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[实用新型]一种废水排水控制装置-CN202221746722.8有效
发明人：黄可;朱东盛;马世庆;韩旭;郑建;伍城;康淮;廖祥 -专利权人：华能重庆珞璜发电有限责任公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01D25/21 文献下载
摘要：本实用新型公开一种废水排水控制装置，包括板框机、母管、过滤水箱、污水池、透明管、过滤盒和限位装置，本实用新型通过在板框机连接过滤水箱连接的出水母管管身设置有第一气动阀，母管管身还增设有通向回收池的支管，在支管管身设置有第二气动阀，在出水母管靠近板框机底部位置设置有浊水仪，通过浊水仪对板框机排出的废水浊度进行监测，当废水中浊度较低时第二气动阀关闭，废水引导至过滤水箱内部，当废水中浊度较高时第一气动阀关闭，防止废水进入过滤水箱，确保进入过滤水箱中的废水水质合格，大幅提高脱硫废水进水量。
一种废水排水控制装置

[发明专利]一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法-CN201910317300.5在审
发明人：康淮;陈鹏磊;高冰;刘胜 -专利权人：天通凯成半导体材料有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种用于生长高质量碳化硅晶体原料提纯的处理方法，在PVT法生长碳化硅晶体前，将盛有β‑SiC粉末的石墨坩埚放入高温加热炉中，在氩气气氛中进行循环蒸发冷凝处理。本发明使用β‑SiC粉末代替α‑SiC粉末，并采用循环蒸发冷凝的方式对β‑SiC粉末进行提纯，能有效的降低原料和籽晶的温度梯度，减少粉料的石墨化，并且纯化过程去除了粉末中的杂质，减少了SiC粉末结块，同时生成了粒度均匀的SiC粉末能显著的改善气相传输和升华速率。
碳化硅晶体提纯循环蒸发生长高温加热炉冷凝处理粒度均匀气相传输石墨坩埚温度梯度氩气气氛冷凝石墨化放入粉料结块籽晶升华