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[发明专利]半导体器件-CN201880011999.6有效
发明人：约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体本体和导电通孔，该导电通孔延伸通过半导体本体的至少一部分，其中通孔具有在第一横向方向上给出的横向尺寸，该第一横向方向垂直于由通孔的主延伸轴线给出的垂直方向，并且其中通孔具有顶侧和背离顶侧的底侧。半导体器件还包括被布置在通孔的底侧处的平行于第一横向方向的平面中的导电蚀刻停止层，以及位于通孔的底部侧的平行于第一横向方向的平面中的至少一个导电接触层。蚀刻停止层在第一横向方向上的横向范围大于通孔的横向尺寸，并且接触层在第一横向方向上的横向范围小于通孔的横向尺寸。此外，蚀刻停止层在垂直方向上被布置在导电通孔与接触层之间。
半导体器件

[发明专利]用于检测动态压力变化的集成光学传感器及其制造方法-CN201980060239.9有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;艾瑞克·扬·劳斯;安德森·辛格拉尼 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：一种用于检测动态压力变化的集成光学传感器(2)包括微机电系统MEMS管芯(10)，其具有MEMS膜片(12)，该MEMS膜片具有第一侧(13)和第二侧(14)，其中第一侧暴露于动态压力变化。传感器(2)还包括专用集成电路ASIC管芯(11)，其具有评估电路，该评估电路被配置为检测MEMS膜片(12)的偏转，尤其是MEMS膜片(12)的第二侧(14)的偏转。相对于ASIC管芯(11)来布置MEMS管芯(10)，使得在膜片(12)的第二侧(14)与ASIC管芯(11)的第一表面(19)之间形成具有间隙高度的间隙，并且MEMS膜片(12)、ASIC管芯(11)和MEMS管芯(10)的悬置结构(15)描述了集成光学传感器(2)的后部体积(4)。
用于检测动态压力变化集成光学传感器及其制造方法

[发明专利]传感器组件和装置以及制造传感器组件的方法-CN201780028300.2有效
发明人：哈拉尔德·埃齐梅尔;安德森·辛格拉尼 -专利权人：希奥检测有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种用于安装在电路板(CB)上的传感器组件包括插件(I)，该插件具有在插件(I)的第一和第二主表面(MS1、MS2)之间延伸的至少一个开口(O1、O2、O3、O4)。插件(I)包括至少两个应力解耦元件，每个应力解耦元件包括柔性结构(F1、F2、F3、F4)，该柔性结构由插件(I)的被至少一个开口(O1、O2、O3、O4)之一部分地包围的相应部分形成。传感器芯片(S)连接到第一主表面(MS1)上的柔性结构(F1、F2、F3、F4)。至少两个板连接元件(SB)布置在第一主表面(MS1)上并且适于将组件连接到电路板(CB)。
传感器组件装置以及制造方法

[发明专利]MEMS麦克风组件和制造MEMS麦克风组件的方法-CN201980061623.0有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;西蒙·穆勒;托马斯·弗勒利希;艾瑞克·扬·劳斯;安德森·辛格拉尼 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：一种微机电系统MEMS麦克风组件，包括限定第一腔(11)的壳体(10)和布置在第一腔(11)内的MEMS麦克风(20)。麦克风(20)包括具有接合结构(23)和MEMS膜片(24)的第一晶片(21)，以及具有专用集成电路ASIC的第二晶片(22)。第二晶片(22)被接合至接合结构(23)，使得在膜片(24)的第一侧(25)与第二膜片(22)之间形成间隙(28)，该间隙(28)限定第二腔(31)。膜片(24)的第一侧(25)与第二腔(31)相接，并且膜片(24)的第二侧(26)经由壳体(10)的声学进入端口(12)与环境(2)相接。接合结构(23)被布置成使得形成连接第一腔(11)和第二腔(31)的压力通风开口(30)。
mems 麦克风组件制造方法

