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[发明专利]一种便携式太阳能电池包及制造工艺-CN201610076629.3有效
发明人：吉心紫;任宇航;董侃 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种便携式太阳能电池包及制造工艺。解决现有技术中电池包不便于折叠，厚度较厚，体积较大，携带不方便的问题。电池包包括布料层，在布料层上间隔排布有若干导线串联的电池单元，电池单元与布料层之间设置有EVA胶膜层，电池单元、EVA胶膜层和布料层通过层压连接成一体。层压采用三段层压工艺。本发明的优点是采用布料作为电池包底层，并将太阳能电池单元通过层压工艺整体粘连在布料层上。能对电池单元进行多次折叠，而且折叠后厚度薄，占用体积更小，携带更方便。将电池单元通过层压整体连接在布料上，连接牢固不易脱落，且具有韧性，增加电性能。
一种便携式太阳能电池制造工艺

[发明专利]一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法-CN201310212222.5有效
发明人：任宇航;来冠华;罗派峰;盛伟明 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，将毫米级别的CuInGa金属粉末和研磨助剂混合成粉剂装入玛瑙罐，加入直径为2‑5mm的玻璃珠若干，用挡板封住玛瑙罐的罐口，用带电机的搅拌头伸入玛瑙罐以1000rpm至1500rpm的转速搅拌研磨5至10小时，研磨获得微米级别的CuInGa粉体。本发明可有效解决Cu、In、Ga为主体的合金粉末和磨球的浸润性问题，研磨效率更高，可有效减少Fe、Cr等杂质元素污染CuInGa粉体。
一种搅拌处理 cuinga 方法

[实用新型]太阳能地埋灯控制结构-CN201520445195.0有效
发明人：任宇航;虞贤彬;项春意;任宇珂 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种太阳能地埋灯控制结构，包括作为发电组件的太阳能电池板、电源管理模块、若干个超级电容和发光器件，所述的超级电容两端分别连接太阳能电池板、电源管理模块，电源管理模块和发光器件电连接。本实用新型利用太阳能和超级电容，可延长地埋灯的使用寿命，节能环保、节约成本，且适用于不同亮度需求的场合。
太阳能控制结构

[实用新型]一种用于屋顶建筑一体化的光伏瓦-CN201420013852.X有效
发明人：任宇航;汤杰虎;左凯锋;李龙;吴文涛 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： E04D13/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于屋顶建筑一体化的光伏瓦，所述光伏瓦为Z型结构，包括瓦片基板(1)、光伏发电模组(2)和接线盒(3)；所述光伏发电模组(2)固定在所述瓦片基板(1)的正面，所述接线盒(3)固定安装在所述瓦片基板(1)的背面，所述光伏发电模组(2)引出的导线接入到所述接线盒(3)中；并且，所述瓦片基板(1)的左侧设置有用于与相邻光伏瓦连接和定位的第一扣合部(4)；所述瓦片基板(1)的右侧设置有用于与相邻光伏瓦连接和导水的第二扣合部(5)。该用于屋顶建筑一体化的光伏瓦，具有安装和施工方便、成本低、防水性强以及屋面美观的优点。
一种用于屋顶建筑一体化光伏瓦

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法-CN201210189541.4有效
发明人：任宇航;任宇珂 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法，在玻璃基底、不锈铟基底或柔性基底上沉积Mo金属背电极层；铜铟镓硒光吸收层的制备；对铜铟镓硒光吸收层进行碱金属元素掺杂沉积；对沉积后形成的碱金属薄膜进行热处理，以使碱金属渗入铜铟镓硒晶界，并改善其晶界特性；碱金属残留物清洗；在碱金属残留物清洗后的铜铟镓硒薄膜层上沉积CdS、ZnS或InS缓冲层；沉积高阻i-ZnO层和ZnO:Al窗口层，以形成铜铟镓硒太阳能电池。本发明退火后，碱金属渗入不会影响其晶格生成；碱金属渗透入铜铟镓硒光吸收层后，在提高开路电压的同时，可大幅提高填充因子，并提高电池光电转化效率。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法

