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[发明专利]一种三族氮化物基双异质结光电晶体管-CN201610095411.2有效
发明人：江灏;张灵霞;唐韶吉 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-02-22 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种三族氮化物基双异质结光电晶体管，属于半导体器件技术领域。一种三族氮化物基双异质结光电晶体管及其制备方法，包括衬底及生长于衬底之上的外延层，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层或过渡层，施主重掺杂欧姆接触层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂层，较大禁带宽度材料的非故意掺杂层，受主掺杂层，非故意掺杂光吸收层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂窗口层。本发明采用集电区上置结构，并采用禁带宽度较光吸收层大的三族氮化物多元合金材料作为入射光的窗口层，提高量子效率，增加光生空穴数量，从而提高器件的光电增益；在下置的发射区中采用反向异质结作为发射结，并导入较大禁带宽度材料的非故意掺杂层作为受主掺杂扩散阻挡层及基区‑发射区异质界面能带凹陷补偿层，提高晶体管电子注入效率。本发明具有光电增益高、器件性能稳定等特点。
一种氮化物基双异质结光电晶体管

[发明专利]一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法-CN201410517242.8无效
发明人：江灏;唐韶吉;谭维 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及探测器的技术领域，更具体地，涉及一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法。一种三台面p-π-n结构III族氮化物半导体雪崩光电探测器，其中，包括衬底，利用外延生长法，如分子束外延或金属有机化学气相沉积外延法，依次生长在衬底上的缓冲层，n型掺杂氮化物欧姆电极接触层，π型氮化物有源层，p型掺杂氮化物层，重掺杂p型氮化物欧姆接触层，制作在n型层上的n型欧姆接触电极，制作于p型层上的p型欧姆接触电极。本发明可改善传统p-i-n结构器件漏电流较大以及容易发生边缘提前击穿的问题，而且三台面结构对p-π-n结构器件的强弱电场区的边缘电场实施了双抑制保护，有效防止结边缘电场的提前击穿。
一种台面结构 iii 氮化物半导体雪崩光电探测器及其制备方法