专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]微量供水器-CN201621181533.5有效
  • 姚俊敏;詹添印;林明宪;李玮诚;徐琮哲 - 远东科技大学
  • 2016-10-27 - 2017-10-03 - A01G27/00
  • 本申请提供的微量供水器,其包括供水座,包括壳体,壳体两侧分别设有螺合端,螺合端能够安装有螺头,且壳体内部形成有通道,壳体顶部设有座体,座体的中心突出有凸块,凸块上设置有渗水块,凸块的两侧向下凹陷以形成出水口,出水口贯通至通道内,且凸块上结合有板体的固定件;其中,螺头螺合在壳体两端的螺合端上,螺头用以固定输水管线;渗水块由多孔隙材质所制成,且渗水块套置在凸块外围;板体固定渗水块,且固定件穿通过板体,固定件的一端锁固入所述凸块中。该结构藉由灌溉水进入通道后可经出水口窜出,进而扩散分布至整个渗水块时,渗水块能将灌溉水逐渐渗透出,以供给植物吸收,由此,该结构可改善已知供水器容易受堵塞的情形。
  • 微量供水
  • [实用新型]鱼缸及盆栽养殖器-CN201320398058.7有效
  • 詹添印;林明宪;姚俊敏;杨家琦;林晋加 - 远东科技大学
  • 2013-07-05 - 2013-12-25 - A01G9/02
  • 本实用新型有关一种鱼缸及盆栽养殖器,其包括养殖瓶与植栽盆,该植栽盆的植栽本体底部近中心位置另形成有一吸覆主体,而吸覆主体内侧又设有一进水空间,其进水空间底侧向外穿设有渗水孔便于导入水源,而进水空间近顶部侧壁又向外穿设有一透气孔便于排出多余的气体,其结构藉由渗水孔可将水源导入进水空间内,进而让吸覆主体内、外两侧面均可达到平均吸覆水源的效果,以自动补给植物所需的水源,并且该养殖瓶设为一透明材质,让使用者可养殖水中生物于瓶体内观赏的用途,藉之,该结构同时具有养殖水中生物及植栽植物的优点,以达到方便照护植物及改善空间占用的弊端,进而提升其实用价值。
  • 鱼缸盆栽养殖
  • [实用新型]植物种植供水装置-CN201320249838.5有效
  • 詹添印;姚俊敏;彭炜恩;许柏盛;卢盈丞 - 远东科技大学
  • 2013-05-10 - 2013-10-23 - A01G27/02
  • 本实用新型涉及一种植物种植供水装置,包括:一盆体;一具有一第一端与一第二端的多孔隙管体;一设有一开口的储水单元,且该储水单元的高度恒高于该多孔隙管体;一第一管体,包括有一前端与一后端,且该前端自该开口伸入该储水单元,并由液体平面上伸入到液体中,该后端与该多孔隙管体的第一端相连通;一汲水单元,该汲水单元与该多孔隙管体的第二端相连接。本实用新型藉由所述汲水单元汲引该储水单元内的液体,从而使该液体充满该第一管体及该多孔隙管体,再利用虹吸方式使该液体由该多孔隙管体中持续而缓慢地渗出至土壤内,达到了使土壤长期恒保持湿润的效果,节省了人力及成本。
  • 植物种植供水装置
  • [发明专利]半导体的堆栈门及其制造方法-CN200410042688.6有效
  • 姚俊敏;施学浩;陈光钊;涂瑞能 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2004-05-31 - 2005-12-07 - H01L21/28
  • 一种半导体的堆栈门及其制造方法,此方法先在基底上依序形成一门介电层、一多晶硅层与一硅化金属层,之后,再将其图案化,以形成一堆栈结构。随后,进行一氧化程序,以在堆栈结构的表面上依序形成一阻障层与一氧化硅层。之后,在基底上形成一间隙壁材料层,然后,回蚀刻间隙壁材料层、氧化硅层与阻障层,以裸露硅化金属层的表面,留下堆栈门的侧壁的阻障层与氧化硅层并形成一间隙壁。由于本发明在堆栈结构与间隙壁中多形成了一层阻障层,所以在进行氧化程序以形成氧化硅层时,氧气不易渗入多晶硅层与硅化金属层之间,因此,本发明可以解决公知多晶硅化金属产生孔洞、剥离的缺点。
  • 半导体堆栈及其制造方法
  • [发明专利]闪存的制造方法-CN03102691.5无效
  • 郑培仁;韩宗廷;谢荣裕;姚俊敏 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2003-02-14 - 2004-08-18 - H01L21/8247
  • 一种闪存的制造方法,此方法在基底上依序形成穿遂介电层与导体层,之后图案化此导体层,以形成浮置栅极(floating gate),然后于此浮置栅极两侧的基底中形成源极/漏极区。接着,形成一栅间介电层,此栅间介电层之中包含一氧化层,该氧化层以实时蒸气产生制作工艺(In-situ steamgeneration,ISSG)形成在浮置栅极上。然后于栅间介电层上形成控制栅极(control gate)。
  • 闪存制造方法
  • [发明专利]形成介电层的方法-CN02122460.9无效
  • 姚俊敏 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2002-06-04 - 2003-12-31 - H01L21/314
  • 一种形成介电层的方法,首先,进行一第一内部蒸气产生氧化反应(ISSG,Insitusteamgeneration)程序,形成一第一氧化层于一基底上;然后,形成一氮化硅层于该第一氧化层上;接着,进行一第二内部蒸气产生氧化反应程序,形成一第二氧化层于该氮化硅层上,其中,在进行上述第二内部蒸气产生氧化反应程序时,还可将该氮化硅层转变成一含氮的第二氧化层。本发明方法可改善多层结构的介电层中的界面强度,形成细密的氧化层组织。
  • 形成介电层方法

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