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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种集成电路裸片上样的方法及其应用-CN202310759392.9在审
发明人：尚跃;张振栖 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路裸片上样的方法及其应用，所述方法包括以下步骤：将金属板固定在操作盘上，之后在金属板表面滴上粘附剂，并将粘附剂引导成一条粘附剂直线，之后将集成电路裸片放置于粘附剂直线一侧，并推到粘附剂直线上，之后干燥粘附剂，即完成裸片上样。本发明提供的集成电路裸片上样方法裸片固定能力强，不易脱落，同时对于裸片外观没有明显影响。
一种集成电路裸片上样方法及其应用

[发明专利]一种集成电路堆叠芯片的封装方法及装置-CN202310411547.X有效
发明人：尚跃 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路堆叠芯片的封装方法及装置，该封装方法分别制备包括单元控制芯片和第一LED芯片的第一封装子单元和包括第二LED芯片的两个第二封装子单元，再将两个第二封装子单元分别封装于第一封装子单元的相对侧面上，形成U型显示结构，最后通过向U型凹槽内添加封装胶得到最终的显示封装单元。本方法将两个第二LED芯片立式排布于第一LED芯片的两侧，不再将三个LED芯片在同一水平面排开，节约了显示封装单元在水平方向上的空间占用量，缩小了显示器中的单个像素的水平尺寸，有利于提高显示器中像素密度。
一种集成电路堆叠芯片封装方法装置

[发明专利]一种芯片可靠性测试方法及装置-CN202310250834.7有效
发明人：尚跃 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片可靠性测试方法及装置，涉及半导体制造领域。该方法应用于芯片可靠性测试装置，芯片可靠性测试装置包括温度循环测试箱和待测试封装芯片，温度循环测试箱包括温度测试腔和可旋转隔热板。该方法包括：将待测试封装芯片安装于可旋转隔热板的安装面；周期性地将可旋转隔热板旋转到第一状态或第二状态直至旋转次数达到预设值；其中，可旋转隔热板在旋转到第一状态时待测试封装芯片被旋转到高温测试腔，可旋转隔热板在旋转到第二状态时待测试封装芯片被旋转到低温测试腔；对待测试封装芯片进行电路性能测试。该方法能够提升芯片在切换高温环境和低温环境时的切换效率，并且提升芯片的可靠性数据的准确程度。
一种芯片可靠性测试方法装置

[发明专利]一种引线键合结构的切割方法及切割辅助装置-CN202310558764.1有效
发明人：尚跃;刘壮壮 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种引线键合结构的切割方法及切割辅助装置，引线键合结构包括至少一条目标切割引线，目标切割引线包括至少一个焊点；引线键合结构包括至少一个第一基准侧面；切割方法包括：确定目标切割引线所在平面与引线键合结构中第一基准侧面的夹角；根据目标切割引线所在平面与引线键合结构中第一基准侧面的夹角，将引线键合结构固定于一基座上；沿第一平面切割引线键合结构形成第一切割面。本发明实施例解决了现有引线键合结构的切割方式形成的截面无法同时观察引线上多个位置的状态的问题，提升了工作效率；降低了因引线与截面存在较大的角度导致切引线搭连时的风险，提高了成功率。
一种引线结构切割方法辅助装置

[发明专利]一种集成电路多芯片联合测试方法及装置-CN202310462571.6有效
发明人：尚跃 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路多芯片联合测试方法及装置，该方法将传统的显示封装单元拆分为包含LED芯片的第一显示封装子单元和包含单元控制芯片的第二显示封装子单元，分别进行检测以降低坏点的更换成本。通过压电陶瓷层的压电效应检测第一显示封装子单元，整个检测过程仅需要对准按压后观察LED芯片是否点亮即可，操作简单，大大提高了检测效率。通过同一块LED晶圆块对第二显示封装子单元中单元控制芯片的各个控制引脚进行检测，同样提高了检测效率。
一种集成电路芯片联合测试方法装置

