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[发明专利]一种金属纳米结构的制备方法-CN201210539491.8有效
发明人：李俊杰;孙旺宁;顾长志;金爱子;夏晓翔;杨海方;全宝刚;李无暇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金属纳米结构的制备方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，并利用纳米压印法在所述第一光刻胶层中形成纳米结构，其中所述第一光刻胶层具有第一玻璃化温度；在所述具有纳米图案的第一光刻胶层上沉积金属材料层；在转移衬底上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有高于第一玻璃化温度的第二玻璃化温度；将所述转移衬底上的所述第二光刻胶层与所述金属材料层粘结，并使所述第二光刻胶层固化；加热到所述第一玻璃化温度与所述第二玻璃化温度之间的温度，使所述第一光刻胶层进入粘流态，同时所述第二光刻胶层处于玻璃态；将所述金属材料层与所述第一光刻胶层机械分离，在金属材料层表面得到纳米结构。
一种金属纳米结构制备方法

[发明专利]一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法-CN201210467923.9无效
发明人：李林;顾长志;李俊杰;田士兵;孙旺宁;夏晓翔 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法，硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料包括：表面具有硅纳米锥阵列的衬底；在硅纳米锥阵列的表面上形成有片状的少层石墨烯纳米片层。制备方法包括如下步骤：1）以感应耦合等离子体刻蚀（ICP）制备的硅纳米锥阵列结构为衬底；2）将衬底放入热丝化学气相沉积（HFCVD）系统中，基础真空为0.1Torr，在温度900~1100℃，气体流量比（Ar/H2/CH4）为50/5/1~50/49/1和气压20~30Torr的条件下，并在灯丝和样品之间施加偏压300~380V，生长片状的少层石墨烯纳米片层。本发明通过控制生长参数和调节衬底硅纳米锥的结构实现对状石墨烯纳米片阵列结构形貌的调控，并获得了优异的场发射特性和高粘附超疏水性。
一种纳米复合石墨材料及其制备方法

[发明专利]一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法-CN201110192259.7有效
发明人： 孙旺宁;李俊杰;夏晓翔;田士兵;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C04B41/53 文献下载
摘要：一种硅表面抗反射纳米阵列结构的制备方法：将硅片放入ICP系统中，在基础真空1.0×10-6Torr，温度-100℃～-140℃，气体流量比(SF6/O2)36/22-44/14，气压6＝25mTorr，RIE功率3-6W和ICP功率800-1000W的条件下，在硅片表面得到纳米锥状阵列结构。本发明采用低温刻蚀技术，无需掩模工艺，直接刻蚀制备大面积具有超抗反射特性的硅表面纳米锥阵列结构，并且通过调节和控制相应参数，实现对纳米锥结构形貌的调控。
一种表面反射纳米阵列结构制备方法