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[发明专利]硅介电膜的选择性淀积-CN202280018485.X在审
发明人： H·钱德拉;R·M·珀尔斯坦;雷新建 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了选择性沉积含硅和氧的介电膜到衬底上的方法。所述方法包括向反应器提供包含电介质表面和金属或金属氢化物表面的衬底的步骤。可将卤化的含硅化合物引入反应器以相比于在金属或金属氢化物表面上更大量地在电介质表面上形成含硅层。可将氮源引入反应器中以与含硅层反应而形成氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜。可将含氧源引入反应器以与氮化硅膜或碳掺杂氮化硅膜反应而形成含硅和氧的介电膜。
硅介电膜选择性

[发明专利]选择性热原子层沉积-CN202180089821.5在审
发明人： R·M·珀尔斯坦;雷新建;R·G·里德格韦;吴爱萍;李翊嘉;S·阿加瓦尔;R·N·K·拉梅什;徐万兴;R·J·加斯沃达 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了一种选择性热原子层沉积(ALD)方法。该方法可以包括将包含电介质材料和金属的衬底装载到反应器中。衬底可以与非等离子体基氧化剂反应，从而在金属上形成氧化的金属表面。衬底可被加热并暴露于与电介质材料相比更多吸附到氧化金属上的钝化剂。这种暴露可以在氧化金属表面上形成钝化层，并且衬底可以暴露于与钝化层相比更多吸附到电介质材料上的硅前体，从而在电介质材料上形成化学吸附的含硅层。衬底可暴露于非等离子体基氧化剂，其同时部分氧化钝化层，并氧化化学吸附的含硅层以在电介质材料上形成含硅介电膜。
选择性原子沉积

[发明专利]脱气器、脱气系统及其使用方法-CN202080024173.0有效
发明人： C·D·丰塔纳;D·C·埃谢尔曼;J·C·巴尔托迪;B·T·里斯 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01D19/00 文献下载
摘要：脱气器、脱气系统和使用脱气器去除夹带或溶解在处理液体中的气体分子的方法。该脱气器具有带一个或多个壁的真空室；液体分别通过其进入和流出真空室的一个或多个入口和一个或多个出口，该入口和出口穿过该一个或多个壁；位于真空室内且气体分子可透过而液体不可透过的一个或多个分离器；至少一个真空，其用于通过真空端口施加跨分离器的压力差以使气体分子离开液体并通过分离器渗透，从而从液体中除去夹带或溶解的气体；以及任选地与入口和两个或两个以上分离器流体连通的一个或多个进料管线。
脱气系统及其使用方法

[发明专利]用于沉积含硅膜的有机氨基官能化环状低聚硅氧烷-CN202310767408.0在审
发明人： M·R·麦克唐纳;雷新建;萧满超;王美良 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
用于沉积含硅膜有机氨基官能环状低聚硅氧烷

[发明专利]选择性等离子体增强原子层沉积-CN202180089787.1在审
发明人： R·M·珀尔斯坦;雷新建;R·G·里德格韦;吴爱萍;李翊嘉;S·阿加瓦尔;R·N·K·拉梅什;徐万兴;R·J·加斯沃达 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：公开了一种选择性等离子体增强原子层沉积(ALD)方法。该方法可以包括将包含电介质材料和金属的衬底装载到反应器中。衬底可以与非等离子体基氧化剂反应，从而在金属上形成氧化的金属表面。衬底可被加热并暴露于与电介质材料相比更多地吸附到氧化金属上的钝化剂。这种暴露可以在氧化金属表面上形成钝化层，并且衬底可以暴露于与钝化层相比更多地吸附到电介质材料上的硅前体，从而在电介质材料上形成化学吸附的含硅层。衬底可暴露于等离子体基的氧化剂，其同时部分地氧化钝化层，并氧化化学吸附的含硅层以在电介质材料上形成介电膜。
选择性等离子体增强原子沉积

[发明专利]用于铜和硅通孔(TSV)的化学机械平面化(CMP)-CN202180084049.8在审
发明人：史晓波;周鸿君;R·瓦卡斯;K-Y·李;蔡明莳;R-J·杨 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供化学机械平面化(CMP)组合物，其提供用于抛光广泛的本体或先进节点铜或硅通孔(TSV)的高和可调的Cu去除速率及低Cu静态蚀刻速率。该CMP组合物还提供Cu膜相对于其它阻挡层如Ta、TaN、Ti、TiN和SiN；以及介电膜如TEOS、低k和超低k膜的高选择性。该CMP抛光组合物包含磨料、氧化剂、至少两种选自氨基酸、氨基酸衍生物及其组合的螯合剂；Cu静电蚀刻降低剂包括但不限于具有直链或支链烷基链的有机烷基磺酸和有机烷基磺酸的盐。
用于硅通孔 tsv 化学机械平面化 cmp

[发明专利]作为用于高生长速率含硅膜的前体的官能化环硅氮烷-CN201880047342.5有效
发明人：萧满超;M·R·麦克唐纳 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本文描述了官能化环硅氮烷前体化合物以及通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合来沉积含硅膜的包含该前体化合物的组合物和方法，该含硅膜例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或碳掺杂氧化硅。
作为用于生长速率含硅膜官能化环硅氮烷

