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[发明专利]膜电极接合体和固体高分子型燃料电池-CN202180068630.0在审
发明人： 川本昌子;斋藤贡 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08F14/18 文献下载
摘要：提供能够形成发电效率优异的燃料电池的膜电极接合体和固体高分子型燃料电池。本发明的膜电极接合体具有阳极、阴极和固体高分子电解质膜，所述阳极具有包含质子传导性聚合物和催化剂的催化剂层，所述阴极具有包含质子传导性聚合物和催化剂的催化剂层，所述固体高分子电解质膜配置在阳极与阴极之间，阳极和阴极中至少一者的催化剂层所包含的质子传导性聚合物是具有环状醚结构单元且具有离子交换基团的聚合物(H)，固体高分子电解质膜包含具有离子交换基团的含氟聚合物(S)，固体高分子电解质膜的厚度为5～15μm，环状醚结构单元的含量M1[摩尔％]相对于固体高分子电解质膜的厚度T1[μm]的比例为4.5以上。
电极接合固体高分子燃料电池

[发明专利]催化剂层、催化剂层形成用液和膜电极接合体-CN202080090696.5在审
发明人： 川本昌子;本村了 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：提供：可以形成发电效率优异的燃料电池的催化剂层、催化剂层形成用液及膜电极接合体。本发明的催化剂层的特征在于，包含：碳合金催化剂；及聚合物，所述聚合物具有包含选自由式(u11)所示的单元、式(u12)所示的单元、式(u21)所示的单元、式(u22)所示的单元和式(u24)所示的单元组成的组中的至少1种环状醚结构的单元、且具有离子交换基团。
催化剂形成电极接合

[发明专利]催化剂层、催化剂层形成用液体及膜电极接合体-CN202080008356.3在审
发明人： 川本昌子;本村了 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：提供：可以形成发电效率优异的燃料电池的催化剂层、催化剂层形成用液体及膜电极接合体。本发明的催化剂层包含：具有包含金属氧化物的载体及负载于载体的催化剂的负载催化剂、和具有离子交换基团的聚合物，所述聚合物具有包含选自由单元(u11)、单元(u12)、单元(u21)及单元(u22)组成的组中的至少1种环状醚结构的单元，相对于聚合物所包含的全部单元，包含环状醚结构的单元的含量的总计为30摩尔％以上。
催化剂形成液体电极接合

[发明专利]线栅型偏振器的制造方法-CN200980112453.0无效
发明人：海田由里子;坂本宽;见矢木崇平;樱井宏巳;池田康宏;志堂寺荣治;川本昌子 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-04-06 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供可容易地制造在可见光范围内显示出高偏振光分离能力且提高了短波长范围的透射率的线栅型偏振器的方法。通过满足条件(A)～(F)的蒸镀法在表面形成有多条凸条(12)的透光性基板(14)上形成基底层(22)、第一金属细线(24)和第二金属细线(30)。(A)从成角度θL的方向对凸条(12)的上表面(16)和第一侧面(18)蒸镀基底层材料；(B)从与条件(A)相反的成角度θR的方向对第一基底层(22a)的上表面和第二侧面(20)蒸镀基底层材料；(C)θL、θR为60°～90°；(D)基底层(22)的高度Hma1为1～20nm；(E)对基底层(22)的上表面和沟(26)的底面(28)蒸镀金属或金属化合物；(F)第一金属细线(24)的高度Hma2和凸条的高度Hp满足40nm≤Hma2≤0.9×Hp。
线栅型偏振制造方法

[发明专利]线栅型偏振器及其制造方法-CN200980112502.0无效
发明人：海田由里子;坂本宽;见矢木崇平;樱井宏巳;池田康宏;志堂寺荣治;川本昌子 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供在可见光范围内对从正面侧入射的光显示出高偏振度、高p偏振光透射率和高s偏振光反射率，并且对从背面侧入射的光显示出低s偏振光反射率的线栅型偏振器及其制造方法。该线栅型偏振器(10)具有以间距(Pp)形成于透光性基板(14)的表面的凸条(12)，凸条(12)的上表面(16)、第一侧面(18)、第二侧面(20)这共计3个面被金属细线(22)被覆，满足下述条件：(a)被覆第一侧面(18)的金属细线(22)的厚度Dm1和被覆第二侧面(20)的金属细线(22)的厚度Dm2在20以下；(b)被覆上表面(16)的金属细线(22)的厚度Hm和凸条(12)的高度Hp满足40nm≤Hm≤0.5×Hp；(c)Dm1、Dm2、Pp和凸条(12)的宽度Dp满足Dm1+Dm2≤0.4×(Pp-Dp)。
线栅型偏振及其制造方法