专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种IGBT陶瓷基片的制备方法-CN201910705537.0在审
  • 张福军 - 常熟华融太阳能新型材料有限公司
  • 2019-08-01 - 2020-04-03 - B28D1/22
  • 本发明涉及一种IGBT陶瓷基片制备工艺,采用干压结合等静压、注浆或注凝成型工艺制备出大块IGBT陶瓷坯体,再经过烧结,辅以气压烧结或热压烧结制备出大块陶瓷烧结体,随后剖方成IGBT所需要的棒状尺寸,放置于金刚线切割机上进行切割,可批量制备出IGBT陶瓷基片。此方法制备的陶瓷致密度高,密度可达95%以上,同时可大大提高IGBT陶瓷基片制备效率,可根据不同需要调整基片厚度,操作相对流延法更简单易行,同时可精确控制陶瓷基片厚度的均匀性及表面平整度,提升基片质量。
  • 一种igbt陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种多晶硅铸锭用石英陶瓷坩埚-CN201610700106.1在审
  • 张福军;张伏严;张晓艳 - 常熟华融太阳能新型材料有限公司
  • 2016-08-23 - 2016-11-16 - C30B29/06
  • 本发明公开了一种用于生产高效多晶的内底部局部凸起的石英陶瓷坩埚。克服或缓解了半融工艺以下几个方面的不足,一方面,相对于全融工艺而言半融工艺易出现边缘粘埚,底部融接籽晶工艺不易控制;第二方面,铸锭时长增加,成品率较低,成本明显高于全融。为了解决上述半融工艺中的技术问题,坩埚本体根据底部热场结构局部做成凸起形状。一方面可以减少半融工艺底部籽晶用量;另外一方面可以增加收益率,降低多晶硅生产成本。此外,内底部凸起坩埚可以使铸锭过程中坩埚底部中间温度与边缘温度更加接近,固液界面变得平坦,更利于晶体的竖直生长,减少位错的增殖,从而提高硅锭的整体光电转换效率。
  • 一种多晶铸锭石英陶瓷坩埚
  • [发明专利]一种利于多晶半熔工艺提效的坩埚-CN201610758343.3在审
  • 张福军;汪兴华 - 常熟华融太阳能新型材料有限公司
  • 2016-08-30 - 2016-11-09 - C30B28/06
  • 本发明涉及一种利于多晶半熔工艺提效的坩埚,具体为将坩埚底部圆弧角处厚度加大至25‑60 mm,坩埚底部中间掏空处厚度减薄至5‑25mm,其它部位厚度在20‑60mm之间,坩埚底部中间掏空处用加工好的石墨件或者其它导热材料填充。此种外型坩埚一方面使得熔化阶段加热器对边缘籽晶的热辐射减少,晶体全部沿着底部籽晶形核达到彻底同质形核的目的,降低边缘晶棒的低效比例,晶锭整锭效率可提升0.05%‑0.2%,且效率分布更集中;另一方面底部厚度减薄使得DS块散热更充分,适当加快长晶,铸锭用时可缩短2‑4小时,铸锭能耗降低10‑25%。
  • 一种利于多晶工艺坩埚

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