专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管基底的制造方法-CN200710152434.3无效
  • 李德重;宋大昊;金京燮;李庸懿 - 三星电子株式会社
  • 2007-10-12 - 2008-04-16 - H01L21/84
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)基底的制造方法,该方法包括:在基底上形成栅极绝缘膜和有源层;在有源层上形成包括第一金属层、第二金属层和第三金属层的数据金属层;在数据金属层上形成第一光致抗蚀剂图案;通过利用第一光致抗蚀剂图案对第三金属层进行干蚀刻;通过利用第一光致抗蚀剂图案对第二金属层和第一金属层同时进行干蚀刻;通过利用第一光致抗蚀剂图案对有源层进行干蚀刻;对第一光致抗蚀剂图案进行蚀刻以形成第二光致抗蚀剂图案,其中,通过第二光致抗蚀剂图案来去除沟道区;通过利用第二光致抗蚀剂图案对数据金属层的沟道区进行干蚀刻来形成源电极和漏电极。
  • 薄膜晶体管基底制造方法

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