专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种双密度光盘-CN200420042962.5无效
  • 简弃非;潘凯;傅忠红;黄志伟 - 华南理工大学;广东龙马光盘有限公司
  • 2004-02-27 - 2005-07-06 - G11B7/24
  • 本实用新型公开了一种一种双密度光盘。该光盘的直径为120mm、厚度12mm,盘片上包括功率校准区、数据存储区、导入区、数据区、导出区,可用于数据或音乐等信息的录入与导出,盘片工作时使用的激光波长为780nm;盘片上的螺旋型预刻槽的槽间距沿径向方向逐步增加,数据区的初始槽间距为0.9um,在此基础上预刻槽向外每增加一周,槽间距增大20nm,当槽间距达到1.1um时不再增大,保持恒定的1.1um槽间距。本实用新型的高密度CD-R,将其存储密度提高了2倍,由原来的700M增加到2G,而盘片的价格可基本保持不变,可大大满足市场需要。
  • 一种密度光盘
  • [发明专利]一种变间距双密度光盘-CN200410015480.5无效
  • 简弃非;潘凯;傅忠红;黄志伟 - 华南理工大学;广东龙马光盘有限公司
  • 2004-02-27 - 2005-01-05 - G11B7/007
  • 本发明公开了一种变间距双密度光盘。该光盘的直径为120mm、厚度12mm,盘片上包括功率校准区、数据存储区、导入区、数据区、导出区,可用于数据或音乐等信息的录入与导出,盘片工作时使用的激光波长为780nm;盘片上的螺旋型预刻槽的槽间距沿径向方向逐步增加,数据区的初始槽间距为0.9um,在此基础上预刻槽向外每增加一周,槽间距增大20nm,当槽间距达到1.1um时不再增大,保持恒定的1.1um槽间距。本发明的高密度CD-R,将其存储密度提高了2倍,由原来的700M增加到2G,而盘片的价格可基本保持不变,可大大满足市场需要。
  • 一种间距密度光盘

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