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[发明专利]检查装置以及检查系统-CN201410460945.1在审
发明人：加屋野博幸;平冈俊郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-09-11 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G01V3/12 文献下载
摘要：本发明提供小型、高增益且高指向性的天线。实施方式的检查装置的特征在于，发送天线装置和接收天线装置分别相对于被测量物对置，所述发送天线装置与发送微波的具有发送装置的发送部连接，所述接收天线装置与具有接收装置的接收部连接，接收天线装置接收由发送天线装置发送并透射了被测量物的微波、相位延迟了的微波和在被测量物中蔓延的微波中的至少某一个微波，接收部是指向性天线。
检查装置以及系统

[发明专利]太阳能发电机-CN201310562495.2无效
发明人：八木亮介;富松师浩;平冈俊郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：实施方式的太阳能发电机的目的在于，降低白天的太阳能电池单元温度。实施方式的太阳能发电机的特征在于，具有：太阳能电池模块，具有太阳能电池单元、以及收容以热接触到太阳能电池单元的背面侧的方式配置的蓄热材料和解除蓄热材料的过冷的成核部件的蓄热材料填充部；以及控制部，控制成核部件。
太阳能发电机

[发明专利]磁制冷装置和磁制冷系统-CN201310562470.2无效
发明人：富松师浩;平冈俊郎;八木亮介;齐藤明子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁制冷装置包括：磁性本体；磁场施加单元；储热介质；和传热单元。磁性本体间隔排列。磁场施加单元分别对磁性本体施加磁场和去除磁场。介质布置成面对磁性本体中的至少一个。介质在施加磁场和去除磁场所导致的磁性本体的温度变化的范围内没有居里点。传热单元选择性地使介质与磁性本体热接触或使介质与磁性本体热隔离，并且传热单元与施加磁场和去除磁场同步地将热从磁性本体传给介质或将热从介质传给磁性本体。
制冷装置制冷系统

[发明专利]负极材料、负极活性物质、负极、非水电解质二次电池及电池包-CN201310056303.0无效
发明人：越崎健司;深泽孝幸;森田朋和;长田宪和;堀田康之;久保木贵志;平冈俊郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供长寿命的非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池以及电池包。实施方式的非水电解质二次电池用负极材料为包含硅和氧化硅的由组成式SiOx表示的硅氧化物，x满足0.1≤x≤0.8，硅氧化物含有晶体硅，在晶体硅中的直径为1nm以上的粒状物中，直径为100nm以下的粒状物以个数计为90％以上，硅氧化物的BET比表面积大于100m2／g。
负极材料活性物质水电二次电池

[发明专利]磁性制冷设备和磁性制冷系统-CN201310037356.8有效
发明人：富松师浩;平冈俊郎;真田恭;八木亮介;齐藤明子;小林忠彦;加治志织 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。
磁性制冷设备制冷系统

[发明专利]凹凸图案形成方法-CN200980159359.0有效
发明人：有贺智崇;大泽裕一;伊藤顺一;黑崎义成;柏田沙织;平冈俊郎;天野实;柳晓志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。
凹凸图案形成方法

[发明专利]布线部件及其制造方法-CN200410007336.7无效
发明人： 平冈俊郎;堀田康之;真竹茂;泽登美纱;山田纮 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开一种布线部件，它包括一种具有大量开放式元胞的薄片状布线基板，这种开放式元胞在三维方向分枝，并对多孔基板的第一主表面以及第二主表面开放，以及一种形成于多孔基板的第一主表面之上的导电部分，在多孔基板的界面上至少部分地与多孔基板形成相互渗透结构。第一主表面上的开放式元胞的孔隙有平均直径和平均孔隙数目，其中至少一项指标要小于第二主表面的该项指标。
布线部件及其制造方法

[发明专利]三维结构和其生产方法-CN00128595.5无效
发明人： 平冈俊郎;浅川钢儿;堀田康之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-09-15 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： B32B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括一多孔体和在该多孔体中填充有物质的大量区域的三维结构。为了形成光子谱带，填充有该物质的大量区域部分的平均节段为0.1-2μm。
三维结构生产方法

[发明专利]半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法、半导体器件及其制造方法-CN03108392.7无效
发明人：山口直子;杉崎吉昭;青木秀夫;平冈俊郎;堀田康之;青竹茂;泽登美纱 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。
半导体测试装置半导体器件接触方法及其制造

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