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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置-CN202022053565.X有效
发明人：李钟海;徐洙莹;裴悠松 -专利权人： 山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置，包括：在进行直径2英寸至8英寸的碳化硅单晶体生长时，在坩埚上安装针对单晶体生长形态起到决定性作用的内部支撑管，为了能够对单晶体生长部分实现自由温度梯度调控，在此还设计安装了外部温度控制的高密度密封碳环，通过内部支撑管腔体的温度梯度变化结晶形态和品质也会有所不同；可以说用于结晶生长工艺中的温度梯度制作成本低廉且具有明显的效果，可以由此根据碳化硅单晶体生长的热应力和温度分布控制避免可能出现的晶体多型现象。另一方面，通过本方案还可使晶体生长部位保持要求的工艺温度标准，进而提升晶体生长的合格率。
用于碳化硅单晶体生长过程温度控制组装坩埚装置

[实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202022053597.X有效
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人： 山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

[发明专利]用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置-CN202010987508.0在审
发明人：李钟海;徐洙莹;裴悠松 -专利权人： 山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置，包括：在进行直径2英寸至8英寸的碳化硅单晶体生长时，在坩埚上安装针对单晶体生长形态起到决定性作用的内部支撑管，为了能够对单晶体生长部分实现自由温度梯度调控，在此还设计安装了外部温度控制的高密度密封碳环，通过内部支撑管腔体的温度梯度变化结晶形态和品质也会有所不同；可以说用于结晶生长工艺中的温度梯度制作成本低廉且具有明显的效果，可以由此根据碳化硅单晶体生长的热应力和温度分布控制避免可能出现的晶体多型现象。另一方面，通过本方案还可使晶体生长部位保持要求的工艺温度标准，进而提升晶体生长的合格率。
用于碳化硅单晶体生长过程温度控制组装坩埚装置

[发明专利]碳化硅单晶生长装置-CN202010987523.5在审
发明人：裴悠松;徐洙莹;李钟海 -专利权人： 山东国晶电子科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括：用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚，所述坩埚外周包裹有隔热层，所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区；在所述的碳化硅原料区，坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道；在所述的碳化硅单晶生长区，坩埚内腔中设置有石墨管，石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接，碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中，石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室；经加热，升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
碳化硅生长装置

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