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[发明专利]一种光学倾角传感器及倾角检测方法-CN202310949420.3在审
发明人：王振国;尹海宏;宋长青;王志亮;李宏伟;杨永杰 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01C9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学倾角传感器及倾角检测方法，属于光学传感器领域。该光学倾角传感器包括待测工件、激光器、偏光镜、共振调制模块、聚光器和光电转换器，激光器用于产生单色入射光；偏光镜用于过滤所述单色入射光中s偏振单色光且让p偏振单色光通过；共振调制模块用于接收所述p偏振单色光照射在待测工件上形成的反射光并对反射光的强度进行调制生成反射光强度模拟信号；所述光电转换器用于将发射光强度模拟信号转换成数字信号。本发明解决了目前高精度光学传感器抗环境干扰信号能力差、非线性信号响应和光学传感器部件尺寸大的技术难题，实现在更小的器件尺寸上对待测工件的倾角的高精度抗干扰检测。
一种光学倾角传感器检测方法

[发明专利]线球状多孔过渡金属硫化物吸波薄膜的制备方法和应用-CN202310780328.9在审
发明人：王振国;尹海宏;宋长青;王志亮;李宏伟;杨永杰 -专利权人：南通先进通信技术研究院有限公司;南通大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：本发明公开了线球状多孔过渡金属硫化物吸波薄膜的制备方法和应用，属于微波信号屏蔽材料技术领域。所述制备方法包括如下步骤：(1)原料细化、(2)原料高压球磨、(3)脉冲电场形核生长控制、(4)过渡金属硫化物脱层处理、(5)退火处理；其中，脉冲电场形核生长控制方法通过控制过渡金属硫化物线球的平均直径、薄膜孔隙率实现了对吸波频段范围的有效扩展，克服了单一成分吸波材料吸波频段窄的困难与技术偏见，使单一的吸波材料兼具宽吸波频段范围和结构稳定性，以此解决多层复合材料或异质材料技术导致的工艺复杂、各层材料阻抗难以匹配的技术难点。
球状多孔过渡金属硫化物薄膜制备方法应用

[发明专利]一种二氧化铪纳米材料、正极片与钠碲电池-CN202310636536.1在审
发明人：王振国;尹海宏;宋长青;王志亮;李宏伟;杨永杰 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化铪纳米材料、正极片及钠碲电池，属于电池技术领域。所述二氧化铪纳米材料由二氧化铪纳米片相互交叉连接构成簇状结构；所述二氧化铪纳米片的晶体结构为正交晶系，所述二氧化铪纳米片的形状为圆形，片径为200～400nm，厚度为5～10nm，所述二氧化铪纳米材料用于正极片，所述正极片用于钠碲电池，所述二氧化铪纳米片的尺寸和厚度，可以有效提高钠碲电池性能，利用氢氧化钾溶解沉降法，进一步提升钠碲电池的性能和稳定性，通过合适的压实密度提高电池的循环稳定性。
一种氧化纳米材料正极电池

[发明专利]一种MCU（微控制器）-CN202310358132.0在审
发明人：宋长青;王敬时;周童;尹海宏;王志亮;巢凌逸 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种MCU（微控制器），MCU设置片内ROM，片内ROM存储有程序，程序执行以下方法：采集氨气传感器内的氨气敏感单元、湿度敏感单元、温度敏感单元的测量值；温度敏感单元的测量值用于对湿度感单元的检测值进行温度校正；采集湿度敏感单元的测量值，用于对氨气敏感单元的检测值进行湿度校正；通过温度——湿度——氨气浓度的逐级校正，使得最终输出的氨气浓度值更加精确。
一种 mcu 控制器

