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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210674659.X在审
发明人：张俊;崔鹿鸣;钱利森 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出多个间隔排布的有源区；于衬底内形成接触孔，接触孔位于有源区内，并延伸至浅沟槽隔离结构内；接触孔的底部具有晶格损伤区及位于晶格损伤区上表面的氧化区；于接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层；去除氧化区及晶格损伤区；于接触孔内形成位线接触材料层；刻蚀侧壁阻挡层及位线接触材料层，以形成位线接触结构。本公开用于保护接触孔的侧壁不被刻蚀，减少有源区的损伤，进而减少存储单元之间短路的风险。
半导体结构制备方法

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