专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2021-07-20 公布专利
2021-07-16 公布专利
2021-07-13 公布专利
2021-07-09 公布专利
2021-07-06 公布专利
2021-07-02 公布专利
2021-06-29 公布专利
2021-06-25 公布专利
2021-06-22 公布专利
2021-06-18 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装结构及其封装方法-CN202180000676.9在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-02-26 - 2021-07-23 - H01L23/31
  • 一种封装方法包括:提供衬底结构,该衬底结构包括核心衬底、在核心衬底的第一表面处的多个第一导电焊盘、以及在核心衬底的第二表面处的多个封装焊盘;以及在核心衬底的第二表面处将多个半导体芯片封装到衬底结构上,该操作包括形成第一金属线以与半导体芯片的芯片接触焊盘连接以及在核心衬底的第二表面上形成模制化合物以包封多个半导体芯片。第一金属线的一端连接到芯片接触焊盘,并且第一金属线的另一端在模制化合物的表面处暴露。该封装方法还包括在模制化合物的表面上形成第一金属焊盘以与第一金属线电连接。
  • 半导体封装结构及其方法
  • [发明专利]晶圆处理装置和处理方法-CN202110196093.X在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-02-22 - 2021-06-15 - B24B37/04
  • 本申请提供晶圆处理装置和处理方法。该处理装置包括晶圆放置部,被配置为放置晶圆,其中晶圆具有不规则边缘部分;辅助框架,被配置为与晶圆的不规则边缘部分的表面之间形成凹槽;以及填充物添加部,被配置为在凹槽内添加填充物。通过使用该处理装置对晶圆的不规则边缘进行填充后,再进行减薄处理,可大幅度降低晶圆减薄工艺的难度、增加产品合格率以及降低生产成本。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]倒装芯片堆叠结构及其形成方法-CN202180000449.6在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-02-05 - 2021-06-11 - H01L25/18
  • 本公开包括一种半导体封装,所述半导体封装包括具有与输入/输出(I/O)触点接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面的再分布层(RDL)。半导体封装还包括形成在RDL的第二表面上并且与RDL电连接的阶梯互连结构。该阶梯互连结构包括阶梯层,所述阶梯层包括第一阶梯层和堆叠在第一阶梯层的顶表面上的第二阶梯层。第二阶梯层覆盖第一阶梯层的顶表面的一部分,使得第一阶梯层的顶表面的剩余部分被暴露。集成电路(IC)芯片经由阶梯互连结构电连接到RDL。IC芯片中的第一IC芯片通过第一阶梯层的顶表面的剩余部分电连接到RDL。
  • 倒装芯片堆叠结构及其形成方法
  • [发明专利]衬底结构及其制造和封装方法-CN202180000299.9在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-01-26 - 2021-06-08 - H01L21/56
  • 一种制造用于封装的衬底结构的方法包括:提供核心衬底、在核心衬底的第一表面处的多个导电焊盘、以及在核心衬底的与第一表面相对的第二表面处的金属层;在多个导电焊盘中的每一个上形成导电结构,导电结构用于将衬底结构粘贴到外部部件上;在核心衬底的第一表面上形成模制化合物,以包封导电结构;以及通过对在核心衬底的第二表面处的金属层进行图案化来形成多个封装焊盘。
  • 衬底结构及其制造封装方法
  • [发明专利]处理半导体晶圆的方法-CN202080003428.5在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-11-19 - 2021-03-30 - H01L21/304
  • 本公开内容描述了用于处理半导体晶圆的方法和系统。一种用于处理晶圆的方法包括使用多个检测器来测量晶圆的一个或多个晶圆特性。该晶圆包括器件区域和周边区域。该方法还包括基于所测量的一个或多个晶圆特性来确定晶圆的晶圆修改轮廓。该方法还包括使用晶圆修改轮廓来修改周边区域内的晶圆的环形部分。经修改的环形部分具有小于晶圆厚度的穿透深度。该方法还包括对晶圆执行晶圆减薄工艺。
  • 处理半导体方法
  • [发明专利]封装体结构及半导体器件的封装方法-CN201811342989.9有效
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-11-13 - 2020-07-24 - H01L23/31
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装体结构及半导体器件的封装方法。所述封装体结构包括:封装基板,适于承载半导体器件;塑封层,覆盖于所述封装基板表面并塑封所述半导体器件;调整层,适于覆盖所述塑封层背离所述封装基板的表面,且所述调整层与所述封装基板之间热膨胀系数的差值小于一阈值,以抑制所述封装体结构在沿垂直于所述封装基板的方向发生翘曲形变。本发明抑制了封装体结构的翘曲形变,提高了封装后半导体器件性能的稳定性,减少了客户端的质量隐患。
  • 封装结构半导体器件方法
  • [发明专利]切割方法-CN202010350593.X在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-04-28 - 2020-07-17 - H01L21/304
  • 本发明实施例提供了一种切割方法,提供晶圆;通过半导体工艺在所述晶圆上形成了多个芯片,且在所述晶圆上设置有多个间隙区域;芯片之间通过间隙区域隔开;所述间隙区域之间存在重叠区域;在所述多个间隙区域进行切割,形成多个槽道;减薄所述晶圆至显露所述槽道,以分离所述多个芯片区域及第一区域;所述第一区域位于所述重叠区域中,如此,能够改善切割后得到的分离的芯片的角落处破损的现象。
  • 切割方法
  • [发明专利]芯片封装结构及其制造方法-CN201980003370.1在审
  • 湖北- 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-11-29 - 2020-04-24 - H01L23/498
  • 提供了一种包括第一芯片堆叠和重新分布层的芯片封装结构。第一芯片堆叠包括多个第一芯片、第一模制层和至少一个第一垂直导电元件。所述多个第一芯片是顺次堆叠的,其中,所述多个第一芯片中的每者包括至少一个第一键合焊盘,并且第一键合焊盘未被所述多个第一芯片覆盖。第一模制层包封所述多个第一芯片。所述至少一个第一垂直导电元件穿过第一模制层,其中,所述至少一个第一垂直导电元件被设置到第一键合焊盘的至少其中之一上并与之电连接。重新分布层设置在第一芯片堆叠上并且电连接至所述至少一个第一垂直导电元件。
  • 芯片封装结构及其制造方法

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