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[实用新型]一种晶圆真空加热装置-CN202221165709.3有效
发明人：陈炯;孙蒿泉;卢合强;王辉;夏世伟;沈斌;张劲;高国珺;翟军明;李强强;贾礼宾 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆真空加热装置，其属于半导体制造技术领域，所述晶圆真空加热装置包括加热装置、机体和支撑装置，机体上方固定连接支撑装置，支撑装置顶部通过固定架连接晶圆吸盘,加热装置位于支撑装置两侧；所述加热装置包括电热丝、反射罩和转动齿条，反射罩为弧形板，反射罩内层设置电热丝，所述支撑装置包括固定架和支撑杆，所述固定架接触且连接晶圆吸盘，固定架底部固定连接支撑杆，支撑杆远离晶圆吸盘一端接触且连接机体,所述机体两侧位于转动齿条下方设置转动齿轮，机体内部设置过热保护装置。本实用新型晶圆真空加热装置适用于超低温离子注入设备。
一种真空加热装置

[实用新型]一种低温晶圆真空升温装置-CN202221167703.X有效
发明人：陈炯;孙蒿泉;卢合强;王辉;夏世伟;沈斌;张劲;高国珺;翟军明;李强强;贾礼宾 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低温晶圆真空升温装置，其属于半导体器件制造领域，其包括机体和加热装置，所述机体上方通过支撑杆连接加热装置，所述加热装置的上方固定连接晶圆吸盘，机体内部设置过热保护装置，所述机体上方固定连接支撑杆，支撑杆固定连接加热装置，机体与加热装置之间设置导管，导管内设置导线，导管内部设置温度传感器，温度传感器紧贴加热板下表面。本实用新型采用了导热板、加热板和隔热板的组合，能够防止热量的浪费，同时避免热量通过支撑杆传导向机体，进一步加热板能够将电热丝的热量进行储存和传递，在加热工作结束后还能够保持短时间的保温效果，避免温度过快的下降。
一种低温真空升温装置

[发明专利]一种超低温晶圆注入平台-CN202111594228.4有效
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;高国珺;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;关天祺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种超低温晶圆注入平台，超低温晶圆注入平台至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前各个模块相互配合且形成一个有机整体；该有机整体实现超低温晶圆离子注入；在真空冷却模块中，通过冷却晶圆的冷却平台和吸附晶圆的静电吸盘一起快速降温晶圆，使得晶圆处于超低温状态，所述超低温状态的温度低于零下50摄氏度。本发明有效抑制了离子注入过程中的动态退火，使得间隙位置原子无法再回到晶格替代位置，使得非晶包数目变多、非晶包范围逐步扩大，最后所有非晶包的边界连接在一起形成完整的非晶层；本发明实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层。
一种超低温注入平台

[发明专利]一种超低温晶圆注入工艺及注入平台-CN202111596814.2在审
发明人：陈炯;王振辉;孙蒿泉;康劲;肖志强;雷晓刚;张彦彬;李恒;王辉;卢合强;刘金涛;肖嘉星;洪俊华;高国珺 -专利权人：北京凯世通半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低温晶圆注入工艺及注入平台，所述注入工艺使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，所述注入工艺包括步骤：晶圆装载步骤、抽真空步骤、待处理的晶圆转送步骤、晶圆冷却步骤、晶圆离子注入步骤、晶圆升温步骤、晶圆回送步骤、晶圆卸载步骤和晶圆产品标记入库步骤。超低温晶圆注入工艺及注入平台实现了超低温离子注入，形成了完整的非晶层，完整非晶层使得后续离子束落在非晶层，进而使得后续晶圆造成的损伤分布在非晶态区域；完整的非晶层为高质量的非晶层。
一种超低温注入工艺平台