[发明专利]基于球磨工艺的非晶态CIGS纳米粉体的制备方法-CN201310287806.9有效
发明人：任宇航;罗派峰;来冠华;盛伟明 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B02C17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于球磨工艺的非晶态CIGS纳米粉体的制备方法，将待磨粉体、磨珠、研磨液及研磨助剂混合后加入行星式球磨罐中，密封装入行星式球磨机的罐座且固定，以250转/分至500转/分的转速研磨2至10小时，得到初磨粉体；将初磨粉体、磨珠、研磨液及研磨助剂混合后添加到高能摆振球磨罐中并安装在高能摆振球磨机上，采用间歇式研磨，即以1000转/分至1500转/分的转速研磨0.5至4小时后冷却0.5至1小时，如此循环2至8次，得到粒径小于1微米的CIGS纳米粉体。本发明制备的CIGS纳米粉末粒径为几百纳米，且粒径分布较窄，可应用于非真空法CIGS薄膜电池吸收层的制备；制备采用湿法球磨，比较经济，过程较为稳定，涉及的仪器设备较为常用。
基于磨工晶态 cigs 纳米制备方法

[发明专利]一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法-CN201210588786.4无效
发明人：任宇航;孙持凡;沈凯;陈宁 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种黄铜矿结构纳米粒子的制备方法，在一种液体溶剂中加入一种助剂、至少一种硫醇以及至少一种盐类化合物，助剂为路易斯碱，在隔绝空气的反应容器内，将得到的溶液加热，加热温度为100-300℃，加热时间为1.5-3小时，使得单源前驱体受热分解生成若干个黄铜矿结构的纳米粒子，通过离心将纳米粒子与液体溶剂分离，将附着物去除并干燥。本发明可以减少反应时间，降低反应温度，重复性好，更加环保，产量更高，使多种形式的单源前驱体及单源前驱体前共聚物得以有效应用，能更大限度减少产品缺陷，控制成本，表现更高的效率。
一种黄铜矿结构纳米粒子制备方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺-CN201310289268.7无效
发明人：任宇航;孟振华;罗派峰;郭勤勤;邹以慧 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺，包括玻璃衬底、Mo氧化层、内层Mo薄膜和外层Mo薄膜，所述的Mo氧化层贴合在玻璃衬底上，所述的内层Mo薄膜贴合在Mo氧化层上，所述的外层Mo薄膜贴合在内层Mo薄膜上，通过洗涤、制备Mo氧化层、制备内层Mo薄膜和制备外层Mo薄膜四个步骤来制备。本发明具有鱼鳞状结构，很适合CIGS吸收层生长，对玻璃的附着力极好，无针孔现象，使用百格法测试，无脱落，另外方块电阻最低可达0.16Ω，完全符合作为背电极的电阻要求。
铜铟镓硒太阳电池电极 mo 薄膜及其制备工艺

[发明专利]基于三碘化铯锡的光波导荧光聚光结构及其制备方法-CN201310025173.4有效
发明人：任宇航;沈凯;张进 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三碘化铯锡的光波导荧光聚光结构，包括基片、镜面反射层、内层分光薄膜、三碘化铯锡层和外层分光薄膜，所述的镜面反射层设置在基片上，所述的内层分光薄膜设置在镜面反射层上，所述的三碘化铯锡层设置在内层分光薄膜上，所述的外层分光薄膜设置在三碘化铯锡层上，三碘化铯锡层由三碘化铯锡或三碘化铯锡的衍生化合物组成，并公开了其制备方法。本发明吸收宽频太阳光后放出单一波长的荧光，传输至异地太阳能电池转化可得到低成本和较高光电转化效率的新型太阳能电池，可简化太阳能电池本地装置，更高效，更稳定，使用寿命更长。
基于碘化波导荧光聚光结构及其制备方法

