专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金属不锈钢去油污抛光乳膏及其制备方法-CN201610217170.4有效
  • 周正有;罗广圣;邓晓华 - 南昌大学
  • 2016-04-11 - 2018-08-17 - C23F3/04
  • 本发明目的提供一种家用不锈钢器具除污亮光水性乳膏及其制备方法。水性不锈钢光亮乳膏采用水作为溶剂,降低了有机溶剂的挥发和碳排放,具有绿色、环保、低碳、成本低等优点,保护了人员身体健康。本配方加入棕榈蜡起亮光效果,加入甘油和白油起润滑、保湿的功效;加入油性分散剂主要是分散纳米Al2O3粉体。乳化剂采用甘油酯和壬基酚聚氧乙烯醚NP‑10。螯合剂为乙二胺四乙酸四钠和葡萄糖酸钠。本产品为水性乳膏,不会给环境带来污染;具有对不锈钢除污、光亮、去锈等三种功效,可以大大降低成本。
  • 一种金属不锈钢油污抛光及其制备方法
  • [发明专利]一种透明玻璃疏水隔热涂料及制备方法-CN201310405222.7有效
  • 凌金龙;周正有 - 深圳市文浩建材科技有限公司
  • 2013-09-06 - 2013-12-11 - C09D133/00
  • 一种透明玻璃疏水隔热涂料及制备方法,涂料组成包括水、FL-12消泡剂、KS-82分散剂、FB-111润湿剂、AC-261P水性丙烯酸乳液、混合树脂、8088增稠剂、纳米SiO2粉体、纳米掺锑锡氧化物ATO粉体、聚醚改性硅油等;制备方法包括两个步骤,第一步制备纳米掺锑锡氧化物ATO粉体和纳米SiO2粉体不沉降的纳米粉体分散液;第二步在水中加入聚醚改性硅油、AC-261P水性丙烯酸乳液和混合树脂,倒入所制备的纳米粉体分散液,并放入8088增稠剂,经过充分搅拌后而成。使用时,把制备好的涂料在玻璃上淋涂干燥后即可。本发明可大量地应用建筑物的玻璃上,具有建筑节能、自洁美观的长效优点。
  • 一种透明玻璃疏水隔热涂料制备方法
  • [发明专利]一种半透明水性隔热涂料及制备方法-CN201310346420.0无效
  • 凌金龙;周正有 - 深圳市文浩建材科技有限公司
  • 2013-08-11 - 2013-11-20 - C09D133/00
  • 本发明涉及一种半透明水性隔热涂料及制备方法,设计一种双层隔热反射涂料,即底涂为隔热辐射型涂料,面涂为反射隔热型涂料。在底涂中,采用了空心玻璃微珠和红外辐射粉体制备的涂料;在面涂中,采用了ATO和纳米TiO2粉体制备的涂料。本发明所述的制备方法采用水性丙烯酸乳液作为粘结剂树脂,加入消泡剂、分散剂、润湿剂、PH调节剂等助剂,加入颜料和功能性填料,并充分搅拌而成。所述功能性填料,对于底涂是空心玻璃微珠和红外辐射粉体其中一种或两种;对于面涂是ITO、ATO与TiO2粉体其中一种或多种。本发明所述的涂料具有较好的反射、隔热性能,能够阻止热量向室内传递,减少制冷设备的用电消耗,从而达到建筑节能的效果。
  • 一种半透明水性隔热涂料制备方法
  • [发明专利]水基流延浆料、水基流延湿法制备多层片式元器件方法-CN201110110651.2有效
  • 周正有;丁晓鸿;李建辉;胡彩波;朱建华;肖倩;周俊 - 深圳振华富电子有限公司
  • 2011-04-29 - 2012-10-31 - C04B35/26
  • 本发明提供一种水基流延浆料,以所述水基流延浆料总重量为100%计,包括重量百分比的组分为:陶瓷粉体40.0~50.0%、聚乙烯醇5.0~10.0%、聚丙烯酸铵0.2~1.2%、聚乙二醇0.4~2.4%、消泡剂0.1~0.5%,水30~48wt%。以及提供一种水基流延湿法制备多层片式元器件方法,包括步骤为水基流延浆料的配制,陶瓷基体的制备,多层片式元器件生坯片的制备和多层片式元器件的制备。本发明水基流延浆料,浆料粘度适中、干燥时间短、安全无毒,用该浆料制备的陶瓷基体结构均匀,表面平整;该水基流延湿法制备多层片式元器件方法工艺简单、安全无毒,经济环保,使得制备的多层片式元器件结构牢固,厚度可达20μm,且多层片式元器件电感量高和良品率高达90%以上,生产成本降低75%以上。
  • 基流浆料湿法制备多层元器件方法

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