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[发明专利]光电组件、半导体结构和方法-CN202080080564.4在审
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;斯特凡·伊莱克;费利克斯·费克斯;克里斯托弗·克伦普;因斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦;克里斯蒂安·伯格;阿纳·卡涅夫采 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括n型掺杂的第一层、掺杂有第一掺杂物的p型掺杂的第二层和布置在n型掺杂的第一层与p型掺杂的第二层之间并且具有至少一个量子阱的有源层。半导体结构的有源层被划分为多个第一光学有源区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域。在此，多个第一光学有源区域相互间隔开地布置成六边形图案。有源区域中的至少一个量子阱在至少一个第二区域中具有与在多个第一光学有源区域和至少一个第三区域中相比更大的带隙，其中，尤其通过量子阱混合改变带隙。至少一个第二区域包围多个第一光学有源区域。
光电组件半导体结构方法

[发明专利]微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法-CN202080023800.9在审
发明人：托尔斯藤·博姆海因里希;马丁·贝林杰;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;鲁斯·博斯;迈克尔·布兰德尔;彼得·布里克;让-雅克·德罗莱特;胡贝特·哈尔布里特;劳拉·克赖纳;埃尔温·朗;安德烈亚斯·勒贝尔;托比亚斯·迈尔;亚历山大·普福伊费尔;马克·菲利彭斯;延斯·里希特;托马斯·施瓦茨;保罗·塔;坦森·瓦格赫赛;王雪;塞巴斯蒂安·维特曼;茱莉亚·施托尔茨;卡斯藤·迪克曼;卡尔·恩格尔;齐格弗里德·赫尔曼;贝特霍尔德·汉;斯特凡·伊莱克;布鲁诺·延奇;科尔比尼安·佩尔茨尔迈尔;因斯·皮聪卡;安德烈亚斯·劳施;基利安· -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2020-01-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
微型发光二极管装置显示器及其方法

[发明专利]对包括ALGAINP-LED的半导体晶圆进行激光处理以提高其光产生效率的方法-CN202080041359.7在审
发明人：延斯·埃贝克;菲利普·克罗伊特尔;克里斯托夫·克伦普;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种对包括一组磷化铝镓铟发光二极管或AlGaInP‑LED的半导体晶圆(10)进行处理以提高AlGaInP‑LED的光产生效率的方法，其中，每个ALGaInP‑LED包括夹在两个外层之间的用于光产生的核心有源层，核心有源层具有中心光产生区域(20)和围绕中心光产生区域的外围边缘(22)，该方法包括以下步骤：利用激光束(L)处理每个AlGaInP‑LED的核心有源层的外围边缘(22)，从而将每个外围边缘(22)中的最小带隙增加到以下这样的程度：在AlGaInP‑LED的后续操作期间，电子空穴复合基本上被限制于中心光产生区域。
包括 algainp led 半导体进行激光处理提高产生效率方法

[发明专利]用于制造半导体装置和光电装置的方法-CN202080039544.2在审
发明人：菲利普·克罗伊特尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;克里斯托夫·克伦普;延斯·埃贝克;伊内斯·皮聪卡;彼得鲁斯·松德格伦 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置特别是光电装置的方法，该方法包括：设置生长衬底(10)；沉积n型掺杂的第一层(20)以及将有源区(30)沉积在n型掺杂的第一层(20)上；然后，将第二层(50)沉积到有源区(30)上；第二层在第二层(50)中掺杂有Mg；在沉积Mg之后，将Zn沉积在第二层(50)中，使得第二层中Zn的浓度在第二层的与有源区相邻的第一区域中从第一值减小到第二值，所述第一区域在5nm至200nm的范围内，特别地小于50nm。
用于制造半导体装置光电方法

