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- [发明专利]氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法-CN98124659.1无效
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孙予罕;吴东;范文浩;徐耀;孙继红
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中国科学院山西煤炭化学研究所
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1998-11-04
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2000-05-17
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G02B1/10
- 一种氧化锆/氧化硅系高抗激光损伤高反膜的制备方法,在玻璃基底上用化学镀膜法交替制备数层氧化锆(ZrO2)和氧化硅(SiO2)膜层。氧化锆(ZrO2)溶胶镀膜液制备方法为以正丙醇锆Zr(O-nC3H7)4为前驱体,在碱性或中性催化条件下,加入一定量的二甘醇(DEG),搅拌均匀后,按一定比例加入水和无水乙醇,混合后充分搅拌,然后装入密闭容器中在适当的温度下进行陈化。本发明制备过程简单、方便,膜层达到高反所需的层数减少,膜层的耐激光损伤阈值在5~25J/cm2(1064nm,3ns)。
- 氧化锆氧化硅系高抗激光损伤高反膜制备方法
- [发明专利]热处理氮基气氛选择脱氧催化剂-CN97123260.1无效
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任杰;孙予罕;刘东艳;张园力;王心葵
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中国科学院山西煤炭化学研究所
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1997-12-17
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1999-06-23
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B01D53/00
- 热处理氮基气氛选择脱氧催化剂,组成含量(重量百分比)为Pd0.3—10%,Mo0.1—0.8%,Ti3—6%,Al2O393—96%。本发明的催化剂在95—120℃,氮基气氛中O2<1%,甲醇裂解气(CO、H2)含量>4%,空速为0—3000hr-1,95%以上的O2与H2反应生成水,净化后尾气残氧量小于1ppm。该催化剂具有成本低,稳定性好,寿命长,使整个净化设备费用、能耗降低,氮基气氛中富含CO气的优点。
- 热处理气氛选择脱氧催化剂
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