“姜杰轩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种增大钙钛矿CH₃NH₃PbI₃晶粒以改善薄膜结晶质量的方法-CN201710329080.9有效
发明人：高斐;王昊旭;雷婕;李娟;姜杰轩;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大钙钛矿CH₃NH₃PbI₃晶粒以改善薄膜结晶质量的方法，该方法在采用旋涂法制备钙钛矿薄膜的过程中，通过对钙钛矿CH₃NH₃PbI₃前驱液施加强而稳定的磁场，促进了钙钛矿CH₃NH₃PbI₃成膜过程中晶粒的长大，增加了钙钛矿晶粒尺寸，提高了结晶质量、降低了缺陷密度，从而提高了CH₃NH₃PbI₃薄膜太阳能电池光电转化效率和寿命。
一种增大钙钛矿 ch3nh3pbi3 晶粒改善薄膜结晶质量方法

[发明专利]一种光产生热电子电流的方法-CN201710221511.X有效
发明人：高斐;姜杰轩;李娟;雷婕;王昊旭;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光产生热电子电流的方法，该方法利用简单易得的三角形铜箔和容易制备的氧化锌掺铝薄膜之间的物理接触，然后利用氦氖激光照射三角形铜箔与薄膜表面接触角的角尖，激发铜箔表面产生表面等离子体激元，通过表面等离子体的电磁衰减在铜箔表面产生高能的热电子，通过金属铜和半导体之间合适的势垒，产生热电子电流。本发明通过调节三角形铜箔与薄膜表面接触角的角度，即可实现不同效率的光转化热电子电流，方法简单，易于集成。
一种生热电子电流方法

[发明专利]一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法-CN201610171960.3有效
发明人：高斐;向玉春;胡西红;姜杰轩;李娟;武慧君;郑逍遥 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中金属锂的掺杂量为2wt％时，得到的p型氧化铜薄膜的电阻率为7.56Ω·cm、载流子浓度为7.39×1019cm‑3。本发明操作简单，适用于低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的工业化制备。
一种电阻率载流子浓度氧化铜薄膜制备方法

[发明专利]一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法-CN201710329087.0在审
发明人：高斐;雷婕;王昊旭;姜杰轩;李娟;胡西红 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C07C209/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种用横向电流制备钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的方法，该方法在钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液常温刮涂结束后，将电极置于衬底两端的钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液上，使用恒流电源给钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液通电，使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液在电流的作用下结晶，即可得到钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜。本发明操作简单，刮涂过程不需要加热，只需施加电流即可使钙钛矿CH3NH3PbI3前驱液快速结晶，刮涂后也不需要退火，降低了制作成本。
一种横向电流制备钙钛矿 ch3nh3pbi3 薄膜方法

[发明专利]一种n型氧化铜薄膜的制备方法-CN201511027613.5在审
发明人：高斐;胡西红;向玉春;王皓石;郑逍遥;武慧君;姜杰轩;李娟 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型氧化铜薄膜的制备方法，该方法采用脉冲激光沉积技术，通过调整沉积腔室的氧气压强为8～12Pa、衬底加热温度为500～700℃，一步即可在衬底上形成n型氧化铜薄膜。本发明操作简单，所得n型氧化铜薄膜结晶性好、纯度高，且该方法重复性好。
一种氧化铜薄膜制备方法

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top