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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体器件的制作方法-CN202210318003.4在审
发明人： 寇新秀;孟昭生 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，在形成半导体器件的工艺流程中引入对低k介质层进行疏水化处理的步骤，利用具有疏水基团的反应气体与低k介质层表面的亲水基团进行反应，将低k介质层表面的亲水基团替换为疏水基团，使得低k介质层表面形成疏水材料层，一方面能够大大降低介质层的吸水性，避免介质层的k值出现漂移，从而保证半导体器件的稳定性；另一方面，亲水基团被反应气体中含有碳氧双键的疏水基团替换，由于碳氧双键具有较大的键能，因此能够大大提高介质层的抗变形能力，提高半导体器件的可靠性。另外，本发明提供的半导体器件的制作方法操作简单、成本低廉，制作过程中没有引入杂质原子，节省了制作成本，提高了制作效率。
一种半导体器件制作方法

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