[发明专利]用于制造多种构件的方法、构件和由构件构成的构件复合件-CN202080027226.4在审
发明人：彼得鲁斯·松德格伦;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种由多个构件(10)、改性的牺牲层(4)和共同的中间载体(90)构成的构件复合件(100)，其中所述构件分别具有半导体本体(2)，所述半导体本体具有有源区(23)，其中所述半导体本体设置在所述中间载体上并且通过分离沟道(4T)彼此横向地间隔开。牺牲层在竖直方向上设置在所述中间载体和所述半导体本体之间，其中所述牺牲层在所述半导体本体和共同的中间载体之间具有多个保持元件(3)，并且其中所述半导体本体仅经由所述保持元件与所述中间载体机械连接。所述保持元件在横向方向上由空腔(4H)包围。所述半导体本体构成为能够与所述中间载体脱离，其中所述保持元件在机械负荷下或通过辐照或通过刻蚀将所述半导体本体从所述中间载体释放。此外，提出一种具有与这种构件复合件(100)脱离的半导体本体(2)的构件(10)，以及一种用于制造多个这种构件的方法。
用于制造多种构件方法构成复合

[发明专利]承载设备、具有承载设备的电气设备和其制造方法-CN201710018523.2有效
发明人：克里斯特·贝格内克;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;约尔格·佐尔格 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电气器件的承载设备，所述承载设备具有：承载件(1)，所述承载件具有电绝缘层(10)；和在电绝缘层(10)上的电接触层(2)，其中电接触层(2)具有至少一个连接片状的接触区域(20)，其中电绝缘层(10)中的至少一个留空部(3)至少设置在连接片状的接触区域(20)的一个侧面(21)上和/或其中连接片状的接触区域(20)具有朝向绝缘层(10)减小的连接片宽度。此外，提出一种具有承载设备和电气器件的电气设备以及一种用于制造承载设备和电气设备的方法。
承载设备具有电气设备制造方法

[发明专利]光电子半导体组件-CN201580030978.5有效
发明人：斯特凡·朗格;韦拉·施特佩尔坎普;弗兰克·耶尔曼;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括：光电子半导体芯片(2)，其用于产生初级辐射。用于将初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射的至少一种发光材料(3)设置在半导体芯片(2)的下游，所述次级辐射位于可见的光谱范围中。此外，光电子半导体组件(1)具有：滤波材料(4)，其用于部分地吸收次级辐射。在此，发光材料(3)和滤波材料(4)紧密地与半导体芯片(2)连接。
光电子半导体组件

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法-CN201280011577.1有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;安东·沃格尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;约阿希姆·赫特功;泷哲也;赖纳·布滕戴奇 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，具有下述步骤在外延设备中提供生长衬底（1）；将至少一个中间层（2）外延地沉积到生长衬底（1）上；在中间层（2）的背离生长衬底（1）的一侧上产生背离生长衬底（1）的结构化的表面（3）；将有源层（4）外延地沉积到结构化的表面（3）上，其中在外延设备中产生结构化的表面（3）；以及有源层（4）至少部局部保形地或者至少局部基本上保形地跟随结构化的表面（3）的结构化部。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]照明装置-CN201280033260.8有效
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;赖纳·温迪施;克里斯特·贝格内克 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提出一种照明装置，具有带有安装面（5a）的载体（5）；至少一个发光二极管芯片（4），所述发光二极管芯片在其背离所述载体（5）的侧上具有辐射出射面（4a），在运行时在所述发光二级管芯片（4）中产生的电磁辐射至少部分地穿过所述辐射出射面射出；至少一个光学本体（2），所述光学本体构成为辐射可穿透的；以及成形体（1），所述成形体包含发光的材料，其中每个发光二极管芯片（4）固定在所述载体（5）上的所述安装面（5a）上，每个光学本体（2）固定在相关联的发光二极管芯片（4）的所述辐射出射面（4a）上，所述成形体（1）在所述发光二极管芯片（4）的侧面（4b）上形状配合地包围每个发光二极管芯片（4），所述成形体（1）在所述光学本体（2）的侧面（2a）上形状配合地包围每个光学本体（2），以及所述发光的材料转换在运行时在所述发光二极管芯片（4）的至少一个中产生的所述电磁辐射的至少一部分。
照明装置