[发明专利]基于三碘化铯锡的荧光聚光太阳能电池及其制备方法-CN201310025175.3有效
发明人：任宇航;沈凯;张进 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三碘化铯锡的荧光聚光太阳能电池，荧光聚光太阳能电池包括太阳能电池片、三碘化铯锡层和分光薄膜，所述的三碘化铯锡层设置在太阳能电池片上，所述的分光薄膜设置在三碘化铯锡层上，三碘化铯锡层由三碘化铯锡或三碘化铯锡的衍生化合物组成，并公开了其制备方法。本发明可通过改变各种光波导合成和匹配参数等条件来优化光吸收和反射的各种光电参数，使普通太阳能电池光电转化效率得到进一步提升，更高效，更稳定，使用寿命更长。
基于碘化荧光聚光太阳能电池及其制备方法

[发明专利]铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池生产过程中产生的CdS废液回收利用方法-CN201210378807.X有效
发明人：任宇航;罗派峰;王义;陈宁 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池生产过程中产生的CdS废液回收利用方法，包括以下步骤：（1）滤除废液中的硫化镉CdS；（2）氧化处理；（3）活性炭过滤器吸附；（4）离子交换吸附；（5）监控经离子交换吸附后的废液；（6）蒸发浓缩。本发明的有益效果是将铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池生产过程中产生的大量含CdS颗粒的工业废水，经过二级过滤、氧化处理、活性炭吸附、离子交换、背渗透及蒸发浓度等多级连续废液处理工艺，实现了含镉工业废液零排放，可有效节约工业用水，处理装置中的过滤膜及离子交换剂等定期回收更换，可有效降低废液处理中的能耗。
铜铟镓硒 cigs 薄膜太阳电池生产过程产生 cds 废液回收利用方法

[实用新型]制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置-CN201220124624.0有效
发明人：任宇航 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置，包括：进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统；所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管，所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管，所述硒化炉的腔体安装有第三石英管，所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。因此，可以分别精确控制等离子体气源和硒化的参数，实现了高质量CIGS薄膜材料的低温生长，还具有硒化装置结构设计简单、易清洗、安全以及最终得到的CIGS薄膜的均匀性好的优点，因此适用于CIGS薄膜太阳能电池的工业化大规模生产。
制备铜铟镓硒薄膜等离子体协助化装

[发明专利]一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置-CN201110406154.7有效
发明人：罗派峰;任宇航;黄治 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化工艺及装置，采用热蒸发Se结合PECVD装置作为独立的等离子体气源系统，同时搭配加热源采用电阻丝加热或卤光灯光照加热的硒化炉对铜铟镓硒前驱体薄膜进行硒化，等离子体气源系统和硒化炉结合部采用热丝管连接以保持等离子体反应活性。
一种制备铜铟镓硒薄膜等离子体协助化工装置

[实用新型]一种提高太阳能电池光电转化效率的结构-CN201020614902.1有效
发明人：任宇航 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用在太阳能发电技术领域的提高太阳能电池光电转化效率的结构，该结构通过光谱分割片对选定的光谱范围来实现最佳的透射和反射，从而实现不同的太阳能电池工作在特定的光谱范围中。本实用新型的结构十分简单，成本较低，便于实现大规模生产，解决了现有技术中存在的利用多结太阳能电池提高光电转换效率带来的成本高、晶格和电流不易匹配、且不可实现不同材料太阳能电池的任意组合的问题。
一种提高太阳能电池光电转化效率结构

[发明专利]一种提高太阳能光电转化效率的方法及结构-CN201010547338.0有效
发明人：任宇航;任宇珂 -专利权人： 尚越光电科技有限公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高太阳能光电转化效率的方法及结构，其特征在于：通过将太阳光分割为不同频谱范围的光束，针对不同频谱范围的光束使用相应材料的太阳能电池分别进行光电转化，利用不同材料的太阳能电池对某个频谱范围的光束转化率较高的性质，充分利用太用光的各个频谱范围内的光子以提高光电转化效率。本发明可以实现太阳能电池的高光电转化效率，而且低成较本，便于实现大规模生产。
一种提高太阳能光电转化效率方法结构

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