“宫崎裕二”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN201910440658.7有效
发明人： 宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制将多个开关元件并联连接的半导体装置的电流不平衡的半导体装置。该半导体装置的特征在于，具备：第1开关元件，其具有第1栅极、第1源极以及第1漏极，该第1源极经由第1连接线而与共通端子连接；第2开关元件，其具有第2栅极、第2源极以及第2漏极，该第2源极经由第2连接线而与该第1源极连接，经由该第1连接线和该第2连接线而与该共通端子连接，该第2漏极与该第1漏极连接；第1电容器，其将该第1源极和电源的高电压侧进行连接；第1电路元件，其一端连接至该电源的高电压侧和该第1电容器之间；以及第2电容器，其将该第2源极和该第1电路元件的另一端进行连接。
半导体装置

[发明专利]功率半导体模块以及电力转换装置-CN201880009366.1有效
发明人：堀口刚司;宫崎裕二;柳本辰则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种能够抑制振铃的小型的功率半导体模块以及电力转换装置。功率半导体模块具备：作为正极侧功率半导体元件的正极侧开关元件(16P)及正极侧续流二极管(17P)、作为负极侧功率半导体元件的负极侧开关元件(16N)及负极侧续流二极管(17N)、正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)、以及由形成有缓冲电路的绝缘基板(8)构成的缓冲基板。缓冲基板包含绝缘基板(8)和配置在该绝缘基板(8)的至少1个缓冲电路。缓冲基板配置在正极导体图案(3a)、负极导体图案(3b)、交流电极图案(3c)的至少任意一个上。
功率半导体模块以及电力转换装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201910844141.4有效
发明人：清水康贵;宫崎裕二;冈田一也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备：缓冲用基板(6)，其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上；缓冲电路(5)，其配置于缓冲用基板(6)之上，与P电极(2)以及N电极(3)电连接；以及半导体元件(8)，其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]电力用半导体模块、电子部件以及电力用半导体模块的制造方法-CN201880020955.X有效
发明人：柳本辰则;堀口刚司;中原贤太;宫崎裕二;清水康贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供一种能够抑制在开关元件的开关动作时产生的振铃、具有高可靠性的电力用半导体装置。电力用半导体模块具备半导体元件(204)、导体图案(203a、203d～203f)、缓冲电路、密封体(205)、作为中间构件的金属端子(306b)和作为接合件的钎焊接合部(211)。对导体图案(203a、203d～203f)连接有半导体元件(204)。缓冲电路(106)为电容器主体部(306a)与电阻器(210)串联连接而成的电路。密封体(205)密封半导体元件(204)、导体图案(203a、203d～203f、203h)、电容器主体部(306a)以及电阻器(210)。连接于电容器主体部(306a)的金属端子(306b)通过钎焊接合部(211)与导体图案(203e、203f)连接。
电力半导体模块电子部件以及制造方法

[发明专利]电力用半导体模块以及电力变换装置-CN201911352122.6有效
发明人：大开美子;中山靖;宫崎裕二;中武浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块以及电力变换装置。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
电力半导体模块以及变换装置

[发明专利]半导体装置-CN202110528850.9在审
发明人：益田明宜;宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：提供能够通过简单的结构而抑制彼此并联连接的多个半导体元件之间的寄生振荡的半导体装置。彼此并联连接的多个半导体元件(EL)包含多个第1半导体元件(EL1)以及多个第2半导体元件(EL2)。用于向多个半导体元件(EL)各自供给栅极信号的驱动电路(200)具有主电路(201)和包含第1插入电路(211)以及第2插入电路(212)的多个插入电路(210)。第1插入电路(211)被插入至主电路(201)与多个第1半导体元件(EL1)之间。第2插入电路(212)被插入至主电路(201)与多个第2半导体元件(EL2)之间。第1插入电路(211)以及所述第2插入电路(212)各自包含正向朝向主电路(201)的第1二极管(D1)和与第1二极管(D1)反向并联连接的第2二极管(D2)。
半导体装置

[发明专利]电力用半导体模块以及电力变换装置-CN201710535132.8有效
发明人：大开美子;中山靖;宫崎裕二;中武浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备：电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
电力半导体模块以及变换装置

[发明专利]电力用半导体模块以及电力变换装置-CN201380011905.2有效
发明人：大开美子;中山靖;宫崎裕二;中武浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够降低上下分支之间的电感的偏差、能够降低电感的偏差所引起的电流偏差的电力用半导体模块。本发明的电力用半导体模块100具备电路块(上下分支)101、102，将自消弧式半导体元件6串联连接而构成；正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，与电路块101、102连接；以及布线图案3、4，连接电路块101、102的自消弧式半导体元件6和正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，电路块101、102是多个，与多个电路块101、102对应地分别设置了多个正极端子11、负极端子12、以及交流端子10，多个正极端子11和多个负极端子12接近地配置。
电力半导体模块以及变换装置

[发明专利]驱动电路以及半导体装置-CN201410341859.9有效
发明人：田畑光晴;宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种驱动电路，其在MOSFET的截止开关动作中，能够在尽量不对其他动作带来影响的状态下减小di/dt。本发明所涉及的驱动电路(100)是对与主电流电路(6)连接的开关元件(1)进行驱动的驱动电路(100)，具有驱动部(20)，其对开关元件(1)的栅极施加接通、断开电压；共用电感器(7)，其配置于环路的开关元件(1)的源极侧、和驱动电路(100)所共用的配线部分，所述环路由主电流电路(6)和开关元件(1)形成；以及电容器(8)，其与共用电感器(7)相比位于驱动部(20)侧，连接在栅极‑源极往返线路间。
驱动电路以及半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210115290.5有效
发明人：中西英俊;宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够防止电源端子成为高温的半导体装置。本申请的发明涉及的半导体装置具备：绝缘衬底；金属图案，在该绝缘衬底之上形成；电源端子，固定在该金属图案之上；以及多个功率芯片，固定在该金属图案之上。而且，其特征在于，该多个功率芯片全部与该电源端子隔开与该电源端子热绝缘的距离。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200910175045.1无效
发明人：松本匡史;宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明提供对基板贯通孔的安装容易且适合小型化及低廉化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：端子外壳，在该端子外壳内部具有半导体元件；以及安装在该端子外壳上并与该半导体元件电连接的多个针形端子，该多个针形端子从该端子外壳的规定面沿与该端子外壳的外部相同的方向延伸，且长度均匀。又具有以下特征：具备安装在该端子外壳上的突出针形端子，该突出针形端子从该端子外壳的该规定面沿与该端子外壳的该外部相同的方向延伸，且比该多个针形端子还要突出。
半导体装置

[发明专利]功率元件的驱动电路-CN200780053618.2有效
发明人： 宫崎裕二 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：IGBT(10)的驱动电路(1)包含使用了第一～第四开关元件(Q1～Q4)的H电桥电路(80)。控制部(20)在接受到使IGBT(10)从导通状态转移到断开状态的指令时，从使第一、第四开关元件(Q1、Q4)为导通状态并且使第二、第三开关元件(Q2、Q3)为断开状态的第一状态，向使第一、第四开关元件(Q1、Q4)为断开状态并且使第二、第三开关元件(Q2、Q3)为断开状态的第二状态，切换各开关元件的状态。根据这样的驱动电路(1)的结构，能够以单一的电源(15)对IGBT(10)施加反偏压。
功率元件驱动电路

1
共 12 条