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[实用新型]一种易拉罐氮气吹扫系统-CN202022588777.8有效
发明人：杨帆;吴朝科 -专利权人：中粮可口可乐饮料（四川）有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： F17D1/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及易拉罐灌装技术领域，提供了一种易拉罐氮气吹扫系统，包括液氮罐、汽化器、灌装机和卷封机；液氮罐与汽化器连通，汽化器出气口连接有输气管道，输气管道包括主干路、第一支路以及第二支路，第一支路与灌装机导通，第二支路与卷封机导通。能够使用氮气替代二氧化碳进行吹扫。
一种易拉罐氮气系统

[发明专利]一种Si掺杂Inx-CN202010154956.2在审
发明人：王雪文;马佳琪;段雨奇;吴朝科;黄仁静;齐晓斐;翟春雪;赵武;邓周虎 -专利权人：西北大学
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明实施方式公开了一种Si掺杂InxAl1‑xN薄膜的制备方法，本方法采用磁控溅射，采用Si(100)作为基片，金属In靶、金属Al靶、陶瓷Si3N4靶安装于真空室内，并对真空室抽真空使得真空室内真空度降低到10‑4Pa以下，设置InxAl1‑xN薄膜制备工艺参数，其中靶材与基片的距离为50mm，真空压强为0.6pa，衬底温度600℃，Ar∶N2的流量比为20∶10，Si3N4靶材功率设为20‑40W，In靶材功率为70‑110W，Al靶材功率为200‑300W，溅射时间为30min后即可得到掺杂Si的InxAl1‑xN薄膜。本方法制备操作简单，而且能够高效快速大面积成膜，且通过在InxAl1‑xN薄膜中掺杂Si，使其载流子浓度提升从而改善其性能，且通过设置各靶材的功率可以提高薄膜结晶性。
一种 si 掺杂 in base sub

[发明专利]一种以In₂O₃为靶材制备InN薄膜材料的方法-CN201710124149.4有效
发明人：王雪文;张繁;吴朝科;翟春雪;张志勇;赵武;张远 -专利权人：西北大学
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种InN薄膜的制备方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In₂O₃靶，在溅射温度600℃，溅射压强0.6Pa时，生长出纯的InN薄膜材料，且微观形貌颗粒逐渐增大、结晶质量好、纯度高、没有杂质生成。
一种 in2o3 制备 inn 薄膜材料方法

[发明专利]一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法-CN201610318292.2有效
发明人：王雪文;苏星星;吴朝科;李婷婷;翟春雪;赵武;张志勇;胡峰 -专利权人：西北大学
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
一种 si 100 衬底制备不同择优生长 inn 方法