专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置-CN200810165915.2无效
  • 潘建国;刘晓利;李月宝;杨书颖;张公军;崔玉杰;陈素珍 - 宁波大学
  • 2008-09-23 - 2010-03-31 - C30B29/14
  • 本发明涉及人工晶体生长领域,是一种新型的KDP类晶体的生长方法和装置,即一种溶液循环蒸发生长晶体的方法。它是由容器和温度控制系统两个部分组成,容器部分包括:保温槽、生长缸。其中保温槽分为上下两部分,中间由隔板隔开。下层部分内装蒸馏水,用作水浴保温,为高温区。上层利用空气浴保温,为低温区。生长缸也分为两部分,上盖部分为溶解室,下面部分为生长室。生长室在保温层水浴中,溶解室在保温层空气浴中。本发明的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氘钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。使用这种生长装置,可在相对较小的生长槽中,生长出较大尺寸的晶体。生长速度快,晶体质量高,生长设备简单,成本的投入降低,提高了经济效益。
  • 一种磷酸二氢钾类单晶体生长方法装置
  • [发明专利]一种新型红外非线性晶体CsV2O5-CN200710126779.1无效
  • 潘建国;张公军;刘晓利;陈素珍;陈红兵;蒋成勇 - 宁波大学
  • 2007-06-29 - 2008-12-31 - C30B29/30
  • 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称:CVO),属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV2O5,属于正交晶系,空间群为Ima2,单胞参数为:a=9.7169,b=5.6564,c=10.4462,α=β=γ=90.000, V=574.15(20)3。晶体的颜色为黄色,不溶于水。用分析纯Cs2CO3和V2O5为原料,按按摩尔比为1∶2~1∶1.5称量,经研磨混合后置于铂金坩埚中,加热至500℃,即得到钒酸铯。晶体是同成分融化的,可用提拉法或下降法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。
  • 一种新型红外非线性晶体csvsub

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