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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810696017.3有效
发明人：星直嗣;大石哲也;东堤慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括灰化处理步骤和腔室内的部件的表面处理步骤。在灰化处理步骤中，使用含氢气体的等离子体对送入到腔室内的半导体晶片进行灰化处理，并将灰化处理步后的半导体晶片从腔室内送出。在腔室内的部件的表面处理步骤中，在进行了至少一次灰化处理步骤后，使用含氧气体的等离子体来处理腔室内的部件的表面。另外，在腔室内的部件的表面处理步骤之后，再次进行至少一次灰化处理步骤。由此，能够抑制颗粒的产生。
等离子体处理方法装置

[发明专利]清洁方法和等离子体处理方法-CN201680021741.5有效
发明人：久保卓也;康松润;霜田惠一;大石哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。
清洁方法等离子体处理

[发明专利]等离子体处理方法-CN201410495671.X有效
发明人：清水昭贵;大石哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供能够以高蚀刻速率形成深径比高的形状的等离子体处理方法，该方法包括蚀刻工序，将含有SF6、ClF3和F2中的至少一种的第一气体供给到处理容器内，生成第一气体的等离子体来对被处理体的被蚀刻层进行蚀刻；第一成膜工序，将含有碳氢化合物、碳氟化合物和氟代烃中的至少一种的第二气体供给到处理容器内，生成第二气体的等离子体来在被蚀刻层的至少一部分上形成由来于第二气体的保护膜。在蚀刻工序中，将处理容器内的压力设为第一压力且对下部电极施加第一偏置电力。在第一成膜工序中，将处理容器内的压力设为低于第一压力的第二压力且对下部电极施加高于第一偏置电力的第二偏置电力。重复执行包括蚀刻工序和第一成膜工序的序列。
等离子体处理方法

[发明专利]半导体装置-CN201210114943.8有效
发明人：水村章;安茂博章;大石哲也 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管。该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
半导体装置

[发明专利]固态图像传感器及其制造方法和图像拾取装置-CN201010003769.0无效
发明人： 大石哲也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种固态图像传感器，包括光电转换器、电荷检测器和转移晶体管。光电转换器存储经历光电转换的信号电荷。电荷检测器检测所述信号电荷。转移晶体管将所述信号电荷从所述光电转换器转移到所述电荷检测器。在所述固态图像传感器中，所述转移晶体管包括栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极、在所述光电转换器侧的所述栅极电极的侧壁上形成的第一隔离层、以及在所述电荷检测器侧的所述栅极电极的另一侧壁上形成的第二隔离层。所述第一隔离层比所述第二隔离层长。
固态图像传感器及其制造方法图像拾取装置

[发明专利]半导体装置-CN200910118762.0有效
发明人：水村章;安茂博章;大石哲也 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，其包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各由多个鳍式晶体管形成，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管被并联连接从而在电气方面共用源极，其中所述多个鳍式晶体管各自包括鳍式活性层，所述鳍式活性层从半导体基板上突出，在所述鳍式活性层的一端上形成有用作所述源极的源极层且在所述鳍式活性层的另一端上形成有漏极层，从而形成沟道区域，所述鳍式活性层被配置为平行地彼此相邻，并且所述漏极层被布置为使电流在所述第一晶体管与所述第二晶体管中以相反的方向流过所述多个鳍式晶体管。该半导体装置提供了集成的鳍式场效应晶体管之间的窄间距宽度和极好匹配。
半导体装置

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