[发明专利]快速响应型温湿度传感器-CN202111539897.1在审
发明人： 尹海宏;周宇祥;刘岩;赵晨媛;印川;施天宇 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：一种快速响应型温湿度传感器，包括湿度敏感材料和柱形骨架盘、温度传感器、带片内ROM型MCU；骨架盘的四周均匀设置有多个深槽式空气流道，骨架盘设置有插孔，插孔用于固定设置温度传感器，温度传感器与微控制单元电连接，温度传感器用于测量所述温湿度传感器所处的环境温度，并由MCU进行湿度测量值的温度校正；MCU的片内ROM中存储有标准数据库，所述标准数据库包括有多条所述快速响应型温湿度传感器在不同温度T下的湿度敏感电阻R—湿度H曲线；MCU根据测量得到的温度值T、电阻值R，在标准数据库中查表，输出对应的湿度值H。
快速响应温湿度传感器

[发明专利]轮辐绕线式高感湿度传感器-CN202111504775.9在审
发明人： 尹海宏;周宇祥;施天宇;赵晨媛;印川 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：一种轮辐绕线式高感湿度传感器，所述湿度传感器包括湿度敏感绕线材料和轮辐绕线骨架盘；所述轮辐绕线骨架盘的圆周设置有辐射状均匀分布多个“T”形绕线骨架，所述湿度敏感绕线材料绕制在多个“T”形绕线骨架上，每两个相邻的“T”形绕线骨架之间的空间同时构成绕线限位槽和空气流道，且所述湿度敏感绕线材料绕制完成后，仍然留有利于空气流通的空间即空气流道，空气流道用于缩短湿度敏感绕线材料的吸湿响应时间和脱湿响应时间。
轮辐绕线式高感湿度传感器

[发明专利]用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置-CN202111458343.9在审
发明人：宋长青;王志亮;刘岩;豆飞娟;尹海宏;邵海宝;王敬时 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置，包括用于容置矩形衬底的腔体，腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴；第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料；第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度；第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置，避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
用于脉冲喷雾制造湿度传感器芯片装置

[发明专利]一种湿度传感器芯片的制造方法-CN202111384311.9在审
发明人：宋长青;王敬时;邵海宝;王志亮;刘岩;尹海宏;豆飞娟;周翔宇;赵晨媛 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
一种湿度传感器芯片制造方法

[发明专利]宽测量范围的电阻型湿度传感器-CN202111158676.X在审
发明人： 尹海宏;周宇祥;赵晨媛;王志亮;宋长青 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明揭示了一种宽测量范围的电阻型湿度传感器，在衬底上设置有湿度敏感材料和一对平行的电极，湿度敏感材料位于一对电极之间构成湿度敏感电阻，其特征在于：沿着电极的长度方向上，设置湿度敏感材料为非均匀分布，使得湿度敏感材料的电阻率—湿度特征曲线呈现逐渐变化；沿着电极的长度方向上，即由近端至远端，湿度敏感材料的电阻率—湿度特征曲线呈现逐渐变化，使得：不同位置处的湿度敏感材料具有不同的最佳感湿灵敏度。
测量范围电阻湿度传感器

