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[发明专利]介孔二氧化硅颗粒及其生产方法-CN200410085102.4有效
发明人：福田健太郎;福永显治;山下博也 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：一种用于当表面活性剂存在于介孔中时，将介孔二氧化硅颗粒湿法粉化的方法，和具有平均颗粒直径为1微米或更小的介孔二氧化硅颗粒，其中，具有直径为2到50纳米的介孔的体积为0.7毫升/克或更高，并且介孔分布的几何标准偏差为2.0或更小。在以上方法中，能以高产率获得具有颗粒直径为亚微米级的介孔二氧化硅颗粒而不导致介孔显著的塌陷并且能通过使用普通的粉磨机高效地生产和通过使用水介质安全地生产。具有平均颗粒直径为1微米或更小的介孔二氧化硅颗粒可用作喷墨记录纸的吸墨剂、低介电膜、催化剂载体、分离剂、吸附剂和用于医药的药物载体。
二氧化硅颗粒及其生产方法

[发明专利]阴极-CN85108158.4无效
发明人： 山下博也;山本武志;吉本胜利 -专利权人：德山曹达株式会社
申请日： 1985-11-07 - 公布日： 1990-04-25 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：这是一种在导电性电极基体的表面设置了Ni含有量为25-29％(重量)的Ni-Sn合金之活性层的阴极。把这种阴极使用在发生氢气的电解过程中时，其氢过电压可以控制在显著低的数值上。所说的活性层是通过来自含有镍离子以及锡离子的镀液的共电析，或者是通过镍化合物以及锡化合物之混合物的热分解来形成的。
阴极