“嘉柏微电子材料股份公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果99个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法-CN202110855832.1在审
发明人： A.W.海恩斯;张柱然;李常怡;林越;崔骥;S.布罗斯南;南哲祐 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及自停止性抛光组合物及用于块状氧化物平坦化的方法。具体地说，本发明提供了包含研磨剂、自停止剂、水性载剂及任选地阳离子型聚合物的化学机械抛光组合物，而且，提供了适用于抛光基板的方法。
停止抛光组合用于块状氧化物平坦方法

[发明专利]用于加工介电基板的方法及组合物-CN201680051105.7有效
发明人：崔骥;林越;S.格拉宾 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：描述了用于使用抛光组合物(亦称为“浆料”)及研磨垫来加工(抛光或平坦化)含有图案化介电材料的基板的材料及方法，例如，CMP加工。
用于加工介电基板方法组合

[发明专利]具有带有液体填充物的致孔剂的抛光垫-CN202110193495.4在审
发明人： P.A.勒费夫尔;W.C.阿利森 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：描述了具有带有液体填充物的致孔剂的抛光垫以及制造具有带有液体填充物的致孔剂的抛光垫的方法。在实例中，用于抛光基板的抛光垫包括抛光体，所述抛光体具有聚合物基质以及分散在整个所述聚合物基质中的多个致孔剂。所述多个致孔剂中的每一个均具有带有液体填充物的壳。该液体填充物具有在1atm压力下的低于100摄氏度的沸点、比水低的密度、或者这两者。
具有带有液体填充物致孔剂抛光

[发明专利]包含含胺的表面活性剂的抛光组合物-CN201780038695.4有效
发明人： A.W.海因斯;李常怡 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供化学‑机械抛光组合物，其包含：(a)湿法氧化铈研磨剂，(b)包含含胺的锚定基团及亚乙基氧‑亚丙基氧稳定化基团的表面活性剂，其中该表面活性剂具有约1000道尔顿至约5000道尔顿的分子量，(c)芳族羧酸或杂芳族羧酸，及(d)水，其中该抛光组合物具有约3至约6的pH。本发明进一步提供利用本发明化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，所述基板含有硅氧化物。
包含表面活性剂抛光组合

[发明专利]用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法-CN201810818481.5有效
发明人： W.沃德 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法。本发明提供一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中抛光含有氮化硅的基材。该组合物在使用点处优选包含0.01至2重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂、10至1000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物、0至1000ppm的至少一种阳离子型聚合物、任选地0至2000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物、以及为此的含水载体。该阳离子型聚合物优选选自聚(乙烯基吡啶)聚合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚合物、或其组合。还提供了使用该组合物的抛光基材的方法以及从基材优先于多晶硅的移除而选择性地移除氮化硅的方法。
用于氮化材料选择性抛光组合方法

[发明专利]胶态氧化硅化学-机械抛光浓缩物-CN201580045215.8有效
发明人： S.格拉宾;J.戴萨德;沈忠良;M.卡瓦诺 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：化学机械抛光浓缩物，包含分散在液体载剂中的至少10重量％的胶态氧化硅研磨剂颗粒，所述化学机械抛光浓缩物具有在约1.5至约7范围内的pH值。所述胶态氧化硅研磨剂包含结合到其中的氨基硅烷化合物或鏻硅烷化合物。在使用前，相对于一份所述浓缩物，可使用至少3份水对所述浓缩物进行稀释。
氧化化学机械抛光浓缩物

[发明专利]用于移除硅氮化物的化学机械抛光组合物-CN201680008583.X有效
发明人：黄宏聪;叶铭智;蔡智斌 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C09G1/04 文献下载
摘要：本发明提供化学机械抛光组合物，其包含：(a)胶态硅石颗粒，其经选自Mg、Ca、Al、B、Be以及它们的组合的金属离子进行表面改性，且其中所述胶态硅石颗粒的表面羟基密度为每平方纳米所述颗粒的表面积约1.5个羟基至约8个羟基；(b)阴离子型表面活性剂；(c)缓冲剂；以及(d)水，其中，该抛光组合物的pH为约2至约7，且其中，该抛光组合物基本上不含氧化金属的氧化剂。本发明进一步提供使用本发明化学机械抛光组合物对基板进行化学机械抛光的方法。典型地，该基板含有硅氮化物、硅氧化物和/或多晶硅。
用于氮化物化学机械抛光组合

[发明专利]用于改善凹陷的钴抑制剂组合-CN201680060047.4有效
发明人： S.克拉夫特;P.W.卡特;J.西博尔德 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明提供化学‑机械抛光组合物，其含有：(a)研磨剂颗粒；(b)具有约1至约2的辛醇‑水logP的唑类化合物；(c)钴腐蚀抑制剂，其中该钴腐蚀抑制剂包含阴离子型头基及C8‑C14脂族尾基；(d)钴促进剂；(e)使钴氧化的氧化剂；以及(f)水，其中，该抛光组合物具有约3至约8.5的pH。本发明进一步提供利用本发明化学‑机械抛光组合物来化学‑机械抛光基板的方法。典型地，该基板含有钴。
用于改善凹陷抑制剂组合

