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[发明专利]钛箔的制造方法-CN202280011506.5在审
发明人：金子拓实;中条雄太;铃木大辅;堀川松秀;藤井秀树 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25C3/28 文献下载
摘要：本发明的钛箔的制造方法包括电沉积工序，所述电沉积工序使用包含钛离子且氯化物熔融而成的熔融盐浴，利用包含阳极和阴极的电极进行电解，使金属钛在阴极的电解面析出，在电沉积工序中，将熔融盐浴中的钛离子的摩尔浓度相对于金属离子的摩尔浓度的合计的比例维持在7％以上，将熔融盐浴的温度维持在510℃以下，在向电极通电时，将连续停止通电的时间设为小于1.0秒，将电流密度设为0.10A/cm2以上且1.0A/cm2以下，将金属钛向阴极的所述电解面的电沉积时间设为120分钟以下。
制造方法

[发明专利]熔融盐电解槽、以及使用其的金属镁的制造方法以及海绵钛的制造方法-CN201680044048.X有效
发明人： 堀川松秀;铃木大辅 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C25C7/00 文献下载
摘要：本发明在进一步提高电流效率的同时，可提高电解槽每单位体积的金属的生产性，提供生产效率优良的熔融盐电解槽、以及金属镁的制造方法、进而海绵钛的制造方法。本发明是一种熔融盐电解槽，其是具有金属回收室和电解室、在电解室中具备2个以上电解池单元而成的熔融盐电解槽，其中，电解池单元包括具有方柱形空间的阴极、方柱形的阳极以及至少1个方筒形的双极电极，上述双极电极配置于上述阴极的内侧空间内，且上述阳极配置于上述双极电极的内侧空间内，上述双极电极中，与阴极最接近的双极电极的形成方筒外侧的各平面分别至少一部分与阴极的形成方柱形空间的平面面对面，上述双极电极中，与阳极最接近的双极电极的形成方筒内侧的各平面分别至少一部分与阳极的形成方柱的平面面对面，上述阴极的至少一面作为其它电解池单元的阴极的一面；以及使用该电解槽的金属镁的制造方法以及海绵钛的制造方法。
熔融电解槽以及使用金属镁制造方法海绵

[发明专利]含钛原料的高品质化方法-CN201480002473.3有效
发明人： 堀川松秀;谷诚一郎 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01G23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种从钛渣或钛铁矿这样的含钛原料中高效率地分离除去杂质金属，来制造高含钛原料的技术。含钛原料的高品质化方法，所述方法是从包含矿渣的含钛原料中选择性地将杂质以氯化物的形式分离除去，得到高含钛原料，其特征在于在选择氯化之前，对含钛原料施行氧化处理。另外，在该方法中，同时进行上述氧化处理和选择氯化处理。
原料品质方法

[发明专利]四氯化钛的制造方法-CN201480002411.2有效
发明人： 堀川松秀;谷诚一郎;堀口亮太;深泽英一 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C01G23/02 文献下载
摘要：本发明提供从在含钛原料的氯化工序中产生的固态回收物中回收有价值物质的技术，尤其是能从上述固态回收物中高效地分离回收氯气及含钛原料的技术。本发明提供四氯化钛的制造方法，其是具有使含钛原料、焦炭和氯反应的氯化工序的四氯化钛的制造方法，其特征在于，进一步具有通过对在上述氯化工序中作为副产物产生的固态回收物进行处理而回收氯气、氧化钛及焦炭的回收工序，将这些回收物作为上述四氯化钛制造用原料再利用。
氯化制造方法

[发明专利]含钛原料的处理方法-CN201480002429.2在审
发明人： 堀川松秀;深泽英一 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： C01G23/02 文献下载
摘要：本发明提供四氯化钛的制备方法，其可从在含钛原料的氯化工序中产生的固体回收物回收未反应的高含钛原料、碳原料和氯气等的有价物，并且可有效地利用含钛原料。所述方法为从含钛原料选择性地将杂质作为氯化物除去以得到高含钛原料的方法，其特征在于，通过在选择性氯化法中一起对在使用该高含钛原料制备四氯化钛时副生成的固体回收物进行处理，在回收氯和杂质氧化物的同时制备高含钛原料。
原料处理方法

[发明专利]多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法-CN201080059156.7无效
发明人：笼桥亘;堀川松秀;垣內康辅 -专利权人： JNC株式会社;JX日矿日石金属株式会社;东邦钛株式会社
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法，其中在多晶硅的制造工艺中，可以使用廉价且可稳定供给的原料，顺利地进行氯化反应，氯化反应后的杂质得到抑制，可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于，包含：将由二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化，生成四氯化硅的氯化步骤、将四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤，氯化步骤中，在氧气共存下向二氧化硅和含碳物质供给氯气使它们进行反应，电解步骤中生成的还原剂金属在还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用，电解步骤中生成的氯气在氯化步骤中再利用。
多晶制造方法氯化

[发明专利]钛酸钡粉末的制造方法-CN99801123.1无效
发明人： 堀川松秀;堺英树;笼桥亘 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明能够容易地制得一种微粒的粒度分布狭窄而且具有优良Ba/Ti原子比的钛酸钡粉末，从而可以提高生产率。通过使四氯化钛等的钛化合物的水溶液与经过滤处理的氯化钡等的钡化合物的碱性水溶液，在控制钛化合物/钡化合物的化学当量比为0.8～1.2的条件下和在搅拌下接触来生产钛酸钡粉末。
钛酸钡粉末制造方法

[发明专利]钛酸钡粉末-CN99801124.X无效
发明人：堺英树;堀川松秀;笼桥亘 -专利权人：东邦钛株式会社
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：一种钛酸钡粉末，其粒径为0.1～1.0μm，其粒度分布的CV值(粒径的标准偏差/平均粒径)在40％以下，按照利用电泳的激光多普勒法测得在pH6.4时的ζ电位为-30～-60mV，而且经过在900～1200℃下煅烧。这种钛酸钡粉末在浆液状态下的分散性优良，即使在烧结后也能抑制部分粒子的凝聚，适合作为积层陶瓷电容器介电体层的形成材料使用。而且，该钛酸钡粉末在烧结成烧结体后的烧结密度在理论值的95％以上，介电常数在4000以上。
钛酸钡粉末