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[发明专利]半导体存储装置-CN202210740187.3在审
发明人：关春海;铃木正道;田中玲华;太田健介;东悠介 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，其在第1方向上交替地层叠了栅电极层和第1绝缘层而成；半导体层，其设置在层叠体中，在第1方向上延伸；第2绝缘层，其设置在半导体层与层叠体之间；第3绝缘层，其设置在第2绝缘层与层叠体之间；以及第1层，其设置在第2绝缘层与第3绝缘层之间，含有硅即Si和氮即N，包括栅电极层与半导体层之间的第1区域和第1绝缘层与半导体层之间的第2区域，第1区域含有氟即F或者不含有氟即F，第2区域含有氟即F，第2区域的氟浓度比第1区域的氟浓度高。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202010066488.3有效
发明人： 太田健介;斋藤真澄;佐久间究 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：实施方式提供提高了可靠性的电阻变化型半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有：第1布线，其在第1方向上延伸；多条第2布线，其在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸，沿所述第1布线在所述第1方向上排列；以及多个存储膜，其设置在所述第1布线与所述多条第2布线之间。从所述第1布线的作为所述第1方向上的一侧的第1电压供给侧供给对于所述存储膜写入以及读出数据所需要的电压。所述多个存储膜包括第1存储膜和第2存储膜，所述第2存储膜配置在比所述第1存储膜离所述第1电压供给侧远的位置。所述第2存储膜与所述第1布线的连接面积比所述第1存储膜与所述第1布线的连接面积大。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010108718.8在审
发明人： 太田健介;斋藤真澄;佐久间究 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本实施方式涉及一种半导体存储装置及其制造方法，根据一实施方式，半导体存储装置具备：衬底；多个导电层，配置在与衬底交叉的第1方向且在与第1方向交叉的第2方向上分别延伸；第1半导体层，在第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；存储部，设置在第1半导体层与多个导电层之间，与第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；及驱动电路，驱动存储单元。多个导电层遍及以下区域形成：第1区域，配置着多个存储单元；第2区域，设置在比第1区域更靠第2方向的端部；及第3区域，与第1区域及第2区域不同；且位于第3区域的部分与位于第1区域及第2区域的部分绝缘分离。驱动电路设置在第3区域，且具备：第2半导体层，在第1方向上贯通多个导电层且在第1方向上延伸；及绝缘层，设置在第2半导体层与多个导电层之间；第2半导体层的一端经由布线与第2区域的多个导电层连接，另一端与衬底连接。
半导体存储装置及其制造方法