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[发明专利]半导体装置-CN202110175890.X在审
发明人：王诣杰;赖柏均;林克峰;郭镇铵;周泽玮 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极区、漏极区以及多个场板。栅极结构设置于半导体基底上，源极区与漏极区设置于半导体基底中且分别位于栅极结构在一第一方向上的两相对侧。多个场板设置于半导体基底上，且各场板部分位于栅极结构之上且部分位于栅极结构与漏极区之间。栅极结构与多个场板中的至少一个电连接，且源极区与多个场板中的至少一个电连接。
半导体装置

[发明专利]可程式元件及其制造方法-CN201310378999.9有效
发明人： 周泽玮;杨庆忠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开一种可程式元件及其制造方法。一种可程式元件包括一基板，其具有一源极区域、一漏极区域、和邻近源极区域与漏极区域的一扩散区域；一通道连接源极区域与漏极区域；一浮置栅极，以一导电材料形成并位于基板上与通道对应；和一沟槽形成于基板的扩散区域处。其中，浮置栅极延伸至沟槽，导电材料覆盖沟槽的一侧壁。
程式元件及其制造方法