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[发明专利]半导体存储装置-CN202210121555.6在审
发明人： 坂庭学;椎野泰洋;西川浩太;石山佑;铃木慎二 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明的半导体存储装置具备：衬底；多个栅极电极；半导体层，与栅极电极对向；电荷蓄积层，设置在栅极电极与半导体层之间；导电层，连接于半导体层的一端部；以及控制电路，与栅极电极及导电层电连接。多个栅极电极包含：第1栅极电极；第2栅极电极，比第1栅极电极离导电层远；以及虚拟栅极电极，设置在第1栅极与第2栅极电极之间。控制电路构成为能够执行抹除动作。抹除动作包含：针对导电层的第1抹除电压供给动作；针对虚拟栅极电极的第1编程动作，在第1抹除电压供给动作之后执行；以及第2抹除电压供给动作，在第1编程动作之后执行，对导电层供给与第1抹除电压相同或大于第1抹除电压的第2抹除电压。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置及其控制方法-CN201110280371.6有效
发明人： 坂庭学;上野广贵;入枝重文;高桥荣悦;椎野泰洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供半导体存储装置及其控制方法。根据一实施例，半导体存储装置包括：存储单元阵列，其具备配置于多个位线与字线的交叉位置且电流路径串联连接的多个存储单元列；电压生成电路，其生成提供给前述存储单元阵列的电压；以及控制电路，其控制前述存储单元阵列以及前述电压生成电路。前述控制电路在前述存储单元的数据写入工作中以如下方式进行控制：对前述存储单元列的非选择字线施加第1写入通过电压，在选择字线达到了写入电压后，对前述非选择字线进一步施加电压直至达到比前述第1写入通过电压大的第2写入通过电压为止。
半导体存储装置及其控制方法