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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911265646.1有效
发明人：尹荣广;孙润翼;朴志贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上方形成栅极电介质材料；在栅极电介质材料上方顺序地形成未掺杂碳的多晶硅层和掺杂碳的多晶硅层；用掺杂剂掺杂所述掺杂碳的多晶硅层；在掺杂有掺杂剂的掺杂碳的多晶硅层上方形成柱状晶体多晶硅层；以及执行退火以使掺杂剂活化。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及形成该半导体器件的方法-CN201310549339.2有效
发明人：刘敏秀;孙润翼 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一有源区，其由凹陷部限定，在包括第一区域、第二区域和第三区域的外围区域中，凹陷部被包含在属于第一区域和第二区域的半导体基板的器件隔离膜中；第二有源区，其由包含在第三区域的半导体基板中的器件隔离膜限定；埋入式金属层，其埋入凹陷部中；形成在第一区域的半导体基板上的第一导电层；以及形成在第二区域的半导体基板上的第二导电层，其中，在第三区域的半导体基板上形成第一导电层或第二导电层。在外围区域中形成三维双栅极，从而即使在外围区域中，也使得晶体管的性能或处理能力最大化。
半导体器件以及形成方法