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[发明专利]连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材-CN201610887505.3有效
发明人： 宫永伦正;内原武志;沼野正祯;大石幸广;河部望 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：本发明涉及连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材。本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴1)包含具有许多孔的多孔体2和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体2中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。
连续铸造喷嘴方法材料镁合金卷材

[发明专利]镁合金、镁合金板、镁合金构件和镁合金的制造方法-CN201580049782.0在审
发明人：大石幸广;河部望;宫永伦正;弘荣介 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C22C23/02 文献下载
摘要：一种镁合金，其含有以质量％计1％以上且12％以下的Al和0.1％以上且5％以下的Mn并且具有含有Al和Mn的化合物的粒子分散在其中的结构。所述化合物的粒子的平均粒径为0.3μm以上且1μm以下，并且所述化合物的粒子的面积比例为3.5％以上且25％以下。
镁合金构件制造方法

[发明专利]卷材及其制造方法-CN201510023390.9有效
发明人：沼野正祯;宫永伦正;内原武志;大石幸广;河部望 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C22F1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(1)卷绕即将开始时的温度T(℃)控制在如下温度，并利用卷取机对所述板材(1)进行卷绕，在该温度下由板材(1)的厚度t和弯曲半径R(mm)表示的表面应变((t/R)×100)小于或等于所述板材(1)在室温下的伸长率。
卷材及其制造方法

[发明专利]复合材料、连续铸造用部件、连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材-CN201180027677.9有效
发明人： 宫永伦正;内原武志;沼野正祯;大石幸广;河部望 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料，所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴（1）)包含具有许多孔的多孔体（2）和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部位的至少一部分中包含的填充材料。包含在多孔体（2）中的填充材料是选自氮化物、碳化物和碳的至少一种。
复合材料连续铸造部件喷嘴方法材料镁合金卷材

[发明专利]卷材及其制造方法-CN201180003026.6有效
发明人：沼野正祯;宫永伦正;内原武志;大石幸广;河部望 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C22F1/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有助于提高高强度镁合金板的生产率的卷材和制造所述卷材的方法。关于通过将由金属形成的板材卷绕成圆筒形以制造卷材，从而制造卷材的方法，所述板材为从连续铸造机中排出的镁合金铸造材料，且其厚度t(mm)为7mm以下。在将板材(1)卷绕即将开始时的温度T(℃)控制在如下温度，并利用卷取机对所述板材(1)进行卷绕，在该温度下由板材(1)的厚度t和弯曲半径R(mm)表示的表面应变((t/R)×100)小于或等于所述板材(1)在室温下的伸长率。
卷材及其制造方法

[发明专利]制造氮化物半导体晶体的方法、氮化物半导体晶体以及制造氮化物半导体晶体的装置-CN201080002639.3有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;山本喜之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了制造氮化物半导体晶体的方法，其中实施下列步骤。首先，准备在内部配置源材料(17)的坩埚(101)。然后，在所述坩埚(101)内，通过加热和升华所述源材料(17)而淀积源材料气体，从而生长氮化物半导体晶体。在所述准备步骤中，准备由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属制成的坩埚(101)。
制造氮化物半导体晶体方法以及装置

[发明专利]制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底-CN200980134190.3有效
发明人：荒川聪;宫永伦正;樱田隆;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
制造氮化物衬底方法

[发明专利]制造氮化物半导体晶体的装置、制造氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体-CN201080002414.8有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置，其具有足够的耐久性且在从坩埚外部混入杂质方面受到抑制。本发明还公开了一种制造氮化物半导体晶体的方法以及氮化物半导体晶体。具体地，本发明公开了一种制造氮化物半导体晶体的装置(100)，其包含坩埚(101)、加热单元(125)和覆盖部件(110)。在所述坩埚(101)内部设置源材料(17)。在所述坩埚(101)的外围设置加热单元(125)，其中所述加热单元对所述坩埚(101)的内部进行加热。在所述坩埚(101)与所述加热单元(125)之间布置覆盖部件(110)。所述覆盖部件(110)包含第一层(111)和第二层(112)，所述第一层(111)被布置在面对所述坩埚(101)的侧上，并由熔点比所述源材料(17)的熔点高的金属形成，所述第二层(112)被布置在所述第一层(111)的外围侧上，并由构成所述第一层(111)的金属的碳化物形成。
制造氮化物半导体晶体装置方法

[发明专利]波长变换元件和制造波长变换元件的方法-CN200980128974.5有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;山本喜之;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
波长变换元件制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物晶体的制造方法及Ⅲ族氮化物晶体-CN200980127950.8无效
发明人： 宫永伦正;水原奈保;谷崎圭祐;佐藤一成;中幡英章;荒川聪;山本喜之;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向<1-100>方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。
氮化物晶体制造方法

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学部件-CN200980125958.0有效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
制造 al sub ga 方法光学部件

[发明专利]制造Al_xGa_(1-x)N单晶的方法、Al_xGa_(1-x)N单晶和光学透镜-CN200980125962.7无效
发明人：荒川聪;樱田隆;山本喜之;佐藤一成;谷崎圭祐;中幡英章;水原奈保;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。
制造 al sub ga 方法光学透镜

[发明专利]Al_xGa_1-xN单晶和电磁波透过体-CN200980119278.8无效
发明人：荒川聪;樱田隆;宫永伦正;谷崎圭祐;水原奈保;佐藤一成;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-05-25 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。
al sub ga 电磁波透过

[发明专利]制造Si_(1-v-w-x)C_wA1_xN_v衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si_(1-v-w-x)C_wA1_xN_v衬底以及外延晶片-CN200980114047.8有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;藤原伸介;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。
制造 si sub a1 衬底方法外延晶片以及

[发明专利]制造Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v衬底以及外延晶片-CN200980114395.5有效
发明人：佐藤一成;宫永伦正;藤原伸介;中幡英章 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法、制造外延晶片的方法、Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底以及外延晶片，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底易于加工且能实现处于混合晶体状态的Si(1-v-w-x)CwAlxNv晶体。所述制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底(10a)的方法包括下列步骤：首先，准备Si衬底(11)；然后，通过脉冲激光沉积法在所述Si衬底(11)上生长Si(1-v-w-x)CwAlxNv层(12)，其中0＜v＜1，0＜w＜1，0＜x＜1，且0＜v+w+x＜1。
制造 si sub al 衬底方法外延晶片以及

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