专利]一种使用“飞行聚焦”产生太赫兹波的系统和方法-CN201810103464.3有效
发明人：张亮亮;蒋广通;谭永;冯世嘉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用“飞行聚焦”产生太赫兹波的系统和方法，其中，使用“飞行聚焦”产生太赫兹波的系统包括：啁啾信号产生装置，用于产生啁啾激光脉冲；以及“飞行聚焦”装置，利用衍射元器件对啁啾激光脉冲进行聚焦，以激发产生空气等离子体，进而产生太赫兹波。本发明提供的使用“飞行聚焦”产生太赫兹波的系统和方法将啁啾激光脉冲和衍射元器件相结合，以控制激光焦点区域内峰值强度的移动速度，以及控制激光光束在聚焦区域的传播，并且传播长度是瑞利长度的许多倍。与现有的利用空气产生太赫兹波方法相比，本发明产生的太赫兹波的强度大大增强，弥补了目前高强度太赫兹波产生技术领域的空白，具有较强的科研及实际应用价值。
一种使用飞行聚焦产生赫兹系统方法

[发明专利]圆艾里光束诱导空气等离子体调控太赫兹波分布的系统及方法-CN202310731367.X在审
发明人：张亮亮;郑晓冉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B27/09 文献下载
摘要：本发明公开一种圆艾里光束诱导空气等离子体调控太赫兹波分布的系统及方法，所述系统包括依次设置在光路上的激光器、分光镜、光参量放大器、1200nm～1600nm的二分之一波片、斩波器、衰减片、三倍扩束器、反射式空间光调制器、第一反射镜、第一聚焦透镜、BBO晶体、空气等离子体、第一离轴抛物面反射镜、硅片、长通太赫兹滤波器、第二离轴抛物面反射镜、第二反射镜、第三反射镜、电动平移装置、第四反射镜、第五反射镜、第二聚焦透镜、碲化锌晶体、第三聚焦透镜、四分之一波片、沃拉斯顿棱镜及双眼光电二极管平衡探头，以及设置于空气等离子体处的CCD相机与太赫兹相机，用以通过圆艾里光束诱导空气等离子体丝来调控太赫兹波分布。
圆艾里光束诱导空气等离子体调控赫兹分布系统方法

[发明专利]利用液态水中等离子体声波增强原理探测太赫兹波的系统和方法-CN202111043522.6有效
发明人：张亮亮;张明浩;肖文;杨博东;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种利用液态水中等离子体声波增强原理探测太赫兹波的系统和方法。其系统包括依次设置在光路上的激光器、分光镜、光参量放大器、DAST有机晶体、太赫兹滤波片、离轴打孔抛物面反射镜、第一平面反射镜、第二平面反射镜、凸透镜、液体膜、麦克风和音频放大器，其中液体膜具有连续、稳定、流速固定、外形无变化的特点，其损伤阈值高、电离阈值低且持续性强。本发明系统构成简单、水膜产生和声音信号探测装置成本低、系统稳定性高，使用周期长且易于维护，在相干探测和非相干探测领域中都具有极高的灵敏度和空间分辨能力，更适宜于等离子体通道的常规测量，为液态介质在太赫兹信号利用声波探测领域提供了新的研究思路和参考价值。
利用液态水中等离子体声波增强原理探测赫兹系统方法

[发明专利]基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法-CN202310207924.8在审
发明人：周庆莉;张朴婧;张旭腾;陈金禹;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片，及其制备方法。该基于碲纳米线的光控太赫兹波调制芯片包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于绝缘衬底上。相比于其他光控太赫兹波调制薄膜，例如MoTe2薄膜，本发明碲纳米线薄膜在较低的泵浦激光功率下，能够实现宽带调制，调制深度大、灵敏度高；同时制备成本低精度高，更适合于大规模工业生产。
基于纳米光控赫兹调制芯片及其制备方法

[实用新型]光控太赫兹波调制系统-CN202320360697.8有效
发明人：张朴婧;陈金禹;张旭腾;周庆莉;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光控太赫兹波调制系统，包括：光控太赫兹波调制芯片，包括：绝缘衬底，其在光激发后不产生载流子且太赫兹波可透过；碲纳米线薄膜，形成于所述绝缘衬底上；光泵浦源，其泵浦激光出口对准所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；太赫兹波源和太赫兹波探测器，两者相对设置，其中，所述太赫兹波源位于所述光控太赫兹波调制芯片的薄膜侧；所述太赫兹波探测器位于所述光控太赫兹波调制芯片的衬底侧。本实用新型混合维光控太赫兹波调制系统实现了超高调制深度，同时调制速度保持在皮秒量级。
光控赫兹调制系统

[发明专利]方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法-CN202210134543.7有效
发明人：陶宁;吴卓桥;王黎;祁劲容;马奕娇;杨雪;张存林 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：一种方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法，包括：S1利用加热设备对被检测物体的表面进行预设时长的加热，并通过红外热像仪按照预设的采集频率对被检测物体表面加热前至降温结束过程的热图序列进行采集；S2根据热图序列中的温度随时间变化的数据提取每个像素点温度下降阶段随时间变化的曲线；S3对温度随时间变化的曲线乘以进行温度重建，平滑处理后得到实验数据最小峰特征时间；S4根据已知的热扩散系数和加热时间基于方波激励表面温度理论解进行理论数值解析，得到不同缺陷深度或厚度与其对应的理论最小峰特征时间经过对数变换后的线性关系；S5将得到的实验数据最小峰特征时间代入线性关系中反演出被检测物体中缺陷深度或厚度。
方波成像测量低热材料内部缺陷深度方法

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