[发明专利]包含烷基胺及环糊精的化学机械抛光加工组合物-CN201680082415.5有效
发明人： A.W.海恩斯;李常怡 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：描述了适用于化学机械加工基板、尤其是含有介电材料的基板的表面的方法的组合物，其中该组合物含有环糊精及烷基胺。
包含烷基环糊精化学机械抛光加工组合

[发明专利]具有基础层及附着于其上的窗的抛光垫-CN201680066823.1有效
发明人： P.A.勒费夫尔;W.C.阿利森;D.斯科特;J.阿尔诺 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B24B37/20 文献下载
摘要：本发明描述具有基础层及附着于该基础层上的窗的抛光垫，及制造该抛光垫的方法。在一实例中，用于抛光基板的抛光垫包括具有第一模量的基础层。抛光层附着于该基础层上且具有低于该第一模量的第二模量。第一开口穿过该抛光层且第二开口穿过该基础层。该第一开口暴露该第二开口的至少一部分且暴露该基础层的一部分。窗安置于该第一开口中且附着于该基础层的暴露部分。
具有基础附着抛光

[发明专利]含阳离子型聚合物添加剂的抛光组合物-CN201780007928.4有效
发明人：林越;李常怡 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明提供化学机械抛光组合物，其包含：(a)湿法铈土、(b)水溶性阳离子型聚合物或共聚物、(c)芳族羧酸或杂芳族羧酸、及(d)水，其中，该抛光组合物的pH为约3至约6。本发明进一步提供使用本发明的化学机械抛光组合物来化学机械抛光基板的方法。典型地，该基板含有硅氧化物。
阳离子聚合物添加剂抛光组合

[发明专利]具有高模量比的聚氨酯化学机械抛光垫-CN201680054351.8有效
发明人：富琳;马锐;N·斯佩尔;蔡晨智;K·伯格曼 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：公开了一种化学机械抛光垫，其包含在低温下具有高储能模量且在高温下具有低储能模量的聚氨酯抛光层。举例而言，所公开的垫的实施方案可自25℃下的储能模量与80℃下的储能模量的比率为50或更大的热塑性聚氨酯制造。该热塑性聚氨酯抛光层可进一步任选地具有70或更大的肖氏D硬度、320％或更小的拉伸伸长率、1200MPa或更大的25℃下的储能模量和/或15MPa或更小的80℃下的储能模量。
具有高模量聚氨酯化学机械抛光

[发明专利]用于抑制氮化钛及钛/氮化钛移除的化学机械抛光方法-CN202010632566.1在审
发明人：侯惠芳;W.沃德;叶铭智;蔡智斌 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及用于抑制氮化钛及钛/氮化钛移除的化学机械抛光方法。具体地说，本发明描述一种用于移除沉积在氮化钛(TiN)或钛/氮化钛(Ti/TiN)阻挡层上的金属层的化学机械抛光(CMP)方法。该方法包括用酸性CMP组合物磨除该金属层以暴露出下面的TiN或Ti/TiN层，其中，由于表面活性剂抑制剂的存在而以低速率抛光该TiN或Ti/TiN层。该酸性CMP组合物包含悬浮于含有选自阴离子型表面活性剂、非离子型表面活性剂、阳离子型表面活性剂及其组合的表面活性剂的液体载剂中的粒状研磨剂(例如二氧化硅、氧化铝)。
用于抑制氮化化学机械抛光方法

[发明专利]具有经改善的形貌的钨磨光抛光组合物-CN201980007660.3在审
发明人： K.P.多克里;P.K.辛格;S.格鲁姆宾;K.朗 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供化学机械抛光组合物，包含：a)经表面改性的胶体氧化硅颗粒，该颗粒的表面上包含带负电荷的基团，其中该经表面改性的胶体氧化硅颗粒具有负电荷、约90nm至约350nm的粒径及在约3的pH下约‑5mV至约‑35mV的ζ电位，b)铁化合物，c)稳定剂，d)腐蚀抑制剂，及e)水性载剂。本发明还提供适用于抛光基板的方法。
具有改善形貌磨光抛光组合

[发明专利]用于钨化学机械抛光的组合物-CN201580013515.8有效
发明人： S.格伦宾;J.戴萨德;富琳;W.沃德;G.怀特纳 -专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：用于抛光具有钨层的基板的化学机械抛光组合物，其包括基于水的液体载剂、分散于该液体载剂中且具有至少6mV永久性正电荷的胶态二氧化硅研磨剂、在该液体载剂中呈溶液形式的含胺的聚合物、以及含铁的促进剂。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法，其包括：使该基板与上述抛光组合物接触，相对于该基板移动该抛光组合物，及研磨该基板以自该基板移除该钨的一部分并由此抛光该基板。
用于化学机械抛光组合

1
2
3
4
5
6
7
下一页»
尾页
共 99 条