专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2020-11-17 公布专利
2020-11-13 公布专利
2020-11-10 公布专利
2020-11-06 公布专利
2020-11-03 公布专利
2020-10-30 公布专利
2020-10-27 公布专利
2020-10-23 公布专利
2020-10-20 公布专利
2020-10-16 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多晶硅棒及其制造方法和FZ硅单晶-CN201580076377.8有效
  • 日本- 信越化学工业株式会社
  • 2015-12-10 - 2019-11-15 - C01B33/02
  • 首先,从多晶硅棒的自中心(r=0)起至R/3为止的区域选取以与该多晶硅棒的径向垂直的截面作为主面的板状试样。然后,将所述板状试样配置于检测来自密勒指数面(111)的布拉格反射的位置。以使由狭缝决定的X射线照射区域在所述板状试样的主面上进行φ扫描的方式,使所述板状试样以其中心作为旋转中心、以旋转角度φ进行面内旋转,求出表示来自所述密勒指数面(111)的布拉格反射强度的所述板状试样的旋转角度依赖性的衍射图。计算出该衍射图中出现的峰部的面积Sp与所述衍射图的总面积St之比(Sp/St)。选择利用上述步骤评价的面积比Sp/St为2%以下的多晶硅棒。
  • 多晶及其制造方法fz硅单晶
  • [发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅-CN201580023889.8有效
  • 日本- 信越化学工业株式会社
  • 2015-04-24 - 2019-11-08 - C01B33/035
  • 在本发明中,暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒,然后将该多晶硅棒在750℃~900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验,利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力,而且,没有引起金属污染的风险,也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施,也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明,可以得到基于2θ‑sin2Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒,以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时,能够得到优质的单晶硅。
  • 多晶制造方法以及单晶硅
  • [发明专利]多晶硅-CN201610890923.8有效
  • 日本- 信越化学工业株式会社
  • 2013-06-13 - 2019-11-01 - C01B33/03
  • 本发明涉及多晶硅。具体地,本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
  • 多晶
  • [发明专利]树脂材料、乙烯树脂制袋、多晶硅棒、多晶硅块-CN201680045027.X在审
  • --- 信越化学工业株式会社
  • 2016-08-02 - 2018-04-17 - C08J7/00
  • 在本发明中,制造多晶硅时,一直使用下述的杂质表面浓度的树脂材料。以1重量%的硝酸水溶液作为提取液利用ICP质谱分析法进行定量分析而得到的值是磷(P)浓度为50pptw以下,砷(As)浓度为2pptw以下,硼(B)浓度为20pptw以下,铝(Al)浓度为10pptw以下,铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钠(Na)、锌(Zn)这6种元素的合计为80pptw以下,锂(Li)、钾(K)、钙(Ca)、钛(Ti)、锰(Mn)、钴(Co)、钼(Mo)、锡(Sn)、钨(W)、铅(Pb)这10种元素的合计为100pptw以下。
  • 树脂材料乙烯多晶

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