“安徽钜芯半导体科技有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果38个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制备光伏模块二极管的方法和装置、光伏模块-CN202211103780.3在审
发明人：曹孙根;许波春;石小飞 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开是关于制备光伏模块二极管的方法和装置、光伏模块。该方法包括：向阴极引脚和阳极引脚喷涂胶水，并将焊锡膏粘贴到阴极引脚和阳极引脚的表面；将二极管芯粒放置到阳极引脚的焊锡膏之上，将焊锡膏粘贴到二极管芯粒的表面；将连接片分别放置到二极管芯粒表面的焊锡膏和阴极引脚表面的焊锡膏之上，得到二极管芯片组；按照预设条件对二极管芯片组进行高温焊接；清洗和烘干二极管芯片组并注塑封装，得到封装二极管；将封装二极管置入恒温环境内固化黑胶；清除封装二极管周围残留的黑胶；按照预设形状切割封装二极管并对二极管中裸露的阴极引脚和阳极引脚镀锡，得到光伏模块中的二极管。本实施例各步骤均可实现机械自动化，生产效率高，稳定性高。
制备模块二极管方法装置

[发明专利]二极管抑制二次雪崩的缓冲区域结构和二极管-CN202211103003.9在审
发明人：曹孙根;冯亚宁;陈松;吴博 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开是关于一种二极管抑制二次雪崩的缓冲区域结构和二极管。该二极管抑制二次雪崩的缓冲区域结构包括依次设置的阳极层、衬底层和阴极层；所述阴极层内设置有与所述衬底层贴合的缓冲层；所述缓冲层内包括多个缓冲区域；每个缓冲区域内材料与所述阳极层内材料相同，并且每个缓冲区域的掺杂浓度小于所述阳极层的掺杂浓度和大于所述衬底层的掺杂浓度。本实施例的方案中通过设置缓冲层可以在二极管的反向恢复过程发生雪崩时使多个缓冲区域内的空穴注入到衬底层，可以在较短时间内中和向阴极区迁移的大量电子，从而避免衬底层和阴极层之间出现二次雪崩，保证二极管可靠工作。
二极管抑制二次雪崩缓冲区域结构

[发明专利]一种高性能半导体整流芯片及其制备工艺-CN202211289838.8有效
发明人：曹孙根;张曹朋;冯亚宁 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能半导体整流芯片及其制备工艺，涉及半导体整流芯片技术领域，包括：对多晶硅/氮化硅/玻璃的复合钝化，在普通功率二极管钝化层中，引入与硅无晶格参数差的多晶硅层过渡层，用氮化硅作为保护层；制备低浓度深铝掺杂的P+/P‑/N‑/N+新型结构，杂质深度可控的铝掺杂层，形成新的P+/P‑/N‑/N+型结构，扩展PN结耗尽层宽度；反向快速恢复机制、多层掺杂浓度分布；在阳极底部(小于50微米)的本征N层制作多层P型埋层。采用离子注入的方法在硅中掺入重金属Pt，降低了大注入载流子复合寿命，利用形成的纳米空腔吸取Pt来提高其电活性浓度，缩短反向恢复时间，进而实现反向快速恢复。
一种性能半导体整流芯片及其制备工艺

[发明专利]一种功率器件的热沉导电片加工工艺-CN202211292648.1有效
发明人：曹孙根;许波春;石小飞 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的热沉导电片加工工艺，涉及热沉导电片技术领域，包括步骤S1、配制锡膏，将金属焊粉与助焊剂混合均匀后在真空搅拌机中机械混匀，制成锡膏，锡膏装入点胶装置中备用；步骤S2、将功率器件导电片装入框架载盘中，再将框架固定在载盘底板上，载盘底板随传动带运动，经过装有自动点胶的龙门架，通过点胶装置将锡膏覆盖在功率器件导电片上；步骤S3、将锡块装入锡块筛盘中，开启按钮，吸头自动吸取锡块，通过自动化龙门架和程序控制，自动将锡块放置在覆盖有锡膏的导电片上；步骤S4、将覆盖锡块的导电片放入回流焊炉中，在一定烧结温度下进行烧结，得到软焊料覆盖面积高于90％的热沉导电片。
一种功率器件导电加工工艺