[发明专利]一种芯片封装测试方法及装置-CN202310184301.3有效
发明人：尚跃 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种芯片封装测试方法及装置，涉及半导体制造领域。该方法应用于芯片封装测试装置。其中，该方法包括：获取N个第一安装接脚与待测试封装芯片的引脚的第一连接方式；根据第一连接方式，确定N个跳线接脚与M个测试接口之间的第二连接方式；根据第二连接方式将N个跳线接脚与M个测试接口进行跳线连接；将测试机与M个测试接口中的一个或多个测试接口连接；利用测试机对安装在第一芯片安装区的待测试封装芯片进行测试。该方法能够提升芯片封装测试效率，降低成本。
一种芯片封装测试方法装置

[发明专利]一种QFN封装芯片的切割分离方法-CN202310364858.5在审
发明人：尚跃;陈秋义 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种QFN封装芯片的切割分离方法，所述QFN封装芯片的切割分离方法包括如下步骤：(1)确定所述QFN封装芯片内部晶圆的位置；(2)采用激光分离所述QFN封装芯片的塑封体，后处理后完成所述QFN封装芯片的切割分离。本发明提供的QFN封装芯片的切割分离方法操作简单，极大的节省了操作时间，降低了操作成本，提高了切割分离的成功率；且规避了试剂的使用，排除了试剂流动性不可控的因素。
一种 qfn 封装芯片切割分离方法

[发明专利]一种芯片失效分析方法及装置-CN202310429737.4有效
发明人：尚跃 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片失效分析方法及装置，该方法从垂直LED芯片磊晶中切出坏点芯片后去除生长基板，得到待分析芯片；将待分析芯片放置于由四块幕布围成的暗腔内，向待分析芯片施加电压，根据各个滑动幕布的投影画面判断待分析芯片的缺陷位置；将待分析芯片放置于由三块幕布和一块平板光源围成的暗腔内，点亮平板光源以照射待分析芯片，根据各个滑动幕布的投影画面判断待分析芯片的缝隙位置。本方法较为全面地对待分析芯片的失效原因进行的分析，有利于技术人员对待分析芯片的制作步骤进行反思和改进。
一种芯片失效分析方法装置

[发明专利]一种SOT芯片的热点定位方法及其制样方法-CN202310627897.X在审
发明人：尚跃;俞嘉祺;陈秋义 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT芯片的热点定位方法及其制样方法，所述制样方法包括如下步骤：（1）在所述SOT芯片的四周设置保护层，得到设有保护层的SOT芯片；（2）采用抛光将所述设有保护层的SOT芯片中晶背面对应位置的保护层、基岛铜片和银浆依次去除，暴露出晶粒的晶背面，得到抛光后的SOT芯片；（3）去除所述抛光后的SOT芯片的保护层；（4）将去除保护层后的所述SOT芯片固定在印制电路板上；根据原有管脚的设置对所述SOT芯片的键合线头进行打线引出连接铜框架，得到待热点定位的SOT芯片样品。本发明所述制样方法针对SOT芯片的制样成品率高。
一种 sot 芯片热点定位方法及其

[发明专利]图像处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310213553.4有效
发明人：尚跃;丁琪 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像处理方法、装置、电子设备及存储介质。该方法包括：获取包括目标对象的待使用概貌图；确定待使用概貌图中至少两个待触发点位在第一坐标系下的待使用位置；基于各待使用位置、待使用概貌图的图像属性、以及与目标对象相对应的至少一个图像补全信息，确定至少一个图像补全信息在第一坐标系下的待采集位置；控制目标电镜移动至各待采集位置，以得到在相应待采集位置下所对应的待使用补图图像；基于各待使用补图图像以及待补全图像，确定目标补全图像。解决了现有技术中重复对芯片进行图像采集，导致图像采集效率低、质量差的问题，实现自动化采集补图图像，达到提高图像采集的便捷性，提高图像质量的效果。
图像处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种可抽吸材料加热装置及其加热方法-CN202111385439.7在审
发明人：胡硕;尚跃;王维维;童福强;秦宁;张丽;邓波 -专利权人：贵州中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种可抽吸材料加热装置，可抽吸材料加热装置为烟斗形，包括：烟钵；支撑部，设置于烟钵内；至少两个加热片，加热片安装于所述支撑部上并将支撑部上方分隔为至少两个加热区域，加热区域用于容纳可抽吸材料；控制单元，与各加热片电连接，用于分别控制各加热片进行加热。本发明无需配备特制的烟支或可抽吸材料，即可实现抽吸过程中烟气前后释放一致，延长抽吸时长的效果，结构简单，适用范围广。本发明还提供了一种基于上述可抽吸材料加热装置的加热方法。
一种抽吸材料加热装置及其方法

