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- [发明专利]监测氧化层品质的方法-CN02146262.3有效
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康定国;陈衣凡;高嘉人
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联华电子股份有限公司
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2002-10-17
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2004-04-21
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H01L21/66
- 一种监测氧化层品质的方法，利用晶片可接受度测试(WAT)设备来快速监测隧穿氧化层品质；首先电连接存储单元的控制栅极与浮置栅极，接着施加复数个摆动式且随时间改变的直流渐变电压，并测量各相应的栅极漏电流以计算出各相应的β值，然后计算各该β值的比值并绘制一β值－栅极电压曲线计算该第二常数对该第一常数的一第一比值，最后进行一比较步骤以比较该第一比值与一预设值的大小；本发明用于监测快闪存储单元以及MOS晶体管中的氧化层品质，利用洁净室中的晶片可接受度测试设备做线上监测，其优点为简单、快速并且可以高度自动化地实时模拟出元件的失败情形。
- 监测氧化品质方法
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