[发明专利]一种高性能光伏模块芯片的加工工艺-CN202111597718.X有效
发明人：曹孙根;许波春;吴博;冯亚宁;陈松;张曹朋 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能光伏模块芯片的加工工艺，属于芯片技术领域。步骤一：刷胶；通过网板对铜框架料片进行刷胶；步骤二：扩晶，对晶圆进行扩晶得到晶粒并使用内外两个嵌套扩晶环固定晶圆；步骤三：固晶，通过抓取晶粒并将晶粒摆放到已刷胶的铜框架料片上；步骤四：点胶，使用软锡膏对每颗晶粒正中位置进行点胶；步骤五：加装跳线，裁剪跳线并将裁剪好的跳线放置到已点胶的晶粒上；步骤六：真空焊接，通过真空焊接炉将封装体和铜框架料片进行真空焊接封装作业；本发明解决了现有的旁路二极管加工效率低且精度差的问题，提高了旁路二极管的产品质量和加工效率。
一种性能模块芯片加工工艺

[发明专利]一种光伏模块结构及加工工艺-CN202111597721.1有效
发明人：曹孙根;许波春;吴博;冯亚宁;陈松;张曹朋 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏模块结构及加工工艺，涉及光伏模块领域，光伏模块包括材质均为铜的第一框架和第二框架、芯片、跳线以及用于保护封闭芯片和跳线的等结构的封装体，第一框架的右端设置第一凸起，第二框架的左端对应设置第二凸起，芯片设置在第二凸起上。光伏模块的加工工艺包括六个步骤。本发明能够解决现有的光伏模块工作时受外界湿度、温度等环境变化引起金属、非金属产生横向剪切力的问题，同时解决了芯片在工作中电子移动产生的热量无法充分散热问题效果差、以及光伏模块使用寿命短、成本较高、易封装失败和不便于后续的组装的问题。
一种模块结构加工工艺

[发明专利]一种提升光伏模块导热性能的封装结构-CN202211108000.4在审
发明人：曹孙根;丁忠军;林俊 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本发明涉及光伏模块技术领域，且公开了一种提升光伏模块导热性能的封装结构，包括硅电池片，该提升光伏模块导热性能的封装结构，通过采用将右导电极设置为在环氧塑封料完成塑封后为半露或者全露的状态，使得其中的芯片在大电流情况下产生的高热量能够加速从暴露在外的电极上进行散出，同时左导电极还可以设置为压扁折弯的结构，这样压扁折弯后的左导电极端不仅能够使得该端部的散热面积增大，同时大电流产生的高热量会使得内部左导电极瞬间膨胀，产生径向的热应力，而该热应力通过左导电极的压扁折弯处的微量形变来作为应力的释放点进行热应力释放，进而进一步提高能量的快速消耗散失，保护了功率器件内部的核心部件。
一种提升模块导热性能封装结构

[发明专利]一种光伏模块芯片的封装传动控制系统-CN202210351536.2有效
发明人：曹孙根;许波春;冯亚宁;吴博;张曹朋;陈松 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏模块芯片的封装传动控制系统，属于芯片封装技术领域，包括封装模块、检测模块、服务器，所述封装模块和检测模块均与服务器通信连接；服务器还通信连接有追踪模块、数据管理模块和分析模块；所述追踪模块用于对芯片的封装过程进行追踪，并将采集的封装监控数据上传到云端进行储存；所述数据管理模块用于进行数据采集管理，并获得分析数据，将分析数据发送给分析模块；所述分析模块用于对接收到的分析数据进行分析，具体方法包括：设置数据提取单元，所述数据提取单元内设有数据填充模板，通过数据提取单元对检测数据进行数据提取，将提取的数据填充到数据填充模板中，将填充完数据的数据填充模板标记为精选数据，将精选数据进行坐标化。
一种模块芯片封装传动控制系统

[发明专利]一种减小光伏模块芯片焊接空洞率的生产系统及方法-CN202210350760.X有效
发明人：曹孙根;许波春;冯亚宁;吴博;张曹朋 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小光伏模块芯片焊接空洞率的生产系统及方法，涉及芯片生产技术领域，包括芯片清洗模块、空洞率检测模块、生产分析模块和信号监测模块；芯片清洗模块用于对焊接好的半导体芯片进行清洗；空洞率检测模块用于采用X‑ray射线仪对清洗前后的半导体芯片背银层上的空洞率进行检测；芯片检验模块用于根据检测到的空洞率检测数据，判断对应半导体芯片是否合格；生产分析模块用于根据半导体芯片的合格情况，判断对应芯片焊接模块是否需要进行检修，以提高芯片焊接精度，减小芯片空洞率，从而提高产品合格率；信号监测模块用于对修正信号进行监测，判断是否需要对当前操作员进行轮换，防止因操作员状态不佳，影响芯片生产。
一种减小模块芯片焊接空洞生产系统方法

