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[发明专利]半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法-CN200580042970.7无效
发明人：马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫;亚历克斯·罗马诺夫;蒂姆·朗 -专利权人：奥普特冈有限公司
申请日： 2005-05-19 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(1)由具有纤维锌矿晶体结构的III族金属氮化物制成，以及其以汽相生长在晶格与所述半导体衬底材料不匹配的(0001)取向异质衬底(2)上，或者生长在所述半导体衬底材料的已有(0001)取向的高位错层(3)上，以及具有高度减少的位错密度。根据本发明，使用一种结构用于位错密度的减少，其包括位错重定向层(4)，位错重定向层(4)提供螺位错(6)向着具有除了(0001)外的指数和那些{1¹00}类型指数的高指数晶面的有意倾斜，以增加所述螺位错彼此汇合的可能性；以及位错反应层(5)，位错反应层(5)定位在所述位错重定向层之上，其中所述螺位错(6)彼此聚结，导致在所述半导体衬底表面(7)的减少的螺位错密度。
半导体衬底半导体器件制造方法

[发明专利]半导体异质结构-CN200580038404.9无效
发明人：马克西姆·欧得诺莱多夫;弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 -专利权人：奥普特冈有限公司
申请日： 2005-09-19 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种应变半导体异质结构(10)包括：注入区，其包括具有p型传导性的第一发射极层(11)和具有n型传导性的第二发射极层(12)；以及光产生层(13)，其位于第一发射极层(11)和第二发射极层(12)之间。电子俘获区(14)位于光产生层(13)和第二发射极层(12)之间，该电子俘获区包括邻近第二发射极层的俘获层(16)、以及邻近该电子俘获层的局限层(15)。根据本发明，局限层(15)和俘获层(16)的宽度和材料选择成使俘获层(16)中电子的局域能级中的一个能级和第二发射极层(12)的导带底之间能量差等于光声子的能量。
半导体结构