[发明专利]硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料及其制备方法和应用-CN202211254294.1在审
发明人：王振国;尹海宏;宋长青;王志亮;李宏伟;杨永杰 -专利权人：南通先进通信技术研究院有限公司;南通大学
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料及其制备方法和应用，属于微波信号屏蔽材料技术领域。本发明硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料以硫化钴铌作为负载物附着在作为载体的手风琴状形貌多层Nb2C的层间和表面，形成表面修饰的稳定多层多孔隙材料结构，具有高导电性和化学稳定性，并且，制备方法简单有效，工艺步骤少，可重复性及产品纯度高。以硫化钴铌/碳化二铌复合吸波材料为主料、二甲基亚砜和羟乙基纤维素作为助溶剂和增稠剂制得的微波信号屏蔽涂层浆料，具有化学稳定性好，电磁屏蔽效能高、应用场景广泛等优点。
硫化碳化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种锂硫电池正极材料及其制备方法与应用-CN202010114700.9有效
发明人： 尹海宏;施天宇;赵晨媛;印川;王志亮;宋长青;秦琳;张振娟 -专利权人：南通大学
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于电池材料技术领域，公开了一种锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，制备方法包括：先把无水醋酸锌和硫代乙酰胺加入含有羧化多壁碳纳米管的去离子水中，通过剧烈搅拌，加热处理和用无水乙醇和去离子水反复洗涤后得到ZnS‑QDs/CNT复合材料，最后经熔融浸渍固硫制备ZnS‑QDs/CNT/S复合材料。本发明锂硫电池正极材料中，在一维纳米结构羧化多壁碳纳米管的内外表面均匀分布着硫化锌量子点，可以改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了穿梭效应问题，增强了电荷转移并加速了氧化还原动力学，提高了电池电化学性能。以本发明正极材料作为正极的锂硫电池具有优异的导电性能、电化学性能、良好的循环性能和倍率性能。
一种电池正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种苍耳状结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用-CN202210687047.4在审
发明人： 尹海宏;赵晨媛;周宇祥;王辅志;钱之润;吴云峰 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请属于锂硫电池正极材料制备技术领域，公开了一种苍耳状结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，制备方法包括：将偏钒酸铵和二水合草酸溶解在的GO溶液中，然后进行水热反应制备苍耳状VO2@rGO；之后加入ZnSe QDs悬浮液制备ZnSe‑VO2@rGO；最后与硫粉经熔融法制备ZnSe‑VO2@rGO/S。本发明正极材料应用于锂硫电池中，能改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了锂硫电池中的穿梭效应问题，提高了锂硫电池电化学性能。
一种苍耳结构电池正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有三明治层状结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用-CN202210569524.7在审
发明人： 尹海宏;周宇祥;赵晨媛;吴云峰;王辅志;钱之润 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请公开一种具有三明治层状结构的锂硫电池正极材料及其制备方法与应用，属于锂硫电池正极材料制备技术领域，将六水合氯化钴和氨三乙酸溶解在去离子水中，通过第一次水热反应得到硒化钴碳纳米线前驱体；之后前驱体与葡萄糖溶解在去离子水中，通过第二次水热反应得到钴碳纳米线；之后在管式炉内钴碳纳米线进行硒化得到硒化钴碳纳米线；之后与氧化石墨烯进行水热反应得到三明治层状CoSe2‑CNWs@rGO;之后与硫粉经熔融法制备CoSe2‑CNWs@rGO/S复合材料。本发明正极材料应用于锂硫电池中，能改善锂硫电池的循环稳定性能和倍率性能，同时抑制了锂硫电池中的穿梭效应问题，提高了锂硫电池电化学性能。
一种具有三明治层状结构电池正极材料及其制备方法应用

[发明专利]快速介电温谱测试方法-CN202110531565.2有效
发明人： 尹海宏;周宇祥;施天宇;赵晨媛;邵海宝;邓洪海;黄静;秦琳;张振娟 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：在本发明中，使介电测试环境的温度按照设定的升温速率而随时间线性升高，阻抗测试仪持续地以设定的频率对待测试样进行介电测试，变温测试箱中的温度传感器的测量数值、阻抗测试仪的介电测试数据通过连接线传输至计算机，由计算机进行存储和后期分析，测试数据保存为数据文件；然后标定当次测试的温度传感器测试温度与待测试样的实际温度之间的差值；数据文件中的每一个温度测量值扣除温度传感器测试温度与待测试样的实际温度之间的差值后，得到待测试样的实际温度，最终得到待测试样在设定频率下的实际的介电温谱。本发明的方法极大地缩短了测试时间。
快速介电温谱测试方法

[发明专利]无存储模块的湿度传感器芯片-CN202110531383.5有效
发明人： 尹海宏;施天宇;王志亮;宋长青;印川;赵晨媛 -专利权人：南通大学
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种无存储模块的湿度传感器芯片，该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻（湿敏电阻）结构，湿度敏感材料作为湿度敏感电阻（湿敏电阻）的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。
存储模块湿度传感器芯片

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