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[发明专利]下变频器-CN201210262498.X有效
发明人：多米尼克斯·马蒂纳斯·威廉默斯·莱纳特;赫尔本·W·德琼;埃德温·范德赫尔登;马塞尔·戈伊茨 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：一种下变频器，用于接收多频带射频信号(RF)和本地振荡器信号(fLO)。所述下变频器包括分频器(205a；205b)和外差接收链(200a；200b)。分频器(205a；205b)配置为对本地振荡器信号(fLO)进行分频，并提供多个不同的分频本地振荡器信号(f1a，f2a；f0b，f1b，f2b)。外差接收链(200a；200b)包括第一级混频器(202a；202b)和多个第二级混频器(203a，204a；203b，204b)。第一级混频器(202a；202b)，配置为将多频带射频信号(RF)与本地振荡器信号(f0a)或分频本地振荡器信号(f0b)混频，以产生第一中频信号。每个第二级混频器(203a，204a；203b，204b)配置为将第一中频信号(IF0)与分频本地振荡器信号(f1a，f2a；f1b，f2b)混频，以产生第二中频信号(IF1，IF2)，每个第二中频信号表示来自多频带射频信号(RF)的频带。分频器(205a；205b)配置为向每个第二级混频器(203a，204a；203b，204b)提供不同的分频本地振荡器信号(f1a，f2a；f1b，f2b)。
变频器

[发明专利]边缘电容器电路-CN201010600478.X有效
发明人： 埃德温·范德赫尔登;卢卡斯·弗雷德里克·蒂梅杰;玛丽斯泰拉·斯佩拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：在各种实现方式中根据期望的质量因数来实现电容电路。根据示例实施例，边缘电容器包括两个电容电路(例如，极板)，两个电容电路分别具有从端结构延伸的多个电容指状物，并且相应地在公共侧边缘电容器上具有与其他电容电路的连接引脚相邻的连接引脚。电容指状物被布置在堆叠层中，其中，过孔将不同层中的指状物连接回连接引脚。
边缘电容器电路