[发明专利]用于制造薄膜半导体本体的方法和薄膜半导体本体-CN201280011324.4有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;安东·沃格尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;赖纳·布滕戴奇;克里斯蒂安·鲁姆博尔茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提出一种用于制造薄膜半导体本体的方法，所述方法具有下述步骤：提供生长衬底（1）；将具有漏斗形的和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）外延地生长到生长衬底（1）上；用半导体材料（6）填充凹部（4），使得产生棱锥形的耦合输出结构（13）；将具有有源层（8）的半导体层序列（7）施加到耦合输出结构（13）上，所述有源层适合于产生电磁辐射；将载体（11）施加到半导体层序列（7）上，以及至少将具有漏斗形和/或倒棱锥形的凹部（4）的半导体层（3）剥离，使得棱锥形的耦合输出结构（13）作为突出部（14）构成在薄膜半导体本体的辐射出射面（12）上。此外，提出一种薄膜半导体本体。
用于制造薄膜半导体本体方法

[发明专利]具有LED芯片的LED模块-CN201480035415.0在审
发明人：赖纳·温迪施;克里斯特·贝格内克;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED模块(1)，所述LED模块具有多个第一颜色的第一LED芯片(2a，c)和多个第二颜色的第二LED芯片(2b)，其中第一LED芯片(2a，c)的光放射面(3a，c)总计比第二LED芯片(2b)的总计的光放射面(3b)更大，并且第二LED芯片(2b)设有较小的相应的、然而较大数量的光放射面(3b)，以便实现更均匀的分布。
具有 led 芯片模块

[发明专利]具有多个发光材料区域的发光二极管-CN201380062905.5在审
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;弗洛里安·伯斯尔;克里斯特·贝格内克;拉尔夫·维尔特 -专利权人：欧司朗有限公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种发光二极管(11)，具有带有用于发射初级光的至少一个发射面(15)的LED芯片(12)和多个发光材料区域(17，18)，该发光材料区域光学地连接在至少一个发射面(15)的下游，其中，发光材料区域的至少一个较硬的发光材料区域(17)嵌入在发光材料区域的另一个较软的发光材料区域(18)中。本发明尤其能够涉及转换型发光二极管，尤其涉及表面发射的发光二极管。
具有发光材料区域发光二极管

[发明专利]承载设备、具有承载设备的电气设备和其制造方法-CN201280046652.8有效
发明人：克里斯特·贝格内克;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;约尔格·佐尔格 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：提出一种用于电气器件的承载设备，所述承载设备具有：承载件（1），所述承载件具有电绝缘层（10）；和在电绝缘层（10）上的电接触层（2），其中电接触层（2）具有至少一个连接片状的接触区域（20），其中电绝缘层（10）中的至少一个留空部（3）至少设置在连接片状的接触区域（20）的一个侧面（21）上和/或其中连接片状的接触区域（20）具有朝向绝缘层（10）减小的连接片宽度。此外，提出一种具有承载设备和电气器件的电气设备以及一种用于制造承载设备和电气设备的方法。
承载设备具有电气设备制造方法

[发明专利]高电压LED多芯片模块以及用于调节LED多芯片模块的方法-CN201280031455.9无效
发明人：弗朗克·鲍曼;乌尔里希·比布尔;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;胡贝特·迈瓦尔德;汉斯约里·舍尔;阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 -专利权人：欧司朗有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED模块，其具有多个LED芯片（1），该多个LED芯片具有电接口（2）并且通过电连接部（3）串联。存在至少一个短路连接部（4），其将接口或连接部中的两个彼此导电连接，并且跨接LED芯片中的至少一个。通过建立或中断这种短路连接部（4）来调节LED芯片的电和/或光特性、特别是运行电压。
电压 led 芯片模块以及用于调节方法

[发明专利]光电子组件-CN201180032886.2有效
发明人： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;克里斯特·贝格内克;于尔根·莫斯布格尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提出一种光电子组件（100），所述光电子组件具有-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由半导体器件（1）发射的电磁辐射；-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或由所述过滤颗粒形成，其中-过滤机构（3）将由半导体器件（1）发射的电磁辐射中的至少一个可预设的波长范围与和该可预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且-过滤颗粒（31）具有以Q0测量的最低0.5nm至最高500nm的d50值和/或-过滤颗粒（31）至少局部地丝状地构成并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。
光电子组件

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