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[发明专利]薄膜晶体管-CN201210102931.3有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象。
薄膜晶体管

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法