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[发明专利]氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法-CN201310111332.2无效
发明人： 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 -专利权人：未来之光有限责任公司
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：氮化物类半导体元件层，其形成于基板的主表面上，且具有发光层；第一共振器端面，其形成于所述氮化物类半导体元件层的包含所述发光层的端部；和反射面，其形成于与所述第一共振器端面相对的区域，至少由相对于所述主表面倾斜规定角度而延伸的（000－1）面、或{A+B、A、－2A－B、2A+B}面构成，在此，A≧0以及B≧0，且A和B中至少任一个是不为0的整数。
氮化物类半导体发光二极管激光元件及其制造方法形成

[发明专利]氮化物类半导体发光二极管及其制造方法-CN201210073325.3无效
发明人： 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光二极管及其制造方法。该氮化物类半导体发光二极管包括：基板，其在主表面上形成有凹部；和氮化物类半导体层，其在所述主表面上具有发光层，并且包含以所述凹部的一内侧面为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面、和夹着所述发光层在与所述第一侧面相反侧的区域以所述凹部的另一内侧面为起点而形成的第二侧面。
氮化物类半导体发光二极管及其制造方法

[发明专利]氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法-CN200880126957.3有效
发明人： 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管，其可抑制制造工艺复杂化，并且可提高来自发光层的光的输出效率，且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括：基板(11)，其在主表面上形成有凹部(21)；氮化物类半导体层(12)，其在主表面上具有发光层(14)，并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。
氮化物类半导体发光二极管激光元件及其制造方法形成

[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法-CN201010164149.5无效
发明人：伊豆博昭;山口勤;大保广树;广山良治;畑雅幸;太田洁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
集成半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法-CN200880108937.3有效
发明人： 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。
氮化物类半导体发光元件激光发光二极管及其制造方法形成

[发明专利]氮化物系发光元件及其制造方法-CN200910142480.4无效
发明人：国里龙也;广山良治;畑雅幸;太田洁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物系发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。
氮化物发光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物类半导体元件和其制造方法-CN200910137372.8有效
发明人：三宅泰人;广山良治;畑雅幸;久纳康光 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000-1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。
氮化物类半导体元件制造方法

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN200910126754.0无效
发明人： 广山良治;井上大二朗;别所靖之;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。
半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法和半导体元件-CN200810145806.4有效
发明人：三宅泰人;广山良治;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造方法和半导体元件，其包括：在具有上表面、下表面、和以分割上表面侧和下表面侧的方式配置的位错集中区域的基板的上表面上形成半导体元件层的工序、通过将基板的下表面侧与位错集中区域的至少一部分一起除去，从而在基板的下表面，使在上方不存在位错集中区域的部分露出的工序、和在基板的下表面中，至少在上方不存在位错集中区域的部分被露出的区域上形成电极的工序。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体激光元件-CN200810134056.0无效
发明人： 广山良治;野村康彦;畑雅幸;三宅泰人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01S3/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
半导体激光元件

[发明专利]半导体激光元件和其制造方法-CN200610159972.0无效
发明人： 广山良治;三宅辉明;宫田让 -专利权人：三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光元件，其利用窗结构充分地抑制激光的射出端面部由于热而破坏，同时能够进一步提高温度特性，该半导体激光元件包括：活性层，在激光的射出端面部具有窗结构；以及p型层，形成在活性层的表面上，含有作为杂质的Mg和Zn。另外，p型层所含有的Zn的杂质浓度，比p型层所含有的Mg的杂质浓度大。
半导体激光元件制造方法

[发明专利]集成型半导体激光元件及其制造方法-CN200510105528.6无效
发明人：伊豆博昭;山口勤;大保广树;广山良治;畑雅幸;太田洁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且，将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。
集成半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]氮化物系半导体发光元件-CN200510008476.0有效
发明人：国里竜也;广山良治;畑雅幸 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高光取出效率的氮化物系半导体发光元件。该氮化物系半导体发光元件包括：在导电性基板表面上形成的第一氮化物系半导体层；在第一氮化物系半导体层上形成的活性层；在活性层上形成的第二氮化物系半导体层；和，在第二氮化物系半导体层上形成、载流子浓度比第二氮化物系半导体层的载流子浓度低的光透过层。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]氮化物系发光元件及其制造方法-CN200510007356.9有效
发明人：国里龙也;广山良治;畑雅幸;太田洁 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。
氮化物发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN200410081030.6有效
发明人：畑雅幸;广山良治;国里竜也;藏本庆一;平野均 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发光元件及其制造方法。它通过在基板背面涂布用于形成以具有透光性的无机材料为主要成分的层的固化前粘性溶液(前驱液)，然后一边用模的凹凸按压基板，一边加热或照射紫外线，再通过从基板上取下模，在基板上形成以具有透光性的无机材料为主要成分的无机材料层，从而利用模压法在基板的背面(拾光面)形成具有凹凸的有机材料层。
发光元件及其制造方法

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