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[实用新型]偏光片切割装置-CN202321399830.7有效
发明人： 岑星桦 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B26D1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开一种偏光片切割装置，包括支撑座、滑轨、切割组件和分离组件。支撑座设置在偏光片背离基板的一侧面，支撑座具有操作孔，操作孔贯穿支撑座的顶部和底部,滑轨设置在操作孔的内侧壁上，且滑轨环绕操作孔的中心一圈,切割组件包括滑块和伸缩刀，滑块与滑轨滑动连接，且滑块能够沿着滑轨的延伸方向滑动，伸缩刀与滑块连接；分离组件与支撑座连接，分离组件包括可升降设置的第一吸盘，第一吸盘能够穿过操作孔延伸至支撑座靠近偏光片的一侧以吸附偏光片。该偏光片切割装置便于切割偏光片，且安全性好。
偏光切割装置

[实用新型]电路板的棕化处理装置-CN202222199598.4有效
发明人： 岑星桦 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电路板的棕化处理装置,包括输送机构，输送机构包括两组沿着高度方向间隔设置的滚轮组件，待处理的电路板放置在两组滚轮组件之间输送，每组滚轮组件均包括多个沿着电路板的输送方向依次分布的滚轮，输送机构的上下方均设置有沿着电路板的输送方向依次分布的酸洗机构、第一水洗机构、碱洗机构、第二水洗机构、预浸机构和棕化机构，第一水洗机构与碱洗机构之间设置有高压冲洗机构，高压冲洗机构包括多组沿着垂直于电路板输送的方向间隔分布的高压喷头组，高压喷头组用于朝向电路板和滚轮喷射高压的冲洗水。其能防止棕化处理时电路板上存在结晶物影响激光钻孔。
电路板处理装置

[发明专利]一种二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料及其制备方法-CN201811095356.2有效
发明人：孙立贤;夏永鹏;徐芬;李建全;岑星桦;张焕芝 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B32/921 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料，由氢化铝锂和二维碳化钛Ti3C2混合机械球磨制得，二维碳化钛Ti3C2由Ti3AlC2和氢氟酸反应制得。其制备方法包括：步骤1，二维Ti3C2的制备和步骤2，二维碳化钛掺杂氢化铝锂储氢材料制备。本发明的储氢材料在二维Ti3C2催化作用下，初始脱氢温度为43‑68℃，比纯氢化铝锂降低了129‑154℃，其总放氢量达到4.6‑7.2 wt%，其初始脱氢温度比原氢化铝锂降低了148.2℃；在150℃时，15分钟能放出3.7 wt%氢气；在200℃时，15分钟能放出5.3 wt%氢气。因此，本发明的储氢材料具有优异的储放氢性能，制得的二维Ti3C2能显著改善氢化铝锂的放氢性能，使得其在较低温度下表现出优异的放氢性能。
一种二维碳化掺杂氢化铝锂储氢材料及其制备方法

[发明专利]一种氮化硼增强导热的复合固-固相变材料及其制备方法-CN201810756679.5在审
发明人：张焕芝;夏永鹏;李建全;岑星桦;孙立贤;徐芬 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼增强导热的复合固‑固相变材料及其制备方法。本发明材料主要成分包括聚乙二醇，交联剂，羟基化碳纳米管和氮化硼，其制备方法包括：1）采用氢氧化钠溶液对氮化硼进行表面改性；2）采用交联剂对聚乙二醇进行末端功能化改性；3）加入羟基化碳纳米管和改性氮化硼自组装和接枝聚合聚乙二醇。本发明通过分子链末端功能化改性实现了羟基化碳纳米管和改性氮化硼自组装和接枝聚合聚乙二醇，形成具有互穿网络的三维结构复合相变材料，具有相变过程中保持固态、相变潜热较高和导热性能明显提高的优点。因此，本发明在相变储热和电子材料散热领域具有广阔的应用前景。
氮化硼聚乙二醇羟基化碳纳米管制备导热接枝聚合交联剂自组装改性固-固相变材料复合相变材料氢氧化钠溶液复合分子链末端功能化改性固相变材料表面改性导热性能电子材料发明材料互穿网络末端功能三维结构相变过程相变潜热化改性散热应用