专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]数据处理装置及存储介质-CN202310011959.4在审
  • 山田健人;坂口拓司 - 东芝泰格有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-09-29 - G06Q30/0208
  • 本发明公开了一种数据处理装置及存储介质,能够灵活地进行戳卡服务,该数据处理装置包括取得指定购物者的购物者指定信息和表示基于该购物者的购物的明细的票据数据的取得部、判定所述票据数据是否满足根据收集的数量而获得优惠的戳数据的发放条件的判定部、在满足所述发放条件的情况下发放戳数据的发放部、将与所述购物者指定信息相关联而存储的、用于收集所述戳数据的戳卡的数据更新为收集了所述发放部发放的戳数据的结果的更新部、以及设定进行了所述购物的店铺为所述发放条件的一要素的设定部,其中,所述设定部使用店铺单位、品牌单位及企业单位的任一设定单位来设定多个店铺中成为所述设定的对象的店铺。
  • 数据处理装置存储介质
  • [发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板-CN202080073540.6在审
  • 二井谷美保;若林大士;山田健人;吉田和彦 - 信越半导体株式会社
  • 2020-10-08 - 2022-06-03 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种半导体基板的制造方法,通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层,而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板,至少包含以下工序:在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理,在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜;以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。由此,提供一种半导体基板的制造方法及半导体基板,即使在将设置于单晶硅基板与半导体单晶层之间的绝缘膜设置为氮化硅膜的情况下,也能够以简便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。
  • 半导体制造方法
  • [发明专利]研磨装置及研磨方法-CN201811597659.4有效
  • 山田健人;田中忠雄;中村正三;神头宏俊 - 信越半导体株式会社
  • 2018-12-26 - 2022-04-01 - B24B37/00
  • 本发明提供一种研磨装置,是为批次式,包含贴附有研磨布的定盘,中心滚筒及导引滚筒,以及支承晶圆且与上述二个滚筒为得以旋转地接触的顶轮,研磨装置在通过定盘的旋转而使顶轮旋转的同时,将以顶轮所支承的晶圆推靠在研磨布而进行研磨,其中顶轮将支承晶圆的底盘予以支承在下方,而在与上述二个滚筒为相对向的区域设置有一个以上的外周沟,以外周沟以外的对向区域与上述二个滚筒接触,或是上述二个滚筒,在与顶轮相对向的区域设置有一个以上的滚筒沟,以滚筒沟以外的对向区域与顶轮接触。
  • 研磨装置方法

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