[发明专利]泵送结构、粒子检测器和泵送方法-CN201980013295.7有效
发明人：拉斐尔·科佩塔;雅各布·布里维奥;安德森·辛格拉尼;维丽娜·韦斯科利 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： F04B43/02 文献下载
摘要：一种泵送结构(20)，其包括至少两个膜(21)、至少两个致动室(22)、一个包括通向泵送结构(20)的外部的开口(24)的评估室(23)，以及至少三个电极(25)。每个膜(21)在垂直方向(z)上被设置在两个电极(25)之间，该垂直方向垂直于泵送结构(20)的主延伸平面，每个致动室(22)在垂直方向(z)上被设置在膜(21)之一与电极(25)之一之间，并且每个致动室(22)通过通道(26)连接到评估室(23)。此外，提供了一种粒子检测器(27)和一种泵送方法。
结构粒子检测器方法

[发明专利]传感器装置和操作传感器装置的方法-CN201980035474.0有效
发明人：阿尔贝托·马乔尼;威廉·弗雷德里克·阿德里亚努斯·贝斯林;奥拉夫·文尼肯;卡斯珀·范德阿福尔特;瑞曼科·亨里克斯·威廉姆斯·皮内伯格;安德森·辛格拉尼 -专利权人：希奥检测有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种传感器装置(10)，包括：压力传感器(12)、电容至数字转换器(13)、测试电路(14)以及开关电路(15)，该压力传感器被实现为电容式压力传感器，该开关电路将电容至数字转换器(13)和测试电路(14)耦接至压力传感器(12)。
传感器装置操作方法

[发明专利]带有贯穿衬底通孔的半导体器件-CN201980029058.X在审
发明人：约亨·克拉夫特;乔治·帕特德尔;安德森·辛格拉尼;拉斐尔·科佩塔;弗朗兹·施兰克 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件(10)，包括半导体主体(11)；延伸穿过该半导体主体(11)的至少一部分的导电通孔(12)，其中所述通孔(12)具有顶侧(13)和背离该顶侧(13)的底侧(14)；在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的蚀刻停止层(15)，其中横向方向(x)垂直于由通孔(12)的延伸主轴线给出的垂直方向(z)；以及在平行于横向方向(x)的平面中被布置在通孔(12)的底侧(14)处的导电接触层(16)。蚀刻停止层(15)在竖直方向(z)上被布置在导电通孔(12)和接触层(16)之间，蚀刻停止层(15)在横向方向(x)上的横向范围为通孔(12)在横向方向(x)上的横向范围的至少2.5倍，并且接触层(16)的横向范围小于通孔(12)的横向范围，或者接触层(16)的横向范围是通孔(12)的横向范围的至少2.5倍。
带有贯穿衬底半导体器件

[发明专利]具有温度稳定输出的电容式传感器-CN201980026739.0在审
发明人：奥拉夫·文尼肯;弗雷德里克·万海尔蒙特;威廉·弗雷德里克·贝斯林;雷姆卡·亨里克斯·皮内伯格;卡斯·范德阿福尔特;安德森·辛格拉尼;马基恩·戈森斯 -专利权人：希奥检测有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种示例系统，包括传感器。该传感器包括具有基底电极的基底以及悬在该基底上方的第一膜。第一膜包括第一膜电极。第一膜被配置为响应于环境条件而相对于基底电极偏转。传感器可操作以测量基底电极与第一膜电极之间的电容。该系统还包括第一导电屏蔽层，该第一导电屏蔽层定位在传感器与该系统的可操作以生成电干扰信号的设备之间。第一导电屏蔽层限定延伸穿过该第一导电屏蔽层的多个第一孔。该系统还包括设置在多个第一孔中的介电材料。
具有温度稳定输出电容传感器

[发明专利]使用波导的倏逝波的粒子密度传感器-CN201880072119.6在审
发明人：约亨·克拉夫特;格奥尔格·勒雷尔;费尔南多·卡斯塔诺;安德森·辛格拉尼;保罗·迈尔霍费尔 -专利权人： AMS有限公司;格拉茨工业大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：粒子传感器装置包括：衬底(1)、光电检测器(3)、在衬底(1)上或衬底上方的电介质(4)、电磁辐射源(5)和在衬底(1)中的衬底通孔(6)。衬底通孔暴露于环境，特别是环境空气。在电介质中或电介质上方设置有波导(7)，使得由电磁辐射源发射的电磁辐射耦合到波导的一部分(7.1)。波导的另外的部分(7.2)与光电检测器相对，使得波导的所述部分位于衬底通孔的不同侧，并且波导横穿衬底通孔。
使用波导倏逝波粒子密度传感器

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