[实用新型]一种加强型光伏旁路二极管模块-CN202123280832.8有效
发明人：曹孙根;许波春;冯亚宁;张曹朋;陈松 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/044 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种加强型光伏旁路二极管模块，属于光伏组件技术领域。包括光伏模块一、连接架、与光伏模块一对称设置的光伏模块二，述光伏模块一包括第一主板、肖特基芯片、跳片、第二主板，所述第一主板右端设置芯片槽，所述芯片槽通过锡膏与肖特基芯片底部电连接，肖特基芯片顶部通过锡膏与跳片的一端连接，所述跳片的另一端与第二主板左端电连接；所述第一主板、第二主板、连接架冲压制成。本实用新型优化光伏旁路二极管模块内部结构，优化组件排列，增加同面积内组件数量，实现单面积内功率最大化、易于辨别极性，便于后续加工，同时安装方便、两边线向中间连接，减少线缆成本。
一种加强型旁路二极管模块

[实用新型]一种优化光伏旁路模块内部结构-CN202123307153.5有效
发明人：曹孙根;许波春;吴博;张曹朋 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型本实用新型涉及光伏模块组件生产技术领域，尤其涉及一种优化光伏旁路模块内部结构，包括第一框体、第二框体、芯片和跳线，所述芯片的一面通过焊锡连接到第二框体上，所述芯片的另一个面通过焊锡连接跳线一端，所述跳线的另一端涂有导电涂膏且焊接到第一框体上，所述第一框体和第二框体之间留有间隙，所述芯片和跳线的外部包裹有环氧树脂。采用上述光伏旁路二极管模块时，其芯片与框体集成为一体化模块，减少使用过程中的焊接工作，降低使用成本，另外减小了接线盒中所需要的安装空间，减少了铜材的使用量，降低了成本；并且在其中一个该种旁路模块损坏时，只需要更换损坏那一个即可，后期维护成本低。
一种优化旁路模块内部结构

[实用新型]一种降低光伏模块正向压降的跳线-CN202123306943.1有效
发明人：曹孙根;许波春;吴博;冯亚宁 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏模块组件加工技术领域，尤其涉及一种降低光伏模块正向压降的跳线，所述跳线包括第一水平段、第二水平段和第三水平段，所述第一水平段和第二水平段之间设置有第一倾斜端，所述第二水平段和第三水平段之间设置有第二倾斜端，所述第二倾斜段下侧底部设置有横向凹槽，所述第二水平段高于第一水平段和第三水平段，所述第三水平段高于第一水平段，所述第三水平段用导电涂膏与芯片焊接，所述第一水平段用导电涂膏与铜片焊接，所述第三水平段与芯片焊接处中心向下凸出设有焊接凸台，所述第一水平段焊接面焊接处设置有跳线锯齿，提高接触面积，显著降低了正向压降，减小了功率消耗与发热，提升了使用寿命。
一种降低模块正向跳线

[实用新型]一种半导体跳线-CN202120303966.8有效
发明人：曹孙根 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体跳线，涉及半导体领域，包括一体的第一工作部、第一衔接部、平台部、第二衔接部和第二工作部，所述第一工作部、平台部和第二工作部平行设置，所述第一工作部在前后方向的宽度大于第二工作部。本实用新型能够解决跳线与晶粒焊接时晶粒上的焊料焊接后易偏离晶粒中心、晶粒上易产生聚锡现象以及易产生产生后期“电性打火”失效和热电应力失效现象的问题。
一种半导体跳线

[外观设计]半导体跳线-CN202130077533.0有效
发明人：曹孙根 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体跳线。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于半导体器件内部焊接组装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
半导体跳线

[发明专利]一种半导体跳线-CN202110147042.8在审
发明人：曹孙根;许波春;冯亚宁 -专利权人： 安徽钜芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体跳线，涉及半导体领域，包括一体的第一工作部、第一衔接部、平台部、第二衔接部和第二工作部，所述第一工作部、平台部和第二工作部平行设置，所述第一工作部在前后方向的宽度大于第二工作部。本发明能够解决跳线与晶粒焊接时晶粒上的焊料焊接后易偏离晶粒中心、晶粒上易产生聚锡现象以及易产生产生后期“电性打火”失效和热电应力失效现象的问题。
一种半导体跳线

1
2
3
下一页»
尾页
共 38 条