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[发明专利]压电组合物和压电元件-CN201980021115.X有效
发明人： 广瀬正和;广瀬维子;加藤浩辉;佐佐木保;梅田裕二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：一种压电组合物，其特征在于，包含具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物、铜以及选自铬、镍和锌中的一种以上的元素，ABO3中的A位点元素为钾，B位点元素为铌、或铌和钽，相对于复合氧化物1摩尔，铜的含有比例以CuO换算计为α摩尔％，选自铬、镍和锌中的一种以上的元素的含有比例以CrO3/2、NiO、ZnO换算计为β摩尔％，α满足0.2≤α≤2.5的关系，β满足0.2≤β≤2.0的关系。
压电组合元件

[发明专利]压电组合物以及压电元件-CN201910206876.4有效
发明人：加藤浩辉;广瀬维子;广瀬正和;石田未来 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供一种能够兼顾机械强度和压电特性并具有高可靠性的压电组合物、以及包含该压电组合物的压电元件。本发明的压电组合物是包含以组成式KmNbO3表示并具有钙钛矿结构的复合氧化物、铜和锗的压电组合物，其特征在于，组成式中的m满足0.970≤m≤0.999的关系，相对于1摩尔的复合氧化物，以铜元素换算含有x摩尔％的铜，以锗元素换算含有y摩尔％的锗，x满足0.100≤x≤1.000的关系，y满足0.000y≤1.500的关系。
压电组合以及元件

[发明专利]压电组合物及压电元件-CN201880022703.0有效
发明人：加藤浩辉;广瀬维子;广瀬正和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明提供一种具有良好的机械强度的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件。该压电组合物含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物、和铜，其特征在于，ABO3中的A位点元素为钾、或钾及钠，B位点元素为铌、或铌及钽，相对于复合氧化物1摩尔，铜以铜元素换算计含有n摩尔％，n满足0.100≤n≤1.000的关系。
压电组合元件

[发明专利]压电组合物及电子部件-CN202110274295.1有效
发明人： 广瀬正和;广瀬维子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电组合物和电子部件。本发明的压电组合物包含由碱金属铌酸盐系化合物构成的主成分，碳的含量为350重量ppm以上700重量ppm以下。
压电组合电子部件

[发明专利]压电组合物及压电元件-CN201880020986.5有效
发明人： 广瀬正和;广瀬维子;加藤浩辉 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种能够兼顾机械强度和机电耦合系数k31的压电组合物、具备该压电组合物的压电元件。所述压电组合物其特征在于，含有具有以通式ABO3表示的钙钛矿结构的复合氧化物和锰，ABO3中的A位点元素为钾或为钾及钠，B位点元素为铌，压电组合物中，锰的浓度分布具有不均，该不均以CV值计为35％以上440％以下。
压电组合元件

[发明专利]压电组合物及压电元件-CN201880022736.5在审
发明人：广瀬维子;加藤浩辉;广瀬正和 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种具有良好的电阻率的压电组合物和具备该压电组合物的压电元件，该压电组合物包含含有钾及铌的复合氧化物，复合氧化物具有：以组成式KNbO₃表示的第一相；选自以组成式K₄Nb₆O₁₇表示的第二相以及以组成式KNb₃O₈表示的第三相的一个相或两个相。
压电组合物组成式复合氧化物压电元件第二相第三相电阻率

[发明专利]电介质陶瓷组合物以及电子部件-CN201210199314.X有效
发明人：武藤和也;佐藤大辅;阿部贤;广瀬正和;黄锦涛;张帆;葛桂宾;庄剑勇 -专利权人： TDK株式会社;厦门TDK有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种既能够良好地保持各种特性又能够显现高交流破坏电压的电介质陶瓷组合物并且提供一种该电介质陶瓷组合物被适用于电介质层的电子部件。电介质陶瓷组合物含有由组成式Bax（Ti1-ySny）O3所表示的化合物和Zn的氧化物。组成式中的x为0.970~0.996，y为0.050~0.130。Zn的氧化物含量相对于化合物100重量份，换算成ZnO时为1.5~8.0重量份。该电介质陶瓷组合物进一步含有Nb的氧化物，Nb的氧化物的含量相对于化合物100重量份优选为换算成Nb2O5时为0.6重量份以下。
电介质陶瓷组合以及电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物以及电子元件-CN201310203788.1有效
发明人：大津大辅;阿部贤;广瀬正和;梅田裕二 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。
电介质陶瓷组合以及电子元件

[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子部件-CN201310032130.9有效
发明人： 广瀬正和;阿部贤 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明有鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种交流破坏电场值高、静电电容的温度特性良好、相对介电常数高的电介质陶瓷组合物。另外，本发明的目的还在于提供一种具有由这样的电介质陶瓷组合物构成的电介质层的电子部件。本发明提供了一种电介质陶瓷组合物，是具有由(BapSrqCarBis)TiO3的组成式表示的主成分、第1副成分、以及第2副成分的电介质陶瓷组合物，所述组成式中的q为0.080以下，所述组成式中的r为0.020以上0.080以下，所述组成式中的s为0.002以下，且所述组成式中的p、q、r与s的合计满足0.996≤p+q+r+s≤1.010的关系。
电介质陶瓷组合电子部件

[发明专利]压电陶瓷组合物及振荡器-CN200810170272.0无效
发明人：曾根英明;广瀬正和;东智久;坂本英也 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明提供一种压电陶瓷组合物，当该压电陶瓷组合物被用于利用厚度纵向振动的三次高次谐波模式的振荡器时，能够得到充分高的(Q_max)及振荡频率(F₀)的良好的温度特性。压电陶瓷组合物，含有复合氧化物，该复合氧化物具有钙钛矿结构，复合氧化物具有以下述化学式(1)表示的组成，(Pb_αLn_β)(Ti_1-(x+y+z)Zr_xMn_yNb_z)O₃…(1)，其中，Ln表示从由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的群中选出的至少1种，并且，复合氧化物满足0.91≤α≤1.00、0＜β≤0.08、0.125≤x≤0.300、0.020≤y≤0.050及0.040≤z≤0.070。
压电陶瓷组合振荡器

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