“岩崎康范”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体用复合基板的处理基板-CN201580000704.1有效
发明人：宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。
半导体复合处理

[发明专利]具有贯通孔的绝缘基板-CN201580000703.7有效
发明人：高垣达朗;岩崎康范;宫泽杉夫;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-24 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
具有贯通绝缘

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板及半导体用复合基板-CN201580006859.6有效
发明人：井出晃启;高垣达朗;宫泽杉夫;岩崎康范 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体用复合基板的操作基板4包括：基底基板，该基底基板由多晶材料构成，及单组分且高纯度的非晶质层3，该非晶质层3设置在基底基板1上，具有耐化学腐蚀性。
半导体复合操作

[发明专利]具有贯通孔的绝缘基板-CN201580000543.6有效
发明人：高垣达朗;岩崎康范;宫泽杉夫;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-02-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。
具有贯通绝缘

[发明专利]复合基板、其制造方法、功能元件以及晶种基板-CN201480034478.4有效
发明人：仓冈義孝;岩崎康范;吉野隆史 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：一种复合基板，具备多晶陶瓷基板，直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板，通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜，以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。
复合制造方法功能元件以及晶种基板

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板以及半导体用复合基板-CN201580000420.2有效
发明人：宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。
半导体复合操作以及

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板-CN201480002869.8有效
发明人： 岩崎康范;井出晃启;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-07-10 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：操作基板1由透光性陶瓷构成。操作基板1的接合面1a一侧的表面区域2A所含的大小0.5～3.0μm的气孔的平均密度在50个/mm2以下。操作基板1内形成有大小0.5～3.0μm的气孔的平均密度在100个/mm2以上的区域3。透光性陶瓷的平均粒径为5～60μm。
半导体复合操作

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板-CN201480001703.4有效
发明人：井出晃启;岩崎康范;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：操作基板(11)、(11A)由绝缘性多晶材料形成，操作基板的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，表面露出的晶粒(2)的露出面(2a)间设置段差(3)。
半导体复合操作

[发明专利]支撑基板以及半导体用复合晶片-CN201480016581.6有效
发明人：高垣达朗;岩崎康范;宫泽杉夫;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。
支撑以及半导体复合晶片

[发明专利]操作基板、半导体用复合基板、半导体电路基板及其制造方法-CN201480019693.7有效
发明人：宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
操作半导体复合路基及其制造方法

[发明专利]半导体用复合基板的操作基板-CN201480001476.5有效
发明人：井出晃启;岩崎康范;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体用复合基板包括操作基板(11)、以及在操作基板(11)的表面直接或介由接合层键合的施主基板。操作基板(11)由绝缘性多晶材料形成，操作基板(11)的表面(15)的微观表面的中心线平均粗糙度Ra为5nm以下，操作基板的表面形成有凹部(6)。
半导体复合操作

[实用新型]处理基板和半导体用复合晶片-CN201420153162.4有效
发明人：中西宏和;岩崎康范;高垣达朗;宫泽杉夫;井出晃启 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种处理基板和半导体用复合晶片。半导体用复合晶片的处理基板由多结晶透光性氧化铝形成。该处理基板中Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ和Ｚｎ的表面金属污染量分别在1.0×10¹¹ａｔｏｍ／ｃｍ²以下，处理基板的接合面的表面粗糙度Ｒａ为6ｎｍ以下。
处理半导体复合晶片

[发明专利]复合基板及其制法-CN201380003307.0有效
发明人：堀裕二;多井知义;岩崎康范;山寺乔纮;服部良祐;铃木健吾 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK陶瓷设备株式会社
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
复合及其制法

[发明专利]复合基板-CN201380003306.6有效
发明人：多井知义;岩崎康范;堀裕二;山寺乔纮;服部良祐;铃木健吾 -专利权人：日本碍子株式会社;NGK陶瓷设备株式会社
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
复合

[发明专利]复合晶片及其制造方法-CN201380002366.6有效
发明人： 岩崎康范;井出晃启;堀裕二;多井知义;宫泽杉夫 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。
复合晶片及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 19 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top