[发明专利]材料供应系统-CN202180073656.4在审
发明人： T·W·皮尔兹;J·P·普雷戈 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： F17C13/02 文献下载
摘要：本发明提气体供应和分配系统及其操作方法，该系统包括第一在线容器和第一备用容器，其中所述系统用于以预设气体流速分配气体；传感器，其与控制器通信以感测第一在线容器的预定端点，从而使所述控制器在其中具有气体的阵列中启动从所述第一在线容器自动交换到第一备用容器用于随后从所述第一备用容器分配气体；其中所述控制器在感测到预定端点之后启动来自所述第一备用容器的气体流，从而第一备用容器变成第二在线容器，在终止来自所述第一在线容器的气体流之前与第一在线容器同时分配气体一段时间。
材料供应系统

[发明专利]光致抗蚀剂剥离组合物和方法-CN201910428447.1有效
发明人： R·D·佩特斯;M·费尼斯;T·亚克拉 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种有机光致抗蚀剂剥离组合物和将所述组合物用于在晶片上具有绝缘层和金属化的硅晶片的方法，所述组合物具有芳基磺酸或烷基芳基磺酸或其混合物，1,3‑二羟基苯(间苯二酚)或山梨糖醇或其混合物；闪点大于约65℃的一种或多种烃溶剂，和任选地基于所述组合物的总重量小于约0.5重量％的水。所述组合物还可用于从其他衬底上除去其他材料。
光致抗蚀剂剥离组合方法

[发明专利]含硅和氧的介电膜在电介质上的选择性沉积-CN202180076935.6在审
发明人： R·坎约里亚;刘国;M·波特延;J·伍德鲁夫;B·佐佩;雷新建 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种热原子层沉积方法，用于使用具有至少三个异氰酸基配体的硅前体在电介质表面上大量地选择性沉积选自氧化硅或碳掺杂氧化硅的含硅和氧的介电膜，但在金属表面上不沉积、较少沉积。
介电膜电介质选择性沉积

[发明专利]用于多个罐的供应控制系统-CN202180073776.4在审
发明人： T·W·皮尔兹;C·L·休斯;J·P·普雷戈;S·S·卡布勒;仁相宰;A·J·史密斯;金志勋;李相近;金容泰;姜泰旭;权虎山;张星业;崔荣秀;黄孝种;俞方渊 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： F17C13/04 文献下载
摘要：公开用于半导体制造工艺中使用的罐的供应控制系统。本公开实施方案的罐的供应控制系统包括用于存储用于制造半导体的大量工艺材料的多个罐；配置为与分别偶联于多个罐的分供应管连通并向半导体制造装置供应工艺材料的主供应管；分别包括在分供应管中并且配置为控制从多个罐的每一个排出的工艺材料流速的多个流量控制装置；包括在主供应管中并配置为实时测量从多个罐的每一个供应到半导体制造装置的工艺材料流速和工艺材料供应压力的传感器；与主供应管偶联且配置为补充地排出存储的工艺材料以使得工艺材料稳定地供应到半导体制造装置的后备部分；和配置为以基于由传感器测量的工艺材料流速的信息或工艺材料供应压力的信息来控制多个流量控制装置和后备部分以使得设定的工艺材料流速通过主供应管供应到半导体制造装置的控制器。
用于多个罐供应控制系统

[发明专利]烷氧基二硅氧烷和由其制备的致密有机硅膜-CN202180079509.8在审
发明人：萧满超;D·P·思朋斯;雷新建;W·R·恩特雷;R·N·弗蒂斯;J·L·A·阿赫特伊勒;R·G·里德格韦 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向所述反应室中引入包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物；以及向所述反应室中包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物施加能量以诱导所述包含烷氧基二硅氧烷的气态组合物的反应，从而在所述衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有～2.50至～3.30的介电常数，～6至～35GPa的弹性模量和所测量的～10至～40的原子％碳。
烷氧基二硅氧烷制备致密有机硅

[发明专利]组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法-CN202110661668.0有效
发明人：李建恒;J·F·莱曼;雷新建;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;W·R·恩特莱 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。
组合使用沉积含硅膜方法

[发明专利]用于沉积含硅膜的有机氨基官能化环状低聚硅氧烷-CN201910290443.1有效
发明人： M·R·麦克唐纳;雷新建;萧满超;王美良 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本文公开了有机氨基官能化环状低聚硅氧烷，其具有至少两个硅和两个氧原子以及有机氨基，且公开了用于制备所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷的方法。还公开了使用所述有机氨基官能化环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。
用于沉积含硅膜有机氨基官能环状低聚硅氧烷

[发明专利]增强介电膜性能的添加剂-CN202180072764.X在审
发明人： W·R·恩特雷;J·L·A·阿赫特伊勒;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦 -专利权人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种用于改进致密有机硅介电膜的弹性模量(k≥2.7)而不负面影响膜的电性能且最小化至没有膜碳含量的降低的方法。该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含烷基‑烷氧基硅杂环状化合物和5％或更少的特定双(烷氧基)硅烷或单‑烷氧基硅烷的混合物的气态组合物；和向包含烷基‑烷氧基硅杂环状化合物和5％或更少的特定双(烷氧基)硅烷或单‑烷氧基硅烷的混合物的气态组合物施加能量以在衬底上沉积有机硅膜，其中有机硅膜具有～2.70至～3.30的介电常数、～6至～30GPa的弹性模量和通过XPS测量的～10至～45的原子％碳。
增强介电膜性能添加剂

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