[发明专利]集成电路芯片的电容增加方法和电容增加结构-CN202310139397.1有效
发明人：尚跃;李豪 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片的电容增加方法和电容增加结构。该集成电路芯片的电容增加方法用于在集成电路芯片的第一金属和第二金属之间增加电容，所述电容包括第一极板和第二极板；所述电容增加方法包括：对所述集成电路芯片进行刻蚀以使所述第一金属露出；沉积第一导线，以使所述第一导线端部与所述第一金属电连接；使所述第一导线背离所述第一金属的端部与所述第一极板电连接；对所述集成电路芯片进行刻蚀以使所述第二金属露出；沉积第二导线，以使所述第二导线的一端与所述第二金属电连接，且另一端与所述第二极板电连接。通过采用上述方案，解决了现有的电容增加方法步骤繁琐，导致集成电路芯片的芯片验证效率较低的问题。
集成电路芯片电容增加方法结构

[发明专利]一种图像校正方法、装置、电子设备及其存储介质-CN202310207689.4在审
发明人：尚跃;王治文 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像校正方法、装置、电子设备及其存储介质。方法包括：获取模板对象的扫描图像，模板对象中包括多个均匀分布的标记点；提取扫描图像中标记点的观测位置信息；基于扫描图像中的中心区域确定标记点的分布间距，并基于标记点的分布间距确定标记点的实际位置信息；基于各标记点的实际位置信息和观测位置信息确定校正矩阵，校正矩阵用于对目标对象的扫描图像进行校正处理。本方案通过对扫描电镜下集成电路图像确定失真校正点的位置和尺寸和失真校正点的理想不失真位置和尺寸，以及理想不失真图像和失真图像之间的映射关系，解决了扫描电镜成像的过程存在的透镜畸变等问题，提高了图像校正的高效性。
一种图像校正方法装置电子设备及其存储介质

[发明专利]一种集成电路失效分析中去除红胶塑封料且完整保留铜线的DECAP方法-CN202211169648.2在审
发明人：尚跃;刘杨 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路失效分析中去除红胶塑封料且完整保留铜线的DECAP方法，对完整塑料封装器件进行物理开封后，使用硫酸硝酸混合溶液和无水乙二胺与红胶塑封料进行交替反应，提高反应速率，缩短去封装的时间，减少混酸对铜线的腐蚀。无水乙二胺与红胶的酚醛类物质发生反应，可以改变红胶的致密结构，帮助混酸更快地腐蚀红胶。
一种集成电路失效分析去除塑封完整保留铜线 decap 方法

[发明专利]一种塑封体腐蚀液以及使用其进行塑封体开盖的方法-CN202211283884.7有效
发明人：尚跃;刘臻 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种塑封体腐蚀液以及使用其进行塑封体开盖的方法，所述方法包括：步骤S1：对待开盖的红胶塑封体进行镭射；步骤S2：加热所述红胶塑封体至反应温度，吸取试剂A并滴加于红胶塑封体的开盖区域内，使试剂A在所述开盖区域内与所述红胶塑封体充分反应；步骤S3：吸取试剂B并滴加于红胶塑封体的开盖区域内；步骤S4：将红胶塑封体浸没于丙酮中；步骤S5：取出红胶塑封体，重复步骤S2到步骤S4，直至红胶塑封体开盖区域的芯片完全裸露。本申请能够解决现有技术中红胶塑封体的开盖周期长，键合线易断裂的问题。
一种塑封腐蚀以及使用进行体开盖方法

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